Zestaw 0
1) Ruchliwość nośników - definicja, zależność od temp
2) Wyrażenie na ch-kę złącza p-n
3) Wpływ temp na ch-kę diody w kierunku zapor
4) Dioda ładunk - podstawowe parametry, ... koncentracji domieszek
5) Wyrażenie na ch-kę MIS

Zestaw 1
1) Wpływ temp na koncentr nośników w krzemie - ilustracja, opis
2) Zależność Einsteina
3) Układ do pomiaru h12 i h22
4) Złącze m-s - energ model pasmowy, ch-ki
5) Wyraż na ch-kę p-n - wyprowadź
6) Rozkład konc nośników w n-p-n w zakresie normalnym aktywnym
7) Mod LSA - podst parametry
8) Ch-ka MIS - wyprowadź wyrażenie
9) Przyczyny włączania tyrystora (min 4)
10) Mod TRAPATT - defin, zasada pracy
11) Klasyfikacja MIS ze względu na ch-ki przejściowe

Zestaw 2
1) Ch-ka p-n
2) Ch-ki przej i wyj w układzie OB i OE
3) Szerokość warstwy zaporowej
4) Wyrażenie na ch-kę p-n - wyprowadź
5) Mod TRAPATT - defin, zasada pracy
6) Przyczyny włączania tyrystora (min 4)
7) Wyrażenie na ch-kę MIS - wyprowadź
8) Układ do pomiaru h12 i h22
9) Rozkład konc nośników w n-p-n w zakresie normalnym aktywnym
10) Klasyfikacja MIS ze względu na ch-ki przejściowe
11) Uporządkować f graniczne rosnąco

Zestaw 3
1) Defin i zależność konduktancji różniczkowej od częst
2) Zależność poziomu Fermiego od konc domieszek
3) Wyrażenie na ch-kę p-n - wyprowadź
4) Model hybryd [pi] tranz bip w układzie OE - podać typowe wartości param dla wybranego tranzystora
5) Wyrażenie na ch-kę MIS - wyprowadź
6) Układ do pomiaru h12e
7) Klasyfikacja MIS ze względu na ch-ki przejściowe
8) Złącze m-s - energ model pasmowy, ch-ki
9) Dioda Gunna - podst rodzaje pracy
10) Definicja częst w max

Zestaw 4
1) Obszary pracy diody Zenera
2) Wyrażenie na ch-kę p-n - wyprowadź
3) Dioda wsteczna - model pasmowy, ch-ki
4) Wpływ temp na ch-kę diody w kierunku przewodzenia
5) Praca impulsowa tranzystora w ukł OE
6) Wyrażenie na ch-kę MIS - wyprowadź
7) Rezystancja rozproszona bazy - defin, sposoby zmniejszania
8) Dioda Gunna - podst rodzaje pracy
9) Klasyfikacja MIS ze względu na ch-ki przejściowe
10) Odpowiedź wielkosygn diody IMPATT
11) Czas życia nośników - defin, typowe wartości dla Ge, Si w temp 300K

Zestaw 5
1) Diody pojemn - podział, parametry, schematy zastępcze
2) Wyrażenie na ch-kę p-n - wyprowadź
3) Zależność konduktywności od temp
4) Zależność ruchliwości od konc domieszek Si
5) Układ do pomiaru h12e
6) Prądy zerowe - defin, uszereguj rosnąco
7) Tryby pracy BCMOS
8) Odpowiedź wielkosygn diody IMPATT
9) Dioda Gunna - podst rodzaje pracy
10) Uporządkować f graniczne rosnąco + defin

Ostatnio miałem
1) Odpowiedź wielkosygn diody IMPATT
2) Zwrotne w OB
3) Mod LSA - jakiego przyrządu dotyczy, objaśnić
4) Tryby pracy BCMOS
5) Ch-ka MIS w nasyceniu

---