NANOMATERIAŁY - WYKŁAD 3

Elementy krystalografii:

  1. Układy krystalograficzne metali:

(struktury)

Charakterystyka sieci krystalograficznych:

  1. Odległości a, b, c i kąty alfa, beta, gamma (struktury)

  1. Liczba koordynacyjna, Lk

  1. Współczynnik wypełnienia sieci W

Kierunek poślizgu - kierunek, który jest najgęściej obsadzony przez atomy; płaszczyzna poślizgu

Defekty sieci krystalograficznych:

Defekty punktowe:

  1. Wakans (wakancja) - niedobór atomów w sieci

  2. Atom obcy - średnica nadmiarowego atomu jest zwykle większa od średnicy atomów w sieci; zwykle do atomów takich należą C, H, N, B.

  3. Atom dodatkowy (ekstra) - jeśli jego średnica jest mniejsza od średnicy atomów w sieci (sieć wykazuje niedobór atomów), jeśli średnica jest większa , to sieć wykazuje nadmiar atomów.

Defekty linowe:

  1. Dyslokacja krawędziowa (defekt liniowy) - miarą defektu jest wektor Bjurgensa (pod wpływem defektu kolejne atomy oddalają się lub przybliżają się do siebie); pole powierzchni to miara wektora Bjurgensa; kierunek jest prostopadły (zawsze); zwrot określa się zgodnie z regułą śruby prawoskrętnej.

Pod wpływem naprężeń defekt (niedobór lub nadmiar) przesuwa się w sieci krystalograficznej.

Defekty przestrzenne:

  1. Dyslokacja śrubowa - przesunięcie fragmentu sieci, co powoduje zmianę płaszczyzn krystalograficznych. (przesunięte płaszczyzny komórki (kolejne) tworzą kolejne zwoje śruby).

Defekty złożone:

  1. Granice dużego kąta - pomiędzy ziarnami występują miejsca naprężone (zaburzenia na granicach ziaren); 3 - 4 ziaren międzyatomowych (kilka nm).

  2. Granice małego kąta - odkryto poprzez STM - poszczególne komórki leżą względem siebie pod małymi kątami (rzędu kilku minut); granice bloków mozaikowych.