POLITECHNIKA POZNAŃSKA

Instytut Elektroniki i Telekomunikacji Zakład Podstaw Elektroniki

TRANZYSTOR BIPOLARNY

Laboratorium Elementów i Układów Elektronicznych

Poznań 1997


Tranzystor bipolarny

I Cel ćwiczenia:

Zdjęcie charakterystyk statycznych wejściowych, przejściowych oraz wyjściowych tranzystora bipolarnego pracującego w układzie wspólnego emitera,

wyznaczenie parametrów "h" dla schematu zastępczego tranzystora w układzie wspólnego emitera na podstawie uzyskanych charakterystyk statycznych (dla małych sygnałów).

II Układ pomiarowy:

0x01 graphic

W skład zestawu pomiarowego wchodzi:

- sterowane źródło prądowe służące do wymuszenia stałego prądu bazy tranzystora (IB) w zakresie O - 400 µA,

- stabilizowane źródło napięciowe (regulowane w zakresie O - l O V) do utrzymania stałego napięcia między kolektorem a emiterem tranzystora (Uce), niezależnie od prądu kolektora Ic; źródło to posiada zabezpieczenie nadprądowe,

- zespół mierników cyfrowych.

Elementem mierzonym jest popularny tranzystor krzemowy BD135.


III Przebieg ćwiczenia:

  1. Zdjąć charakterystyki wejściowe ib = f(UeE) przy uce = const
    dla     uce = O oraz uce = 5V.

  2. Zdjąć rodzinę charakterystyk wyjściowych Ic = f(UCE) przy ib = const
    dla ib € (50 - 400) µA z odstępem co 50µA.

  3. Zdjąć charakterystyki przejściowe tranzystora:

a) Ic = f(IB) przy uce = const, dla uce € {2, 5, 9} V

Uwaga: pomiary należy zakończyć na prądzie ib, przy którym nie można już utrzymać zadanej wartości uce,

b) ube = f(UCE) przy ib = const, dla ib = 50µA oraz ib = 200µA.

4. Na podstawie uzyskanych charakterystyk wyznaczyć wartości parametrów
"h" tranzystora w otoczeniu punktu Ic = 25mA, uCE = 5V.

IV Sprawozdanie

W sprawozdaniu należy zamieścić: wyniki pomiarów, wykresy charakterystyk, wyniki obliczeń,

- wnioski.

V Parametry tranzystora BD135 (wartości graniczne dla Tamb=25°C):

Icpeak = 1.5A,