Energia aktywacji półprzewodnika wynosi:
a) <2eV
Przewodzenie prądu w półprzewodniku samoistnym odbywa się wskutek przepływu:
c) dziur i elektronów
Przy wzroście temperatury rezystywność półprzewodnika:
b) szybko maleje,
Pole elektryczne i bariera potencjałów w złączu półprzewodnikowym:
c) hamują dyfuzję nośników większościowych i wspomagają dryft nośników mniejszościowych
Przy polaryzacji zaporowej złącza p-n zewnętrzne źródło napięcia powoduje:
wzrost natężenia wewnętrznego pola elektrycznego, który wywołuje silne ograniczenie prądów
dyfuzyjnych nośników większościowych i jednoczesny nieznaczny wzrost prądów dryftu nośników mniejszościowych
Połączone równolegle diody w celu zwiększenia obciążalności prądowej diody powinny mieć:
b) identyczne charakterystyki w kierunku przewodzenia
Zaletą opisu tranzystora za pomocą równań hybrydowych jest:
b. łatwość pomiaru współczynników macierzy [h]
Wzmacniacz o wzmocnieniu k z czwórnikiem sprzężenia zwrotnego o transmitancji β może być niestabilny gdy wzmocnienie pętli:
b.|k*β|→1
Kryterium Nyguista mówi, że układ ze sprzeżeniem zwrotnym jest niestabilny gdy na płaszczyźnie zespolonej wykres iloczynu
a)(1,j0)
układ jest stabilny, jeżeli charakterystyka amplitudowa petli sprzężenia zwrotnego przy częstotliwości odpowiadającej
wzmocnieniu jednostkowemuk*β=1 ma nachylenie mniejsze niż :
b.40dB/dek
charakterystyka amplitudowa wzmacniacza z zamkniętą petlą sprzeżenia zwrotnego będzie płaska a przeregulowanie
odpowiedzi impulsowej nie przekroczy 5% jeżeli dla f n=( dla której dodatkowe przedunięcie fazowe wynosi 1800 )
c.k*β ≤ 0,2
W filtrze Bessela charakterystyka opóźnienia grupowego jest aproksymowana funkcją:
a)Bulterwortha
Przestrajanie generatora poprzez jednoczesną zmianę pojemności w czwórniku drabinkowym RC zapewnia:
a) stałość współczynnika sprzężenia zwrotnego w trakcie przestrajania
14)Przybliżony czas przetważania sygnału analogowego na cyfrowy w n-bitowym przetworniku iteracyjnym ( z kompensacją wagową ) wynosi:
b) nT
Gdzie T oznacza czas jednego porównania
15) Dekada jest to :
c.różnica częstotliwości o 10 razy
16) powierzchnia (pole) wzmocnienia jest to :
iloczyn wzmocnienia i częstotliwości granicznej
17) Najlepsza jakość stabilizacji diody Zenera występuje dla rezystancji dynamicznej równej:
0 Ω
18) rezystancja dynamiczna diody prostowniczej :
c. zależy od pochodnej napięcia napięcia względem prądu
19) Zastępczy model tranzystora dla prądu zmiennego obowiązuje
dla tranzystora spolaryzowanego dowolnie (stan zatkania , nasycenia )
20) Dla poprawnego spolaryzowania tranzystora w układzie OB.:
największa jest wartość prądu emitera
21) idealny wzmacniacz operacyjny charakteryzuje się ;
rezystancją wejściową różnicowa równą ∞
22) Wzmocnienie równe 20 dB oznacza :
b/ wzmocnienie sygnału wejściowego
23)Wzmocnienie równe 10 dB oznacza :
wzmocnienie mocy równe 10
24) Największym wzmocnieniem mocy charakteryzuje się układ :
b. OE
25) Parametr h11 jest to :
rezystancja ( impedancja ) wejściowa
26) Prąd wpływający do wejść idealnego wzmacniacza operacyjnego zależy od :
c…jego wartość wynosi zero
27) Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym :
c...wzmacnia lub tłumi sygnał różnicowy
28) Tranzystor jest :
a…bipolarny-trójnikiem
29) Napięcie stabilizacji diody Zenera :
c…jest to napięcie wsteczne nie niszczące diody
30) Dioda Zenera jest elementem :
b…nieliniowym
31) Dioda Zenera:
b…w kierunku przewodzenia zachowuje się jak zwykła dioda
32) Stan nasycenia tranzystora występuje gdy :
b…obydwa złącza są spolaryzowane w kierunku przewodzenia
33) W zakresie pracy aktywnej :
c…złącze B-C polaryzacja zaporowa, złącze B-E polaryzacja przewodzenia
34) Zależność prądu diody prostowniczej od napięcia polaryzującego ją w kierunku przewodzenia jest :
c…wykładnicza
35) idealna dioda prostownicza charakteryzuje się ;
a…napięciem w kier. przewodzenia =0 i prądem wstecznym =0
36) Dla tranzystora pnp pracującego w stanie aktywnym w układzie OE zachodzi związek między potencjałami :
Ve > Vb > Vc
37) Dodanie rezystora Rz między emiter a masę dla tranz. Pracującego w stanie aktywnym w układzie OE powoduje :
b…spadek Ic i Ib
38) 0 dB to :
1 V/V
39) zaznaczony na poniższej logarytmicznej skali częstotliwości punkt fx odpowiada częstotliwości :
b) 
40) zależność między parametrami αi β dla tranzystora jest następująca :
b) 
41) Wzmacniacz operacyjny pracujący w klasycznym układzie nieodwracajacym ma wzmocnienie napięciowe:
b…
42) Układ SPF jest układem automatycznej regulacji w którym :
b…sygnał WE/WY są wyrażone przez wartości częstotliwości
43) Działanie układu SPF polega na :
a…wykrywaniu i korygowaniu niewielkich różnic przesunięcia fazowego i częstotliwości sygnału wejściowego i wyjściowego
44) Warunek konieczny generacji drgań to ;
b…warunek amplitudy i fazy
Wyszukiwarka