Badanie tranzystora bipolarnego, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poznaniu


0x08 graphic

Cel ćwiczenia

- zapoznanie się z budową i zasadą działania tranzystora bipolarnego

- wykreślenie charakterystyk : wejściowej , przejściowej i wyjściowej

Wiadomości teoretyczne.

Każdy tranzystor pracować może jako wzmacniacz , wzmacniając podane wielkości elektryczne w zależności od rodzaju układu w , którym pracuje . Najbardziej podstawowym układem pracy tranzystora jest układ wspólnego emitera .

0x01 graphic

a ) układ jest bardzo dobrym wzmacniaczem prądu ( prąd bazy jest bardzo mały , a na wyjściu otrzymujemy duży prąd kolektora )

b) jest dobrym wzmacniaczem napięcia

c) układ jest bardzo dobrym wzmacniaczem mocy .

d) układ ten odwraca fazę napięcia wyjściowego w stosunku do wejścia o 180

Charakterystyki idealnego tranzystora w układzie wspólnego emitera .

  1. Charakterystyka wyjściowa tranzystora .

Ic = f ( Uce ) przy Ib = const.

Na jej podstawie zbudować można tzw. charakterystykę roboczą poprzez naniesienie na nią prostej pracy tranzystora

0x01 graphic

Ib 1 < Ib 2 < Ib 3

Dla stałego napięcia Uce1 , chcąc zwiększyć prąd kolektora z Ic 1 do Ic 2 należy zwiększyć prąd bazy z Ib1 do Ib2 . Wyraźny wzrost prądu kolektora można uzyskać poprzez zwiększenie prądu bazy .

Charakterystyki wyjściowe wszystkich układów pracy ten sam kształt , a różnią się jedynie wielkością poszczególnych prądów i napięć .

II ) Charakterystyka wejściowa tranzystora .

Ib = f ( Ube ) przy Uce = const.

0x01 graphic

Uce 1 < Uce 2 < Uce 3

Nierówność ta jest równa , gdyż chcąc utrzymać stały prąd bazy Ib 1 , mimo wzrostu napięcia na bazie z Ube 1 do Ube 2 należy zwiększyć napięcie na kolektorze z Uce 1 do Uce 2 . Tak jak poprzednio charakterystyki te różnią się jedynie wartościami poszczególnych prądów i napięć .

III ) Charakterystyka przejściowa

Ic = f ( Ib ) przy Uce = const.

0x01 graphic

Uce 1 > Uce 2 > Uce 3

Aby utrzymać stały prąd bazy Ib 1 mimo wzrostu prądu kolektora z Ic 2 do Ic 1 należy zwiększyć napięcie na kolektorze z Uce 2 do Uce 1 .

Przebieg ćwiczenia :

Schemat pomiarowe

0x01 graphic

Wykaz aparatury :

- 2 x 1,5 3 7,5 V kl. 0,5

- 2 x 15 30 75 V kl. 0,5

Tabelki pomiarowe

Dla Ib = 2 mA

Dla Ib = 3 mA

Dla Ib = 4 mA

lp.

Uce

Ic

Uce

Ic

Uce

Ic

C

V

C

mA

C

V

C

mA

C

V

C

mA

1

0

1,5/75

0

0

750/75

0

0

1,5/75

0

0

750/75

0

0

1,5/75

0

0

750/75

0

2

1

0,02

0,02

1

10

10

1

0,02

0,02

1

10

10

1

0,02

0,02

1

10

10

3

4

0,02

0,04

2

10

20

3

0,02

0,06

3

10

30

3

0,02

0,06

3

10

30

4

6

0,02

0,06

3

10

30

7

0,02

0,14

4,5

10

45

5,5

0,02

0,11

4,5

10

45

5

8

0,02

0,08

4

10

40

11

0,02

0,22

6,4

10

64

9,5

0,02

0,19

6,4

10

64

6

7

0,02

0,14

5

10

50

17,5

0,02

0,35

7,8

10

78

15,5

0,02

0,31

7,8

10

78

7

34

0,02

0,68

6

10

60

34,5

0,02

0,65

9,2

10

92

21

0,02

0,42

10,9

10

109

8

2

75/75

2

7,5

10

75

1,1

75/75

1,1

10,5

10

105

27,5

0,02

0,55

12,9

10

129

9*

4,1

1

4,1

8

10

80

1,6

1

1,6

11,5

10

115

45

0,02

0,9

14,7

10

147

10

7

1

7

9

10

90

2

1

2

12

10

120

2

75/75

2

16

10

160

11

9,8

1

9,8

9,5

10

95

5

1

5

13,5

10

135

5,5

1

5,5

18,5

10

185

12

12,5

1

12,5

10

10

100

8

1

8

15

10

150

9

1

9

20,5

10

205

13

15,1

1

15,1

10,5

10

105

12

1

12

16

10

160

13

1

13

23

10

230

14

18

1

18

11

10

110

15,5

1

15,5

17

10

170

17

1

17

25

10

250

15

21

1

21

11,5

10

115

18,5

1

18,5

18

10

180

21

1

21

28

10

280

16

23,5

1

23,5

12

10

120

22

1

22

19

10

190

24,5

1

24,5

30,5

10

305

17

26,1

1

26,1

12,5

10

125

25

1

25

20,5

10

205

28

1

28

34

10

340

18

28,8

1

28,8

13

10

130

28,5

1

28,5

22

10

220

10

Obliczenia : Uce =  * c = 4.1 * 1 = 4.1 [ dz * V/dz = V ]

Ic =  * c = 8 * 10 = 80 [ dz* mA/dz = mA ]

Charakterystyki

0x01 graphic

Wnioski :

Charakterystyka wyjściowa ukazuje zależność przedstawiona w części teoretycznej sprawozdania tzn. chcąc zwiększyć prąd kolektora bez zwiększania napięcia Uce , należy zwiększyć prąd bazy ( np. z 2mA do 3mA na wykresie ).

Niestety nie przystąpiliśmy do dalszych części ćwiczenia z powodu narastającej temperatury tranzystora podczas wykonywania pomiarów , która osiągnęła poziom mogący uszkodzić element , dlatego też poprzestaliśmy tylko na jednym z zagadnień .

Pracownia Elektryczna i Elektroniczna.

Badanie tranzystora bipolarnego

_____________________________________________________________________________________________

_____________________________________________________________________________________________

- 7 -

Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poznaniu

PRACOWNIA ELEKTRYCZNA I ELEKTRONICZNA

Imię i nazwisko:

Temat: Badanie tranzystora bipolarnego

Numer Ćwiczenia:

6

Rok szkolny:

2001/2002

kl.

III5

Grupa:

3

Data wykonania ćwiczenia:

13.12.2001

Data oddania ćwiczenia:

20.12.2001

Ocena:

Podpis:

Numer w dzienniku:

4



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Badanie układów kombinacyjnych, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poznaniu
Badanie generatora funkcyjnego, ZESPÓŁ SZKÓŁ ELEKTRYCZNYCH Nr 1 w POZNANIU
Badanie elementów optoelektronicznych, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poznaniu
Badanie wzmacniacza operacyjnego, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poznaniu
Badanie wzmacniacza tranzystorowego, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poznaniu
Badanie transoptora, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poznaniu
badanie liczników, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poznaniu
Badanie wzmacniaczy operacyjnych w układach filtrów aktywnych, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poz
Badanie aktywnego ukł. całkującego, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poznaniu
Badanie liczników, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poznaniu
Badanie podstawowych parametrów pracy oscyloskopu i jego skalowanie, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1
Badanie ukł. wyświetlania informacji na podstawie prostego woltomierza, Zespół Szkół Elektrycznych n
przerzutniki monostabilne, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poznaniu
Układy synchroniczne i asynchroniczne( przerzutnik typu D i zatrzask RS), Zespół Szkół Elektrycznych
Zastosowanie półsumatorów, ZESPÓŁ SZKÓŁ ELEKTRYCZNYCH Nr 1 w POZNANIU
Zastosowanie półsumatorów, ZESPÓŁ SZKÓŁ ELEKTRYCZNYCH Nr 1 w POZNANIU
Synteza układów kombinacyjnych, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poznaniu
Wykorzystanie bramek mocy, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poznaniu
Pomiar parametrów statycznych bramki NAND, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poznaniu

więcej podobnych podstron