ZESPÓŁ SZKÓŁ

im. STANISŁAWA STASZICA

TECHNIKUM NR.4

PRACOWNIA ELEKTRONICZNA

SPRAWOZDANIE

TEMAT: BADANIE TRIAKA

KLASA IIITt

GRUPA 1

SEKCJA C

1. DAMIAN BIEDAK

2. KAROL KOWALCZYK

3. OLGA HURAS

4. SEBASTIAN ŁĄGIEWKA

5. ŁUKASZ JANOSKA

DATA:15.10.2007r.

I.CEL ĆWICZENIA: Przypomnienie podstawowych właściwości tranzystorów unipolarnych, zapoznanie się z ich podstawowymi układami pracy, oraz umiejętnościami dokonywania pomiarów w celu wykreślenia konkretnych charakterystyk i określenia pewnych parametrów tranzystorów.

II.CZEŚĆ TEORETYCZNA

1) Wiadomości wstępne

Tranzystory polowe w skrócie FET (Field Effect Transistor), są również nazywane unipolarnymi. Działanie tych tranzystorów polega na sterowanym transporcie jednego rodzaju nośników, czyli albo elektronów albo dziur. Sterowanie transportem tych nośników, odbywającym się w części tranzystora zwanej kanałem, odbywa się za pośrednictwem zmian pola elektrycznego przyłożonego do elektrody zwanej bramką.
    Bramka jest odizolowana od kanału, a więc pomiędzy nią a pozostałymi elektrodami tranzystora polowego, znajdującymi się na obu końcach kanału (zwanych źródłem oraz drenem) występuje bardzo duża impedancja.

Elektrody tych tranzystorów maja następujące oznaczenia:

- S - źródło (ang. Source)

- G - bramka (ang. Gate)

- D - dren (ang. Drain)

2) Podstawowe układy pracy tranzystorów unipolarnych

- układ o wspólnym źródle OS (odpowiednik OE)

- układ o wspólnej bramce OG (odpowiednik OB)

- układ o wspólnym drenie OD (odpowiednik OC)

3) Podział tranzystorów unipolarnych

- złączowe (JFET - ang. Junction Field Effect transistor)

- z izolowaną bramką (IGFET)

Dodatkowo tranzystory złączowe możemy podzielić na tranzystory:

- ze złączem PN (PNFET - tranzystory PN ze złączem PN)

- ze złączem m-p (MESFET - ang. Metal - Semiconductor FET)

Tranzystory z izolowaną bramką możemy podzielić na tranzystory:

- MIS, MISFET, MOS , MOSFET (z kanałem zubożonym i wzbogaconym)

- Cienkowarstwowe (TFT - ang. Thin Film Transistor)

4) Parametry określane na podstawie charakterystyk:

- napięcie odcięcia bramka -źródło UGS OFF

- prąd nasycenia IDSS

- prąd wyłączania ID OFF

- rezystancja statyczna włączania rDS ON

- rezystancja statyczna wyłączania rDS OFF

- transkonduktancja q m

- rezystancja drenu r ds.

Parametry tranzystorów unipolarnych dzielimy na: statyczne oraz dynamiczne.

Parametry statyczne określamy na podstawie charakterystyk przejściowych i wyjściowych tych tranzystorów.

III. CZĘŚĆ PRAKTYCZNA

a) PZEBIEG ĆWICZENIA

- skompletowanie urządzeń potrzebnych do wykonania ćwiczenia

- połączenie obwodu według schematu

- zmieniać napięcie U_GS w granicach od -1V do -6V co 1V

- odczytać wartość prądu drenu I_D i wpisać wartość do tabeli

- zmieniać napięcie U_DS w granicach od 0 do 14V co 2V

- odczytać wartość prądu drenu I_D i wpisać wartość do tabeli

- na podstawie wyników pomiarów wykreślić charakterystykę przejściową ID = f (UGS) przy UDS = const. oraz charakterystykę wyjściową ID= f(UDS) przy UGS = const.

- zapisanie spostrzeżeń i wniosków

- rozłączenie obwodu

b) SCHEMAT UKŁADU POMIAROWEGO

c) TABELA WYNIKÓW

Tabela dla charakterystyki przejściowej

Tranzystor unipolarny złączowy typu FET BF 245 klasy B
UDS=5V		UDS=10V
UGS	ID	UGS	ID
V	mA	V	mA
-1	0,75	-1	06,7
-2	03,7	-2	03,5
-3	01,3	-3	00,8
-4	00,8	-4	00,3
-5	00,7	-5	00,2
-6	00,7	-6	00,2

Tabela dla charakterystyki wyjściowej

Tranzystor unipolarny złączowy typu FET BF 245 klasy B
UGS=-1		UGS=-1
UDS	ID	UDS	ID
V	mA	V	mA
0	0,01	0	0,21
2	05,4	2	0,57
4	05,7	4	0,59
6	05,8	6	0,65
8	06,1	8	0,68
10	06,2	10	0,70
12	00,0	12	0,0
14	00,0	14	0,0

d) PRZEBIEGI CHARAKTERYSTYK

Charakterystyka przejściowa I_D = f (U_GS) przy U_DS = const.

Charakterystyka wyjściowa I_D= f(U_DS) przy U_GS = const.

e)SPIS POMOCY

- miernik cyfrowy do pomiaru prądu i napięcia zmiennego i stałego

MULTIMETER V561A nr 17297/90

- miernik cyfrowy do pomiaru prądu i napięcia zmiennego i stałego MULTIMETER V561A nr 16734/90

- miernik cyfrowy do pomiaru prądu i napięcia zmiennego i stałego PU 110 Nr 4568570

- Zasilacz

- Przewody

IV. SPOSTRZEŻENIA I WNIOSKI

---