PAŃSTWOWA WYŻSZA SZKOŁA ZAWODOWA W ELBLĄGU INSTYTUT INFORMATYKI STOSOWANEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI I MIERNICTWA |
|
Grupa dziekańska/ IIS SZ podgrupa ćwiczeniowa: 1 |
Tytuł ćwiczenia: Badanie charakterystyk tranzystora polowego |
Skład grupy: 1. Andruszkiewicz Patryk 2. Borzęcki Krzysztof 3. Lewański Oskar
|
Data wykonania 15.05.2010
/data oddania: 29.05.2010 |
|
Ocena: |
1. Schematy układów użytych w ćwiczeniu
Schemat układu do wyznaczenia charakterystyki wejściowej
Schemat układu do wyznaczenia charakterystyki przejściowej
2. Wykaz elementów i przyrządów użytych w ćwiczeniu
Tranzystor polowy BUZ 90A 600V 4A 75W
Zasilacz stabilizowany Parrot Electron DC Power Supply HY3010 (2 szt.)
Rezystor mocy 4,7Ω 10W
Amperomierz MaxCom MX-503 (zakresy pomiarowe)
1: 200 μA DC 2: 200 mA/20 A DC 3: 200 mA DC
Woltomierz MaxCom MX-503 (zakresy pomiarowe)
1: 20 V DC 2: 20 V DC
3. Tabele wyników pomiarów przeprowadzonych w trakcie ćwiczenia
1. Tabela pomiarów charakterystyki wyjściowej tranzystora polowego
Lp. |
UGS (V1) |
IG (A1) |
UDS (V2) |
ID (A2) |
IS (A3) |
|
[V] |
[mA] |
[V] |
[mA] |
[mA] |
1 |
2,8 |
0,00 |
0,5 |
37 |
37 |
2 |
|
|
1 |
44 |
44 |
3 |
|
|
2 |
50 |
50 |
4 |
|
|
4 |
58 |
58 |
5 |
|
|
8 |
65 |
65 |
6 |
3 |
0,00 |
0,5 |
66,5 |
66,5 |
7 |
|
|
1 |
78,5 |
78,5 |
8 |
|
|
2 |
88,5 |
88,5 |
9 |
|
|
4 |
98,5 |
98,5 |
10 |
|
|
8 |
107,5 |
107,5 |
11 |
3,2 |
0,00 |
0,5 |
85 |
85 |
12 |
|
|
1 |
112 |
112 |
13 |
|
|
2 |
125 |
125 |
14 |
|
|
4 |
137,5 |
138 |
15 |
|
|
8 |
151 |
151,5 |
2. Tabela pomiarów charakterystyki przejściowej tranzystora polowego
Lp. |
UGS (U1) |
IP (A2) |
UDS |
|
[V] |
[mA] |
[V] |
1 |
2,0 |
0,2 |
4 |
2 |
2,2 |
5,3 |
|
3 |
2,4 |
21 |
|
4 |
2,6 |
90 |
|
5 |
2,8 |
165 |
|
6 |
3,0 |
400 |
|
7 |
3,2 |
530 |
|
8 |
3,4 |
560 |
|
9 |
3,6 |
570 |
|
10 |
3,8 |
580 |
|
4. Wykresy charakterystyk tranzystora polowego
1. Wykres charakterystyki wyjściowej tranzystora polowego
2. Wykres charakterystyki przejściowej tranzystora polowego
5. Spostrzeżenia i wnioski wynikające z laboratorium
Działanie tranzystora polowego polega na sterowaniu przepływem prądu przez kanał za pomocą pola elektrycznego wytwarzanego przez napięcie doprowadzone do bramki. Ponieważ w tranzystorze polowym nie ma żadnych przewodzących złącz więc do bramki nie wpływa ani z niej nie wypływa żaden prąd i jest to chyba najważniejsza cecha tranzystorów polowych. Z właściwości tej wynika duża wartość rezystancji wejściowej tranzystora polowego.
W ćwiczeniu zastosowany był tranzystor polowy z izolowaną bramką z kanałem wzbogacanym typu n. Dla tranzystorów z kanałem n prąd płynący przez kanał jest tym mniejszy im mniejszy jest potencjał na bramce - można to potwierdzić obserwując przebieg wykresów. Zwiększenie napięcia prądu na wejściu do bramki powodowało zwiększenie prądu na drenie. Prąd ID ze wzrostem napięcia UDS w początkowym zakresie pomiarów daje wysokie wartości prądu, natomiast po przekroczeniu wartości 0,5 V wzrasta w przybliżeniu liniowo.
Wykres charakterystyki wyjściowej pokazuje, że pomimo uzyskania wysokich wartości wyjściowych prądu układ nie został jeszcze nasycony.
Wykres charakterystyki przejściowej przedstawia zależność prądu od jego napięcia na tranzystorze. Widoczny jest wysoki wzrost po przekroczeniu napięcia 2,2 V. Przejście krzywej przyrostu w bardziej liniową następuje po przekroczeniu wartości napięcia 3,2 V.
Wyszukiwarka