Laboratorium Inżynierii Materiałowej |
|||
|
|||
Temat ćwiczenia: Badanie podstawowych właściwości materiałów i przyrządów półprzewodnikowych. |
Numer ćwiczenia: 6 |
Data: |
|
|
|
|
|
Grupa dziekańska: |
Grupa ćwiczeniowa: |
Wykonał: |
Podpis |
|
|
|
|
1. Tabela pomiarów i wyniki obliczeń.
T |
T |
1000/T |
Rsi |
RGe |
RGaAs |
σSi |
σGe |
σGaAs |
°C |
K |
1/K |
kΩ |
Ω |
kΩ |
1/Ω*cm |
1/Ω*cm |
1/Ω*cm |
40 |
313 |
3,194888 |
536,3 |
692,7 |
341,4 |
1,31888E-06 |
0,0271157 |
2,0718E-06 |
50 |
323 |
3,095975 |
509,8 |
596,6 |
211,6 |
1,38743E-06 |
0,0314835 |
3,34269E-06 |
60 |
333 |
3,003003 |
474,07 |
486,7 |
136,8 |
1,492E-06 |
0,0385927 |
5,17042E-06 |
70 |
343 |
2,915452 |
460 |
411 |
95,6 |
1,53764E-06 |
0,0457009 |
7,39868E-06 |
80 |
353 |
2,832861 |
456,5 |
349,9 |
71,796 |
1,54943E-06 |
0,0536812 |
9,85171E-06 |
90 |
363 |
2,754821 |
440,76 |
305,9 |
56,8 |
1,60476E-06 |
0,0614026 |
1,24527E-05 |
100 |
373 |
2,680965 |
439,5 |
266,34 |
47,8 |
1,60936E-06 |
0,0705229 |
1,47974E-05 |
110 |
383 |
2,610966 |
432 |
245,06 |
42,17 |
1,6373E-06 |
0,0766468 |
1,67729E-05 |
120 |
393 |
2,544529 |
433,52 |
229,05 |
38,83 |
1,63156E-06 |
0,0820042 |
1,82156E-05 |
130 |
403 |
2,48139 |
427,3 |
220,09 |
37,01 |
1,65531E-06 |
0,0853427 |
1,91114E-05 |
140 |
413 |
2,421308 |
426,9 |
215,2 |
36,4 |
1,65686E-06 |
0,0872819 |
1,94317E-05 |
150 |
423 |
2,364066 |
419 |
217 |
36,6 |
1,6881E-06 |
0,0865579 |
1,93255E-05 |
160 |
433 |
2,309469 |
425 |
232 |
37 |
1,66427E-06 |
0,0809615 |
1,91166E-05 |
Konduktywności dla danych półprzewodników obliczono według wzoru:
przy wymiarach próbek badanych podanych w tabeli:
|
s [cm2] |
d [cm] |
Si |
0,07069 |
0,05 |
Ge |
0,0756 |
1,42 |
GaAs |
0,07069 |
0,05 |
2. Charakterystyki lnσ=f(1000/T) dla badanych próbek.
Dla krzemu:
lnσ1=-13,42, lnσ2=-13,475, 1000/T1=3,01, 1000/T2=3,08.
Dla germanu:
lnσ1=-3,225, lnσ2=-3,4, 1000/T1=2,99, 1000/T2=3,0625.
Dla arsenku galu:
lnσ1=-12,2, lnσ2=-13,095, 1000/T1=3,01, 1000/T2=3,19.
3. Obliczenia przerwy energetycznej półprzewodników.
gdzie k=8,62*10-5eV/K
4.Napięcia otwarcia diod odczytane z oscylogramów zdjętych w temperaturze = 22,9°C.
Dla krzemu Uo=261mV.
Dla germanu Uo=166mV.
Dla arsenku galu Uo=776mv.