Laboratorium Inżynierii Materiałowej
Temat ćwiczenia: Badanie podstawowych właściwości materiałów i przyrządów półprzewodnikowych.		Numer ćwiczenia: 6	Data:
Grupa dziekańska:	Grupa ćwiczeniowa:			Wykonał:	Podpis

1. Tabela pomiarów i wyniki obliczeń.

T	T	1000/T	Rsi	RGe	RGaAs	σSi	σGe	σGaAs
°C	K	1/K	kΩ	Ω	kΩ	1/Ω*cm	1/Ω*cm	1/Ω*cm
40	313	3,194888	536,3	692,7	341,4	1,31888E-06	0,0271157	2,0718E-06
50	323	3,095975	509,8	596,6	211,6	1,38743E-06	0,0314835	3,34269E-06
60	333	3,003003	474,07	486,7	136,8	1,492E-06	0,0385927	5,17042E-06
70	343	2,915452	460	411	95,6	1,53764E-06	0,0457009	7,39868E-06
80	353	2,832861	456,5	349,9	71,796	1,54943E-06	0,0536812	9,85171E-06
90	363	2,754821	440,76	305,9	56,8	1,60476E-06	0,0614026	1,24527E-05
100	373	2,680965	439,5	266,34	47,8	1,60936E-06	0,0705229	1,47974E-05
110	383	2,610966	432	245,06	42,17	1,6373E-06	0,0766468	1,67729E-05
120	393	2,544529	433,52	229,05	38,83	1,63156E-06	0,0820042	1,82156E-05
130	403	2,48139	427,3	220,09	37,01	1,65531E-06	0,0853427	1,91114E-05
140	413	2,421308	426,9	215,2	36,4	1,65686E-06	0,0872819	1,94317E-05
150	423	2,364066	419	217	36,6	1,6881E-06	0,0865579	1,93255E-05
160	433	2,309469	425	232	37	1,66427E-06	0,0809615	1,91166E-05

Konduktywności dla danych półprzewodników obliczono według wzoru:

przy wymiarach próbek badanych podanych w tabeli:

	s [cm^2]	d [cm]
Si	0,07069	0,05
Ge	0,0756	1,42
GaAs	0,07069	0,05

2. Charakterystyki lnσ=f(1000/T) dla badanych próbek.

Dla krzemu:

lnσ₁=-13,42, lnσ₂=-13,475, 1000/T₁=3,01, 1000/T₂=3,08.

Dla germanu:

lnσ₁=-3,225, lnσ₂=-3,4, 1000/T₁=2,99, 1000/T₂=3,0625.

Dla arsenku galu:

lnσ₁=-12,2, lnσ₂=-13,095, 1000/T₁=3,01, 1000/T₂=3,19.

3. Obliczenia przerwy energetycznej półprzewodników.

gdzie k=8,62*10^-5eV/K

4.Napięcia otwarcia diod odczytane z oscylogramów zdjętych w temperaturze = 22,9°C.

Dla krzemu Uo=261mV.

Dla germanu Uo=166mV.

Dla arsenku galu Uo=776mv.