1 Charakterystyka przejściowa bramki NAND
L.p. |
Uwe [V] |
Uwy [V] |
1 |
0,5 |
4,66 |
2 |
1,1 |
3,23 |
3 |
1,6 |
0,00666 |
4 |
2 |
0,00735 |
5 |
2,3 |
0,00736 |
6 |
2,93 |
0,00739 |
7 |
3,51 |
0,00741 |
8 |
4,01 |
0,00743 |
9 |
4,65 |
0,00746 |
10 |
5,82 |
0,00748 |
2 Charakterystyka wejściowa bramki NAND
L.p. |
Uwe [V] |
Iwe [mA] |
1 |
-1,43 |
1,43 |
2 |
-1 |
1,32 |
3 |
0,053 |
1,06 |
4 |
1,04 |
0,81 |
5 |
1,53 |
-1,48 |
6 |
2,13 |
-3,33 |
7 |
2,88 |
-3,41 |
8 |
3,62 |
-3,5 |
9 |
4,42 |
-3,6 |
10 |
4,82 |
-3,64 |
3 Charakterystyka wyjściowa bramki NAND w stanie wysokim
L.p. |
Iwy [mA] |
Uwy [V] |
1 |
0,374 |
3,73 |
2 |
0,414 |
3,73 |
3 |
0,495 |
3,71 |
4 |
0,57 |
3,71 |
5 |
0,709 |
3,69 |
6 |
0,895 |
3,67 |
7 |
1,22 |
3,65 |
8 |
1,81 |
3,61 |
9 |
3,53 |
3,53 |
10 |
37,83 |
0,378 |
4 Charakterystyka wyjściowa bramki NAND w stanie niskim
L.p. |
Iwy [mA] |
Uwy [V] |
1 |
245,1 |
2,55 |
2 |
4,98 |
0,01794 |
3 |
2 |
0,01172 |
4 |
1,43 |
0,01052 |
5 |
1,04 |
0,0097 |
6 |
0,845 |
0,00929 |
7 |
0,713 |
0,00901 |
8 |
0,623 |
0,00882 |
9 |
0,554 |
0,00867 |
10 |
0,499 |
0,00855 |
Wnioski:
Ćwiczenie polegało na przeprowadzeniu komputerowej analizy bramki logicznej NAND TTL.
W czterech etapach dokonaliśmy serii pomiarów, które pozwoliły na stworzenie charakterystyk badanej bramki.
W pierwszej części ćwiczenia wyznaczyliśmy charakterystykę przejściową bramki NAND. Zwiększając wartość napięcia wejściowego obserwowaliśmy zmiany napięcia wyjściowego. Napięcie wejściowe zwiększaliśmy od 0 do ok. 5V.
W drugiej części ćwiczenia przebieg charakterystyki wejściowej otrzymanej z pomiarów ma charakter malejący. Napięcie wejściowe zwiększaliśmy od -1 do ok 5V. Krzywa najpierw powoli maleje do wartości napięcia ok. 1 [V] aby następnie spadek przebiegał gwałtowniej do osiągnięcia wartości napięcia ok. 2,3 [V] i później znów łagodnie maleć. Różnica prądu między skrajnymi punktami napięcia wynosi 0,00498 [A].
W trzeciej części dokonywaliśmy pomiarów charakterystyki bramki NAND TTL w stanie wysokim przebieg charakterystyki napięcia wyjściowego ma charakter malejący co przedstawione zostało na wykresie.
W czwartej części dokonywaliśmy pomiarów charakterystyki bramki NAND TTL w stanie niskim przebieg charakterystyki napięcia wyjściowego jak w stanie wysokim ma charakter rosnący co również można zaobserwować na załączonych wykresach.
Wykonanie dobrze znanych przebiegów potwierdza zalety stosowania symulacji komputerowych w budowie układów elektronicznych. Jednocześnie zwraca to uwagę na różnice w działaniu modelu komputerowego i układu rzeczywistego.