Laboratorium przyrządów półprzewodnikowych |
|||
Temat ćwiczenia:
Charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego (prądy zerowe, napięcia przebicia).
|
Wykonujący ćwiczenie:
|
||
Nr ćwiczenia:
6
|
Data wyk. ćwicz.
|
Ocena |
Wykonujący sprawozdanie:
|
Pierwszym badanym elementem był tranzystor o oznaczeniu BC 313. Jest to krzemowy tranzystor p-n-p. W trakcie ćwiczenia zmierzyliśmy charakterystyki wejściowe oraz wyjściowe tego tranzystora w układzie OE (wspólny emiter).
Wyznaczenie charakterystyki wejściowej UBE = f(IB) przy napięciu UCE traktowanym jako parametr odbyło się za pomocą rejestratora X-Y i poniższego układu.
Odczytując potrzebne wartości z uzyskanego wykresu wyznaczamy parametr h11 :
--rezystancja wejściowa:
Na podstawie charakterystyki wejściowej wyznaczyliśmy charakterystykę zwrotną tranzystora UBE = f(UCE) dla dwóch IB równych 10 i 50 μA.
-współczynnik napięciowego oddziaływania wstecznego
Charakterystykę wyjściową IC = f(UCE), przy IB traktowanym jako parametr, wyznaczyliśmy w układzie pokazanym na poniższym rysunku, z wykorzystaniem rejestratora X-Y.
Z charakterystyki tej wyznaczyliśmy :
-konduktancja wyjściowa
;
Na podstawie charakterystyki wyjściowej tranzystora wyznaczyliśmy charakterystykę przejściową IC = f(IB) dla napięć UCE równych: 1 V i 4 V.
-współczynnik wzmocnienia prądowego
Pomiar prądów zerowych tranzystora wykonaliśmy w układach pokazanych na zamieszczonych niżej rysunkach .Był to tranzystor oznaczony symbolem ASY-34.
Dla ICEO :
Dla ICES :
Wnioski:
Uzyskane wyniki są zgodne z tym czego oczekiwaliśmy. Jak to ma miejsce w wzmacniaczach pracujących w układach OE, rezystancja wyjściowa jest duża, a rezystancja wyjściowa mniejsza. W naszym przypadku różnica pomiędzy obydwiema tymi wartościami nie jest duża. Najprawdopodobniej jest to wywołane takim, a nie innym doborem punktu pracy. Uzyskane przez nas wzmocnienie prądowe układu równe 73 zawiera się w przedziale podawanym przez producenta(40 ÷ 250). Możliwe jest także policzenie go z charakterystyki wyjściowej. Wówczas:
-współczynnik wzmocnienia prądowego
Prądy zerowe były wyznaczane dla germanowego tranzystora ASY-34, ponieważ w przypadku krzemu byłyby one nie do zmierzenia przyrządami dostępnymi w laboratorium.
Z wykresów wynika, że prąd ICEO ( prąd tranzystora przy rozwartym obwodzie wejściowym) jest większy niż prąd ICES (prąd tranzystora przy zwartym obwodzie wejściowym).
Zasilacz napięciowy
P 317
Zasilacz z narostem napięcia
ZLS-3
10Ω
X
100kΩ
Y
Zasilacz z narostem napięcia
ZLS-3
Zasilacz napięciowy
P 317
V
X
100kΩ
Y
A
+
+
1KΩ
X
Y
ZASILACZ
Z NAROSTEM
NAPIĘCIA
ZLS-3
-
-
1KΩ
X
Y
ZASILACZ
Z NAROSTEM
NAPIĘCIA
ZLS-3
-
+
-
+