Badanie tranzystora, TRANZP~2


Temat: Badanie tranzystora bipolarnego i unipolarnego.

Porównać układy pracy tranzystora OE, OB, OC.

Rozróżnia się trzy zasadnicze układy pracy tranzystora:

- układ ze wspólnym emiterem (oznaczenie OE lub WE),

- układ ze wspólną bazą (oznaczenie OB lub WB),

- układ ze wspólnym kolektorem (oznaczenie OC lub WC).

Wybór jednego z tych układów jest zależny przede wszystkim od jego przeznaczenia i rodzaju tranzystora.

Układ OE

Ten sposób włączania tranzystorów jest najczęściej stosowany w układach elektronicznych. Układ ze wspólnym emiterem daje duże wzmocnienie zarówno prądowe, jak i napięciowe, a więc duże wzmocnienie mocy.

Napięcie wyjściowe w układzie OE jest odwrócone w fazie o kąt 180° w stosunku do napięcia wejściowego. Rezystancja wejściowa układu OE jest rzędu kilkuset omów, a wyjściowa wynosi kilkadziesiąt kiloomów. Układ ten pobiera moc w obwodzie wejściowym. Odznacza się on większym wzmocnieniem niż inne układy.

Ze względu na to, że układ ten jest najczęściej stosowany, producenci tranzystorów podają zwykle w katalogach parametry i charakterystyki dla układów ze wspólnym emiterem (OE).

Układ OB

Rezystancja wejściowa układu ze wspólną bazą jest mała, a wyjściowa - bardzo duża. Wyróżnia się pracą przy bardzo dużych częstotliwościach granicznych. I tak tranzystory pracujące w zakresach bardzo wielkich częstotliwości osiągają w układzie OB częstotliwości liczone w GHz, np. tranzystor BFR 15A (firmy Siemens) ma częstotliwość graniczną do 5 GHz.

Układ OC

Jest to jedyny układ tranzystora z dużą rezystancją wejściową. Ma to istotne znaczenie w układach elektronicznych wzmacniających przebiegi elektryczne małej częstotliwości (np. współpraca z mikrofonami o dużej rezystancji, do sterowania stopnia mocy we wzmacniaczu). Układ OC transformuje dużą rezystancję wejściową na małą rezystancję wyjściową.

Układ OC daje najmniejsze wzmocnienie mocy, nie daje wzmocnienia napięciowego, a tylko duże wzmocnienie prądowe.

Charakterystyka układów OE, OB, OC

Parametry

Układ

OE

OB

OC

Rezystancja wejściowa

średnia

50÷5000Ω

mała

30÷1500Ω

duża

0,1÷2MΩ

Rezystancja wyjściowa

duża

10÷500kΩ

bardzo duża

0,5÷2MΩ

mała

50÷500Ω

Wzmocnienie prądowe

duże

10÷1000

mniejsze od 1

duże

(jak dla OE)

Wzmocnienie napięciowe

duże

(kilkaset)

duże

(jak dla OE)

mniejsze od 1

Wzmocnienie mocy

bardzo duże

(kilka tysięcy)

duże

(kilkaset)

małe

(kilkadziesiąt)

Częstotliwość graniczna

mała

10÷500MHz

duża

mała

(jak dla OE)

Faza nap. wyj. w stosunku do nap. wej.

odwrócona

zgodna

zgodna

1



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Badanie tranzystora bipolarnego
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających v2
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających v4, Politechnika Lubelska
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających 3, Politechnika Lubelska
Badanie wzmacniacza szerokopasmowego, Ćwiczenie nr 23: -Badanie tranzystora bipolarnego -
Ćw.3 -Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających, SPR EL. 3 HJ
badanie tranzystora unipolarnego
Badanie tranzystora, Tranzy~1o, Tranzystor bipolarny NPN
Badanie tranzystorów unipolarnych typu, ˙wiczenie nr 10
Badanie tranzystora, TRANZ-~2, POLITECHNIKA RADOMSKA
EN Badanie tranzystorow
Badanie tranzystorow polowych zlaczowych JFET cw5
Badanie tranzystorow polowych MOSFET cw6
Podstaw wzm tranzyst, Ćwiczenie nr 23: -Badanie tranzystora bipolarnego -

więcej podobnych podstron