Wymień podstawowe typy wzmacniaczy jako źródła sterowane i określ ich wzmocnienia.
Narysuj kształt sygnału na wyjściu jednobiegunowego układu dolnoprzepustowego i górnoprzepustowego (o pojedynczej stałej czasowej) pobudzonego impulsem prostokątnym i podaj warunek, aby zminimalizować zniekształcenia.
Scharakteryzuj właściwości idealnego wzmacniacza operacyjnego.
Podaj charakterystyczne parametry rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych.
Na czym polega zasada pozornego zwarcia?
Co to jest slew-rate i pasmo mocy oraz podaj wzór na maksymalną amplitudę sygnału bez zniekształceń.
Podaj schemat i opis wzmacniacza operacyjnego w układzie: wzmacniacza odwracającego, wzmacniacza nieodwracającego, integratora, układu różniczkującego, sumatora, konwertera ujemnoimpedancyjnego.
Podaj warunek małosygnałowości dla tranzystora JFET.
Podaj wzór na wartość prądu drenu tranzystora JFET w zakresie nasycenia.
Narysuj charakterystyki wyjściowe i przejściowe tranzystora JFET.
Podaj układy zasilania (polaryzacji) tranzystora JFET.
Jakie są różnice w charakterystykach tranzystora JFET i MOSFET z kanałem wbudowanym?
Jaka jest budowa tranzystora MOSFET z kanałem indukowanym i wbudowanym. Na czym polega różnica?
Podaj możliwe zakresy pracy tranzystora MOSFET z kanałem wbudowanym.
Podaj możliwe zakresy pracy tranzystora MOSFET z kanałem indukowanym.
Podaj warunek małosygnałowości dla tranzystora MOSFET z kanałem indukowanym.
Jakie są różnice w pracy tranzystora w zakresach omowym, rezystywnym i triodowym? oraz jakie są różnice w pracy tranzystora w zakresach nasycenia i pentodowym?
Wyprowadz wzór dla THD dla JFETa.
Jaki jest schemat układu polaryzacji tranzystora MOSFET zapewniającego pracę w zakresie nasycenia i dla jakiego typu tranzystorów może być stosowany?
Korzystając z modelu wielkosygnałowego, wyprowadź zależności na wartość transkonduktancji i rezystancji wyjściowej zastępczego modelu małosygnałowego dla tranzystora MOSFET z kanałem wbudowanym.
Korzystając z modelu wielkosygnałowego, wyprowadź zależności na wartość transkonduktancji i rezystancji wyjściowej zastępczego modelu małosygnałowego dla tranzystora MOSFET z kanałem indukowanym.
Narysuj charakterystyki wyjściowe i przejściowe tranzystora MOSFET z kanałem wbudowanym.
Podaj wzór na wartość prądu drenu tranzystora MOSFET (oba typy kanałów) w zakresie nasycenia oraz warunek pozostania tranzystora w tym zakresie.
Narysuj charakterystyki wyjściowe i przejściowe tranzystora MOSFET z kanałem indukowanym.
Podaj zastępczy model małosygnałowy tranzystora MOSFET z kanałem wbudowanym.
Podaj zastępczy model małosygnałowy tranzystora MOSFET z kanałem indukowanym.
Według jakiego kryterium wyróżniamy konfiguracje pracy tranzystora?
Narysuj model transportowy tranzystora BJT i podaj z czego on wynika.
Jakie są zakresy pracy tranzystora BJT?
Narysuj przykładowe charakterystyki wyjściowe tranzystora BJT.
Na płaszczyźnie Vbe-Vbc oznacz możliwe zakresy pracy tranzystora BJT.
Podaj zastępczy model małosygnałowy tranzystora BJT typu Pi.
Podaj zastępczy model małosygnałowy tranzystora BJT typu T.
Podaj warunek małosygnałowości dla tranzystora BJT.
Dlajakiego układu i w jakich warunkach stosuje się zasadę masy pozornej?
Do jakiego układu można uprościć parę różnicową przy pobudzeniu różnicowym?
Do jakiego układu można uprościć parę różnicową przy pobudzeniu sumacyjnym?
Podaj warunek małosygnałowości dla bipolarnej pary różnicowej.
Czy podanie sygnału różnicowego o względnie dużej wartości (tzn.) do pary różnicowej powoduje wejście tranzystorów w zakres nasycenia?
Podaj schemat i podstawowe zależności dla źródła prądowego typu lustro.
W jaki sposób można uzyskać różne wartości prądów odniesienia i wyjściowego w źródle typu lustro?
Podaj schemat i podstawowe zależności dla źródła prądowego Widlara.
Które źródło prądowe umożliwia realizację prądu znacznie (tzn. o rząd i więcej) mniejszego od prądu odniesienia?
Podaj definicję współczynnika CMRR.
W jaki sposób wpływa rezystancja źródła prądowego (przyłączonego do emiterów) na współczynnik CMRR pary różnicowej.
Co powoduje powstanie offsetu napięciowego na wejściu pary różnicowej.
Co wpływa na offset prądowy pary różnicowej na tranzystorach MOS FET.
Które elementy wzmacniaczy tranzystorowych mają istotny wpływ na ograniczenie charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza w zakresie niskich częstotliwości?
Które elementy wzmacniaczy tranzystorowych mają istotny wpływ na ograniczenie charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza w zakresie wysokich częstotliwości?
Podaj tw. Millera w kontekście przekształcenia impedancji sprzęgającej do wejściowej i wyjściowej.
Dla jakich konfiguracji pracy tranzystorów wykorzystuje się tw. Millera do wyznaczania częstotliwości granicznej układu?
Jakie konfiguracje pracy tranzystorów bipolarnych mają wysoką częstotliwość graniczną górną? Uzasadnij odpowiedź.
Porównaj układ kaskody i CE pod względem wartości parametrów.
Podaj metodę superpozycji dla szacowania pulsacji granicznej górnej.
Podaj metodę superpozycji dla szacowania pulsacji granicznej dolnej.
Podaj model zastępczy małosygnałowy tranzystora BJT dla zakresu w.cz.
Podaj model zastępczy małosygnałowy tranzystora MOS i JPET dla zakresu w.cz.
Opisz zalety i wady ujemnego sprzężenia zwrotnego.
Narysuj ogólny schemat ujemnego sprzężenia zwrotnego i scharakteryzuj typy sprzężenia.
Dla jakich typów ujemnego sprzężenia zwrotnego oporność wejściowa wzrasta a dla jakich wzrasta oporność wyjściowa.
Co należy uwzględniać przy obliczaniu zmodyfikowanej wartości wzmocnienia A' dla otwartej pętli sprzężenia zwrotnego.
Podaj kryterium Bodego stabilności układów z ujemnym sprzężeniem zwrotnym.