3063, materiały PWr, LPF


INSTYTUT FIZYKI

POLITECHNIKI WROCŁAWSKIEJ

LABORATORIUM Z FIZYKI

WYKONAWCY :

SPR

GRUPA :

ROK AK.

SEMESTR :

WYKONANO :

ODDANO :

OCENA :

NR ĆWICZ.

54

TEMAT :

BADANIE ZJAWISKA REZONANSU ELEKTROMAGNETYCZNEGO

1. Cel ćwiczenia:

Celam ćwiczenia jest zapoznanie się ze zjawiskiem rezonansu szeregowego w obwodzie RLC . Wykonujący ćwiczenie powinni wykreślić krzywe rezonansu

dla różnych tłumień ,wyznaczyć częstotliwości rezonansowe i współczynniki

dobroci obwodów oraz zmierezyć nieznaną indukcję metodą rezonansową.

2. Wstęp teoretyczny

Jeżeli do obwoodu złożonego z rezystora o rezystancji R, cewki indukcyjnej o

indukcyjności L i kondensatora o pojemności C (zwanego w skrócie obwodem

RLC) dołączymy siłę elektromotoryczną sinosuidalnie zmienną w czasie

0x01 graphic

to w stanie ustalonym natężenie prądu I(t) w obwodzie wyrazi się wzorem:

0x01 graphic

Natężenie prądu zmienia się w czasie również w sposób sinosuidalny z taką

samą częstotliwością 0x01 graphic
.Amplituda Io natężenia

prądu i różnica faz zależą od wartości R,L,C oraz Eo i pulsacji według

wzoru:0x01 graphic

Przy stałych wartościach R,L i C amplituda Io osiąga wartość maksymalną

równą Eo/R wtedy ,gdy L=1/C czyli:

0x01 graphic

Występowanie maksimum amplitudy natężenia prądu dla określonej pulsacji

siły elektromotorycznej ,wymuszającej przepływ prądu w obwodzie ,nazy-

wamy rezonansem elektromagnetycznym (szeregowym).Pulsacja o przy

której występuje rezonans ,nazywa się pulsacją rezonansową , a wynikająca

stąd częstotliwość 0x01 graphic
jest częstotliwością rezonansową

Wykresem funkcji Io() lub Io(f) jest krzywa rezonansu. Im mniejsza jest

rezystancja ,tym większa jest wartość amplitudy Io i bardziej stromy przebieg krzywej rezoansu.W granicznym przypadku ,gdy R->0, maksimum Io->inf

Podczas rezonansu różnica

3. Przebieg pomiarów.

4. Opracowanie pomiarów i wyników.

Pmiarów dokonywano podgrzewając rezystory od temperatury pokojowej 20oC do temperatury 90oC, odczytując co 5oC wartości Rm i Rt. Następnie w ten sam sposób mierzono rezystancję przy spadku temperatury (przy wyłączonym grzejniku i włączonym wentylatorze oraz chłodzeniou wodnym). Wyniki odczytywane z multimetrów obarczone są błędem wynikającym z klasy ich dokładności:

0x01 graphic

dla metali Rmax = 2 k  

dla półprzewodników Rmax = 20 k  

W celu zmiany temperatury w oC na temperature wyrażoną w oK należy dokonać przekształcenia:

T = t + 273

Następnie można przystąpić do sporządzenia wykresów:

Rm=f(t) oraz ln(Rt)=f(1000/T)

A później wyznaczyć szerokość pasma zabronionego w półprzewodniku:

0x01 graphic

oraz temperaturowy współczynnik rezystancji metalu, przyjmując jako rezystancję odniesienia rezystancję w temperaturze 20oC:

0x01 graphic
.

Tabela pomiarów i obliczeń dla temperatury rosnącej

Zakres dla Rt = 20 k

Zakres dla Rm=2 k

Lp.

T

[Co]

T

[Ko]

1000/T

Rt

[k

Rt

δRt

[%]

Ln(Rt)

Rm

[

Rm

δRm

[%]

1

20

293

3,413

10,85

0,042

0,384

9,292

106

2,212

2,087

2

25

298

3,356

8,5

0,037

0,435

9,048

108

2,216

2,052

3

30

303

3,300

6,85

0,034

0,492

8,832

110

2,220

2,018

4

35

308

3,247

5,55

0,031

0,560

8,622

112

2,224

1,986

5

40

313

3,195

4,55

0,029

0,640

8,423

114

2,228

1,954

6

45

318

3,145

3,7

0,027

0,741

8,216

116

2,232

1,924

7

50

323

3,096

3,06

0,026

0,854

8,026

118

2,236

1,895

8

55

328

3,049

2,55

0,025

0,984

7,844

120

2,240

1,867

9

60

333

3,003

2,14

0,024

1,135

7,669

122

2,244

1,839

10

65

338

2,959

1,77

0,024

1,330

7,479

124

2,248

1,813

11

70

343

2,915

1,48

0,023

1,551

7,300

126

2,252

1,787

12

75

348

2,874

1,28

0,023

1,763

7,155

128

2,256

1,763

13

80

353

2,833

1,08

0,022

2,052

6,985

130

2,260

1,738

14

85

358

2,793

0,92

0,022

2,374

6,824

132

2,264

1,715

15

90

363

2,755

0,8

0,022

2,700

6,685

134

2,268

1,693

Na podstawie danych zamieszczonych w tabeli sporządzone zostały dwa poniższe wykresy zależności Rm=f(t) oraz ln(Rt)=f(1000/T)

0x01 graphic

Wykres zależności: Rm = f(t)

0x01 graphic

Wykres zależności: Ln(Rt) = f(1000/T) [1/K]

5. Obliczanie szukanych wartości.

*Obliczam temperaturowy współczynnik rezystancji metalu:

0x01 graphic

*Obliczam energię pasma wzbronionego dla półprzewodnika:

0x01 graphic

0x01 graphic

*Wartość tg( wyliczona analitycznie :

0x01 graphic

*Wartość tg( wyliczona na podstawie danych odczytanych z wykresu :0x01 graphic

6. Dyskusja błędów.

*Obliczam błąd wpółczynnika 

0x01 graphic

0x01 graphic

*Obliczam błąd energii pasma wzbronionego

0x01 graphic

*Dokładność pomiaru rezystancji multimetrem 1321:

- dla wszystkich zakresów używanych przez nas w doświadczeniu:

0x01 graphic

7. Wnioski.

Jednym z celów doświadczenia było pokazanie różnic wpływu wzrostu temperatury na oporność substancji o różnych właściwościach elektrycznych: metalu oraz półprzewodnika. Kolejne pomiary potwierdzały nasze przewidywania: oporność metalu rosła ze wzrostem temperatury a półprzewodnika malała. Odczyty z mierników w drugiej części ćwiczenia, gdy oziębialiśmy badane substancje, były mało dokładne a praktycznie nie zdążyliśmy ich zmierzyć, ponieważ temperatura spadała bardzo szybko co utrudniało dokładny odczyt. Mimo tego dało się zauważyć, że przy spadku temperatury wartość rezystancji metalu malała z prędkością podobną do tej z jaką rosła przy wzroście temperatury. Dla półprzewodnika wraz ze spadkiem temperatury rosła wartość rezystancji, również w tym przypadku prędkość wzrostu rezystancji była zbliżona do prędkości z jaką rezystancja ta malała przy wzroście temperatury. Duży wpływ na błąd pomiaru miała temperatura otoczenia, w laboratorium były otwarte okna: na dworze było -7oC, a w pomieszczeniu 22oC, co jak uważam miało duży wpływ na błąd pomiaru. Mimo tego za błąd odczytu przyjęliśmy jedną działkę termometru ponieważ przy wzroście temperatury dokładność była dużo większa. Ostatecznie można uznać, że otrzymane wyniki mieszczą się w granicach normy. Mimo, iż błąd bezwzględny energii aktywacji jest duży wynik można przyjąć, ponieważ nawet po zsumowaniu rezultatu i wartości błędu bezwzględnego, otrzymujemy wartości mniejsze od 3eV (wartość maksymalna dla półprzewodników).

7. Dodatek.

Zjawisko zmiany wartości rezystancji pod wpływem zmian temperatury, znalazło szerokie zastosowanie w technice. Często stosowane są termometry oporowe - platynowe, pozwalające mierzyć temperatury w zakresie od -200oC do +550oC. Pomiar tą metodą może być bardzo dokładny po zastosowaniu odpowiednio wysokiej klasy miernika rezystancji wyskalowanego w jednostkach temperatury.

Termistor jest to element półprzewodnikowy, którego rezystancja silnie zależy od temperatury. W ćwiczeniu wykorzystany był element typu NTC-210, którego rezystancja rośnie wykładniczo wraz ze wzrostem temperatury. Istnieją także termistory typu PTC, których rezystancja maleje ze wzrostem temperatury, a również typu CTR, o nagłym skokowym zmniejszeniu się rezystancji w wąskim przedziale temperatury. Typ NTC jest wytwarzany z tlenków manganu, tytanu, niklu, kobaltu, żelaza, glinu, miedż i litu; ich sproszkowane mieszaniny prasuje się a następnie spieka lub stapia w celu otrzymania elementów o wymaganych kształtach i rozmiarach. Termistory stosuje się przede wszystkim w termometrii jako wyokoczułe czujniki temperatury, a ponadto w układach kompensacji temperaturowej układów elektronicznych i do pomiaru mocy prądu wysokich częstotliwości.

11



Wyszukiwarka