POLITECHNIKA LUBELSKA w LUBLINIE			LABORATORIUM Ćwiczenie M-6
Nazwisko : Gładyszewski Grądzki Jończyk	Imię : Sławek Marcin Jakub	Semestr III	Grupa E.D.3.5	Rok akadem. 1997/98
Temat ćwiczenia: Materiały półprzewodnikowe.					Data wykonania 8.I.98	Ocena

Cel ćwiczenia: Wyznaczanie podstawowych własności półprzewodników- rezystancji właściwej i szerokości pasma zabronionego.

Układ pomiarowy:

gdzie:

1,2,3 - próbki wykonane z badanych półprzewodników

4 - naczynie z olejem

5 - grzałka

6 - autotransformator

T - miernik temperatury

Ω- omomierzTabela 1:

T	R1 Ge	R2 Si	R3 GaAs
°C	MΩ	kΩ	Ω
22,2	110	4,94	18,7
30	100	4,93	18,7
40	100	4,92	18,7
50	95	4,91	18,7
60	90	4,86	18,6
70	80	4,74	18,4
80	68	4,62	18,2
90	55	4,37	18
100	42	4,1	17,8
110	35	3,74	17,6

Tabela 2:

Lp.	S	l
	cm^2	cm
Ge	0,125	1,5
Si	0,05	0,024
GaAs	0,05	0,044

Tabela 3:

Lp.	T	σ1 Ge	σ2 Si	σ3 GaAs	1000/T	k^-1
	K	Ω/m	Ω/m	Ω/m	1/K	K/eV
	295,2	10,91	9,72	4,71	3,39
	303	12	9,74	4,71	3,30
	313	12	9,76	4,71	3,19
	323	12,63	9,78	4,71	3,10
	333	13,33	9,88	4,73	3,00	11594
	343	15	10,13	4,78	2,92
	353	17,65	10,39	4,84	2,83
	363	21,82	10,98	4,89	2,75
	373	28,57	11,71	4,94	2,68
	383	34,29	12,83	5	2,61

Tabela 4:

t	p	wilg.
°C	mmHg	%
23,5	752	24

Szerokość pasma:

Ge: 100,08*10^-3 eV

Si: 18,875*10^-3 eV

GaAs: 7,86*10^-3 eV

Wykres 1:

Wykres 2:

Wykres 3: