Nr ćwiczenia |
Temat |
Ocena z teorii |
||
12 |
Wyznaczanie przerwy energetycznej |
|
||
Nr zespołu |
Nazwisko i imię |
Ocena zaliczenia ćwiczenia |
||
6 |
Grzegorz Dydo-Rożniecki |
|
||
Data |
Wydział |
Rok |
Grupa |
Uwagi: |
12.04.2006 |
EAIiE |
I |
I |
|
Cel ćwiczenia:
Wyznaczenie wartości przerwy energetycznej i charakteru przejść optycznych dla wybranych półprzewodników na podstawie analizy spektralnej zależności współczynnika absorpcji uzyskanej w pomiarze współczynnika transmisji światła w funkcji długości fali.
Wiadomości teoretyczne:
Foton jest to cząstka elementarna nie posiadającą ładunku elektrycznego ani momentu
magnetycznego, o masie spoczynkowej równej zero m0 = 0. Fotony są nośnikami
oddziaływań elektromagnetycznych. Kwant promieniowania elektromagnetycznego.
Zjawisko fotoelektryczne - polega na tym, że „obserwujemy” wybijanie elektronów z
katody za pomocą promieniowania elektromagnetycznego
hv=W+Ek
h - stała Planca
W - praca wyjścia
Ek - energia kinetyczna elektronu
Półprzewodnikami nazywamy grupę materiałów, które w temperaturze bliskiej zera bezwzględnego są izolatorami, natomiast w wyższych temperaturach posiadają wartość przewodności pośredniej między metalami i izolatorami.
Wykres poziomów energetycznych półprzewodnika, podobnie zresztą jak i izolatora, charakteryzuje obecność przerwy energetycznej, to znaczy przedziału energii, którego nie mogą zajmować elektrony.
Przerwa energetyczna oddziela pasmo walencyjne (w niskich temperaturach całkowicie wypełnione przez elektrony) od pustego pasma przewodnictwa. W przeciwieństwie do izolatora, w półprzewodnikach szerokość przerwy energetycznej Eg jest mała. Ze wzrostem temperatury część elektronów zostaje wzbudzona do pasma przewodnictwa i staje się elektronami swobodnymi. W paśmie walencyjnym powstaje zatem taka sama liczba dodatnich nośników prądu - dziur.
Postarajmy się teraz, opierając się na najprostszych pojęciach teorii pasmowej, wprowadzić zależność koncentracji elektronów swobodnych n i dziur p od temperatury dla półprzewodnika samoistnego (bez domieszek).
Elektron może zwiększyć swoją energię jedynie kosztem absorpcji promieniowania elektromagnetycznego. Jeżeli na półprzewodnik padają fotony o energii wystarczającej na przeniesienie elektronu z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa to są one silnie absorbowane. Zatem w widmie absorpcyjnym półprzewodnika można wyróżnić gwałtowny wzrost współczynnika absorpcji w pobliżu energii hn równej szerokości przerwy energetycznej Eg.
Wyrażenie na energetyczną zależność współczynnika absorbcji dla przejść optycznych w obszarze krawędzi absorbcji dane jest:
gdzie:
m= 1/2 dla przejść prostych dozwolonych
m= 3/2 dla przejść prostych wzbronionych
m= 2 dla przejść skośnych dozwolonych
m= 3 dla przejść skośnych wzbronionych
cm - stała zależna od rodzaju przejścia
Chcąc określić wartość przerwy energetycznej Eg z pomiarów optycznych należy wyznaczyć wartość współczynnika absorpcji, który z kolei można wyznaczyć z pomiarów współczynnika transmisji T, który jest stosunkiem natężenia fali elektromagnetycznej przechodzącej przez próbkę do natężenia fali padającej na próbkę. Transmisję światła można przedstawić jako:
gdzie
jest współczynnikiem odbicia światła na granicy powietrze-warstwa, a
jest współczynnikiem odbicia światła na granicy warstwa-podłoże, ns jest współczynnikiem załamania podłoża, d grubość warstwy.
Mając wyznaczone R12 i R23 (niezależne od energii) oraz zmierzoną wartość transmisji T=T(hν), można wyliczyć dla każdej energii (długości fali) wartość współczynnika absorpcji korzystając ze wzoru:
Wzór ten jest słuszny w obszarze dużej absorpcji.