Dioda Soszek opierdalacz, Szkoła, Elektronika I, diody

POLITECHNIKA WARSZAWSKA

WYDZIAŁ TRANSPORTU

ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE

LABOLATORIUM ELEKTRONIKI

Badanie Diody

Imie i Nazwisko

Janusz Adamczyk

Specjalizacja

SRK

Nr ćwiczenia

Data

4.12.2008

Ocena

Rok akademicki

2008 / 2009

Semestr

Zespół nr

Godzina zajęć

13:00

Podpis

Wyniki pomiarów dla diody germanowej i krzemowej

Dioda krzemowa
I_f (int)	[mA]	0	1	5	10	30	50	80	120	150	200
I_f	[mA]	0,01	0,11	4,2	13,9	21,51	33	79,8	117,8	148,4	203,4
U_f	[V]	0,0107	0,51	0,66	0,71	0,73	0,75	0,797	0,823	0,839	0,867
R	[Ω]	107	510	146,67	52,593	24,333	14,94	9,6024	6,3308	5,6271	4,3328

Dioda germanowa
I_f(int)	[mA]	0	1	2	3	4	5	10	12,5	17,5	20	22,5	25
I_f	[mA]	0,11	0,87	2,01	3,14	3,94	4,04	10,1	13,9	17,24	21,8	22,5	25,5
U_f	[V]	0,008	0,1323	0,178	0,2013	0,2122	0,2141	0,2677	0,2827	0,2953	0,3077	0,3094	0,3168
R	[Ω]	72,727	156,9	87,065	62,739	54,061	56,683	27,03	20,324	17,343	14,28	14,102	12,6

Rezystancja R została wyliczona z zależności

R = U_f / I_f

Aby uzyskać wyniki zgodne z prawdą należało przekształcić wyniki If z [mA] na [A], a następnie skorzystać z ww. zależności. Przekształcenia przedstawiono w tabelce poniżej.

Dioda krzemowa
I_f	[mA]	0,01	0,11	4,2	13,9	21,51	33	79,8	117,8	148,4	203,4
I_f	[A]	0,00001	0,00011	0,0042	0,0139	0,02151	0,0033	0,0798	0,1178	0,1484	0,2034

Dioda germanowa
I_f	[mA]	0,11	0,87	2,01	3,14	3,94	4,04	10,1	13,9	17,24	21,8	22,5	25,5
I_f	[A]	0,00011	0,00879	0,00201	0,00314	0,00394	0,004	0,0101	0,0139	0,0172	0,0218	0,0225	0,0255

Na podstawie uzyskanych wyników sporządzono wykresy na papierze milimetrowym

Wyniki pomiarów dla diody D₃ badanej w kierunku zaporowym:

Dioda D₃
U_ZAS	[V]	0	2	2,2	2,4	2,6	2,8	3	3,2	3,4	3,6	3,8	4	4,2	4,4
U_Z	[V]	0,053	2,07	2,23	2,47	2,61	2,84	3,09	3,19	3,42	3,58	3,76	3,97	4,13	4,3
I_Z	[mA]	0	0	0	0,02	0,02	0,03	0,07	0,08	0,16	0,24	0,38	0,66	0,98	1,51
U_ZAS	[V]	4,6	4,8	5	6	7	8	10	11	13	15	18	20	25
U_Z	[V]	4,41	4,52	4,68	4,98	5,14	5,2	5,3	5,33	5,37	5,4	5,43	5,45	5,49
I_Z	[mA]	1,92	2,65	4,08	11,5	20,6	29,5	46,7	55,8	76,7	96,4	127	146	197

Dioda D₃
U_zas	[V]	0	2	2,2	2,4	2,6	2,8	3	3,2	3,4	3,6	3,8	4	4,2	4,4
U_z	[V]	0	2,07	2,23	2,47	2,61	2,84	3,09	3,19	3,42	3,58	3,76	3,97	4,13	4,3
I_z	[mA]	0	0	0	0,02	0,02	0,03	0,07	0,07	0,16	0,24	0,38	0,66	0,98	1,51
I_z	[A]	0	0	0	0,00002	0,00002	0,00003	0,00004	0,00007	0,00016	0,00024	0,00038	0,00066	0,00098	0,00151
R_st	[Ω]	0	0	0	0	130500	94666,7	77250	45571,4	21375	14916,7	9894,74	6015,15	4214,29	2847,68
R_dyn	[Ω]	0	0	0	0	0	0	25000	3333,33	2555,56	2000	1285,71	750	500	320,755
U_zas	[V]	4,6	4,8	5	6	7	8	10	11	13	15	18	20	25
U_z	[V]	4,41	4,52	4,68	4,98	5,14	5,2	5,3	5,33	5,37	5,4	5,43	5,45	5,49
I_z	[mA]	2	2,71	4,09	10,44	19,49	26,7	45,7	54,2	73,3	92,7	122	140,6	191,8
I_z	[A]	0,002	0,00271	0,00409	0,01044	0,01949	0,0267	0,0457	0,0542	0,0733	0,0927	0,122	0,1406	0,1918
R_st	[Ω]	2205	1667,9	1144,25	477,011	263,725	194,757	115,974	98,3395	73,2606	58,2524	44,5082	38,7624	28,6236
R_dyn	[Ω]	224,49	154,93	115,942	47,2441	17,6796	8,32178	5,26316	3,52941	2,09424	1,54639	1,02389	1,07527	0,78125

Wyniki pomiarów dla diody D₄ badanej w kierunku zaporowym:

Dioda D₄
U_zas	[V]	0	7	7,2	7,4	7,6	7,8	8	8,2	8,4
U_z	[V]	0,013	7,03	7,24	7,45	7,61	7,76	7,96	8	8,04
I_z	[mA]	0	0,01	0,01	0,01	0,1	0,02	0,85	1,99	3,51
U_zas	[V]	8,6	8,8	9	9,5	10	15	17	18	20
U_z	[V]	8,05	8,05	8,06	8,06	8,07	8,11	8,13	8,15	8,18
I_z	[mA]	5,61	7,19	9,7	13,68	18,6	67,3	84,5	96,8	113,4

Dioda D₄
Uzas	[V]	0	7	7,2	7,4	7,6	7,8	8	8,2	8,4
Uz	[V]	0,013	7,03	7,24	7,45	7,61	7,76	7,96	8	8,04
Iz	[mA]	0	0,01	0,01	0,01	0,1	0,02	0,85	1,99	3,51
Iz	[A]	0	0,00001	0,00001	0,00001	0,00001	0,0000	0,00085	0,00199	0,00351
Rst	[Ω]	0	0	0	0	0	0	9364,7	4020,1	2290,6
Rdyn	[Ω]	0	0	0	0	0	0	240,96	35,088	26,316
Uzas	[V]	8,6	8,8	9	9,5	10	15	17	18	20
Uz	[V]	8,05	8,05	8,06	8,06	8,07	8,11	8,13	8,15	8,18
Iz	[mA]	5,61	7,19	9,7	13,68	18,6	67,3	84,5	96,8	113,4
Iz	[A]	0,00561	0,00719	0,00970	0,01368	0,01860	0,06730	0,08450	0,09680	0,11340
Rst	[Ω]	1434,9	1119,6	830,93	589,18	433,87	120,51	96,213	84,194	72,134
Rdyn	[Ω]	4,7619	0	3,9841	0	2,0325	0,8214	1,1628	1,626	1,8072