I kolokwium - dr Szreter
Od jakich czynników i jak zależy konduktywność półprzewodnika typu n
Jakie właściwości ma półprzewodnik o nierównomiernej koncentracji domieszek
Porównać rozkład koncentracji domieszek o różnych typach złącz p-n
Podać równanie I-U idealnego złącza p-n oraz określić założenia przy jakich zostało wyprowadzone
Narysować charakterystyki I-U oraz schemat aplikacyjny ogniwa fotoelektrycznego
Wyprowadzić wzór na rezystancję złącza p-n dla małych sygnałów zmiennych
Wyjaśnić właściwości i zalety diody Schottky'ego
Od czego i jak zależy położenie poziomu Fermi'ego w półprzewodniku.
Podać zależność konduktywności półprzewodnika typu p od temperatury.
Narysować i wyjaśnić model pasmowy półprzewodnika typu n o zmieniającej się koncentracji domieszek.
Jak zmienia się charakterystyka I-U złącza p-n w funkcji temperatury przy polaryzacji zaporowej.
Wyprowadzić równanie na SEM ogniwa fotoelektrycznego.
Od jakich czynników i jak zależy grubość złącza p-n.
Narysować modele pasmowe diody Schottky'ego i kontaktu omowego.
Od czego i jak zależy koncentracja par elektron-dziura w półprzewodniku samoistnym.
Podać zależność konduktywności półprzewodnika typu n od temperatury.
Scharakteryzować metodę planarną wytwarzania złącza p-n.
Narysować model pasmowy niespolaryzowanego złącza p-n i wyprowadzić wzór na wysokość bariery potencjału.
Jakie odstępstwa od równania Schockley'a występują przy polaryzacji w kierunku przewodzenia.
Wyjaśnić mechanizm powstawania prądu fotoelektrycznego w złączu p-n.
Od jakich czynników i jak zależy pojemność złącza p-n.
Podać i uzasadnić rozkład koncentracji nośników w funkcji energii w półprzewodniku typu n.
Od jakich czynników i jak zależy konduktywność półprzewodnika samoistnego.
Podać zasadę działania hallotronu.
Wyprowadzić równanie na wysokość napięcia dyfuzyjnego w złączu p-n korzystając z równowagi prądów.
Jakie odstępstwa od równania Shockley'a występują przy polaryzacji w kierunku zaporowym.
Wyjaśnić mechanizm powstawania SEM w złączu p-n pod wpływem oświetlenia
Scharakteryzować pojemność dyfuzyjną oraz pojemność złącza p-n