Krótko - Pluto ułożył 44 pytania (zagadnienia) na egzamin (9.11,2006). Są dość ogólnie sformułowane i w rezultacie i tak trzeba się uczyć wszystkiego co jest w skryptach. Ale, żeby nie było do mnie żalu, że nie napisałem...

TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE
1 Budowa, zasada działania i własności tr unipolarnego ze złączem p-n (PNFET)
2* Praca statyczna: ch-ki i param statyczne, model stat PNFET
3 Praca dynam z małymi sygn
4 Praca dynam nieliniowa
5 schematy zastępcze dla małych, średnich i wielkich częstot

FIZYKA POWIERZCHNI PÓŁPRZEWODNIKÓW
6 Elementy fizyki powierzchni półprzew stosowanych w strukturach dyskretnych i układach scalonych
7 Wybrane zjawiska ch-czne dla powierzchni półprzew
8 Fizyka warstw granicznych izolator-półprzewodnik
9 Stany energetyczne w warstwach granicznych

TRANZYSTORY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ
10 Budowa struktury MIS. Podst zjawiska fizyczne
11* Oddziaływanie pola bramki na powierzchnię półprzewodnika; Akumulacja, Zubożenie, Inwersja, Głębokie zubożenie
12* Ch-ki C-Ug idealnej i rzeczywistej struktury MIS: w.cz., m.cz. i quasistatyczne
13* Napięcie progowe
14 Klasyf tr MIS
15 Bud, zas działania tr unipol z izolowaną bramką
16 Tr z kanałem indukowanym, wbudowanym
17* Praca stat: ch-ki i param stat, model stat tr MIS
18 Praca dynam, param małosygn, elektryczny schem zast dla m.cz., śr.cz., w.cz.
19 Praca wielkosygn
20 Strukt CCD, zasada sterowania 3-fazowego
21 Tetroda MOS, budowa, podst właściwości, ch-ki i parametry

TRANZYSTORY BIPOLARNE Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ
22 strukt tr IGBT
23 Rozpływ prądów emitera i kolektora; obszar unoszenia
24 praca stat: ch-ki przejściowe, wyjściowe, napiecie progowe, sch zast
25 Praca w ukł przełączania, param dynam
26 Porównanie właściwości IGBT oraz MOS

Przyrządy mikrofalowe aktywne (diody typu TE gunna)
27. konstrukcja, zasada działania, tworzenie się i unoszenie domen, przebieg prądu w funkcji czasu.
28. rodzaje pracy diod TE

lawinowo-przelotowe TRAPATT READA
29. przesunięcie fazowe między prądem i napięciem
30. * struktura praca wielkosygnałowa, małosygnałowa, model małosygnałowy.
31. rodzaje pracy, praca TRAPATT
32. diody lawinowo-przelotowe BARRIT

tranzystory mikrofalowe MESFET MODFET HEMT
33. struktura, zasada pracy, wpływ czynników konstrukcyjnych i technologicznych na parametry
34. szumy w strukturach mikrofalowych

elementy przełącznikowe
35. klasyfikacja
36. budowa, układ włączenia, zasada działania, ch-ki, parametry dopuszczalne, graniczne i charakterystyczne tranzystora jednopolowego (diody z podwójną bazą)
37. klasyfikacja tyrystorów
38. budowa zasada działania, ch-ki i parametry elementów jednokierunkowych (dynistora, tyrystora)
39. * model dwutranzystorowy tyrystora
40. elementy dwukierunkowe diak triak

półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne
41. budowa, zasada działania, ch-ki i parametry fotodetektorów: fotorezystora, fotodiody, fototranzystora, fototyrystora
42. budowa, zasada działania, ch-ki i parametry fotoogniw
43. budowa, zasada działania, ch-ki diod elektroluminescencyjnych
44. budowa, rodzaje i parametry transoptorów

---