PNFET2, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów


Charakterystyki i parametry statyczne

W przypadku dużej grubości kanału-rozkład koncentracji domieszki jest równomierny.

W przypadku małej grubości kanału-rozkład koncentracji domieszki jest szpilkowy

Parametry statyczne

Up - napięcie nasycenia

IDSS-prąd nasycenia dla UGS=0

-rDS./ON/ -rezystancja dren żródło przy UGS=0

-IGSS-prąd bramki prrzy UGS=0

Model statyczny:

Praca nieliniowa dynamiczna

Reakcja PNFET-a na szybką zmianę warunków polaryzacji nie jest natychmiastowa w skutek dwuch zjawisk:

-ładowanie warstwy zaporowej złącza bramka-kanał

-skończony czas przelotu nośników przez kanał

W stanie ustalonym prąd bramki jest równy zero a prądy źródła są sobie równe.

Cgsi-poj. G-S dla ideal

Cgdi -poj.G-D dla ideal

Cgde,Cgse-poj wars zap

Praca z małymi sygnałami. (małosygnałowa)

Przy sterowaniu małym sygnałem można PNFET-a opisać model. Czwórnik. alb omodel. fizycznym.

Modele czwórnikowe - jak dla bipolarnego

Modele fizyczne:

a) dla małej częstotliwości ( Quasi-statyczne)

transkonduktancja gm konduktancja wyjśćowa gds

Dla zakresu nasycenia gds.=0

b) dla dużej częstotliwości

Schemattrzeba uzupełnićpojemnościiami międzyelektrodowymi.Są to pojemności Cgs, Cgd

A niekiedy uwzględnia się pojemność rozproszenia między drenema źródłem.

Ciss=Cgs+Cgd Ciss-poj.wejściowa

Crss=Cgd Crrs-pojemność zwrotna

Coss=Cds+Cgs pojemność wyjściowa



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
dioda laserowa, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
WARYSTOR, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
MIS, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
wpływ temp na złącze P-N, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
tranz bipolarny1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
fotorezystor, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gran, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gran, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
IZOLACJA, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
MISFET1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
wytwarzanie warst domieszkowych, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
HALLOTRONY, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Z Cze gra2, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
PNFET1, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
tranz bipolarny4, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Układy scalone warstwowe, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
Fotoogniwo, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów
fototranzystory, Model złącz m-s z uwzględnieniem z uwzględnieniem stanów

więcej podobnych podstron