PARAMETRY WZMACNIACZY SYGNAŁÓW PRZEMIENNYCH Z TRANZYSTOREM BIPOLARNYM

Układ    Parametr	WE z CE		WE bez CE		WC		WB
		zależność	przykład*	zależność	przykład*	zależność	przykład*	zależność	przykład*
Wzmocnienie napięciowe kuo [V/V] (szacowanie ≈)		- 243 - 255		- 6,43 - 6,8		0,974 1,0		255 255
Wzmocnienie prądowe kio [A/A] (szacowanie ≈)		- 146 - 140		- 14,2 - 14,3		146 140		0,969 1,0
Rezystancja wejściowa Ri [Ω] (szacowanie ≈)		2,91 kΩ 2,8 kΩ		10,0 kΩ 10,7 kΩ		9,97 kΩ 10,7 kΩ		19,5 Ω 20 Ω
Rezystancja wyjściowa Ro [Ω] (szacowanie ≈)		4,85 kΩ 5,1 kΩ		4,85 kΩ 5,1 kΩ		27 Ω 38 Ω		5,1 kΩ 5,1 kΩ
Zastosowano uproszczenia, wynikające ze spełnienia warunków stabilizacji punktu pracy Q. * Dane do przykładu: tranzystor Si npn małej mocy β ≈ βo ≈ 200 A/A, UBEQ = 0,65 V, EC = 20V, R1 = 100 kΩ, R2 = 12 kΩ, RB = R1R2 = 10,7 kΩ, RE = 750 Ω, RC = 5,1 kΩ, Rg = 2 kΩ, RL = 20 kΩ, UBQ = 2,15 V, UEQ ≈ ICQRE = 1,50 V, ICQ = 2,00mA, IBQ = 10 μA, IR1 = 179μA, UCQ = 9,80 V, UCEQ = 8,30V.

Układy jednostopniowe, tranzystor krzemowy npn, polaryzacja bazy z dzielnika napięcia zasilającego.

Opracował dr inż. Piotr Madej

6