Inżynieria Materiałowa i Konstrukcja Urządzeń Tytuł: Wyznaczanie parametrów magneto-elektrycznych elementów spintronicznych typu TMR
Imię Nazwisko: Ilona Piekarz Izabela Słomian Jakub Sorocki	Numer zespołu:	Data wykonania ćwiczenia:
Wydział, rok, grupa: EAIiE III rok	Uwagi:	Ocena:

Badana próbka: KMGP-20-5D-B2-Y

1. Pomiary charakterystyk R-H

a) Opisać budowę (strukturę warstwową) mierzonych złącza.

b) Przedstawić na wykresie charakterystyki R-H dla różnych napięć zasilania złącz.

c) Wyznaczyć:

· Tunelową magnetorezystancję zgodnie z równaniem (1),

· Pola przełączeń (HP1,2) warstwy swobodnej oraz pole przesunięcia (HS)

charakterystyki R-H względem zera pola, równanie (2).

2. Pomiary charakterystyk I-V i napięcia przebicia

a) Przedstawić na wykresie zależność I-V dla stanu niskiej i wysokiej rezystancji.

b) Przedstawić na wykresie zależność R-V dla stanu niskiej i wysokiej rezystancji oraz

omówić charakter zmian tych rezystancji.

c) Przedstawić na wykresie zależność DR-V, gdzie DR=(RAP-RP).

d) Przedstawić na wykresie zależność TMR-V i wyznaczyć napięcie V1/2.

e) Przedstawić na wykresie zależność G-V dla stanu niskiej (GAP) i wysokiej (GP)

konduktancji.

f) Przedstawić na wykresie zależność DG-V, gdzie DG=(GP-GAP) i omówić jej charakter

zmian.

g) Wyznaczyć z dynamiczne konduktancje dI/dV w stanie wysokiej i niskiej rezystancji-,

poprzez numeryczne różniczkowanie charakterystyki (I-V)- oraz przedstawić jej na

wykresie.

---