Elementy uFalowe

Tranzystory uf - dla F= 100MHz - 100GHz z arsenku galu. Gdyż ruchliwość elektronów jest większa niż w krzemie oraz osiąga nasycenie prędkości przy mniejszym Nat. Pola elektrycznego.

HEMT - z wykorzystaniem podwyższonej ruchliwości nośników co pozwala na ich stosowanie przy f do 100 GHz. Tranzystory bipolarne oparte na krzemie mogą być stosowane przy f - 6GHz ze względu na nizszy koszt w stosunku do arsenku galu. Rozwijaja się również uf monolityczne układy scalone MM/C

Bipolarne - budowane jako tranzystory n-p-n budowane w strukturze palczastej.

Podział:

- nisko szumowe nalej mocy

- Wzmacniające do pracy w klasie A

- średniej mocy

Obudowy tranzystorow uFalowych

Polaryzacja tranzystorow uFalowych

Pracuja w układach wzmacniaczy i generatorow, musza być odpowiednio spolaryzowane. Elementy którymi są zasilane nie powinny wpływać na paramtery tranzystora i układu oraz musza zabezpieczac element przed wzbudzeniem na innych częstotliwościach. Szczególnie jest to niebezpieczne dla wzm malej częstotliwości, gdyz dosc latwo wzbudzaja się na wyzszych. Ponadto układy zasilania powinny zapewnic stabilny punkt pracy.

---