Laboratorium Podstaw Elektroniki		Politechnika Lubelska w Lublinie
Imię i nazwisko:	Data:	Rok akademicki: 2009/2010	Semestr:
Temat: Badanie charakterystyk statycznych tranzystora.	Numer ćwiczenia: Ćw. Nr 1		Ocena:

1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB.

1. Charakterystyka wejściowa I_e=f(U_eb) przy U_cb=const.

Charakterystyka przejściowa I_c=f(I_e) przy U_cb=const.

Ucb=1			Ucb=3			Ucb=6			Ucb=9
Ueb	Ie	Ic	Ueb	Ie	Ic	Ueb	Ie	Ic	Ueb	Ie	Ic
V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA
0,31	80	76	0,35	75	75	0,36	80	78	0,29	80	81
0,34	65	64	0,33	70	68	0,34	70	69	0,27	70	72
0,33	56	54	0,31	60	59	0,31	60	60	0,25	60	61
0,28	40	41	0,29	50	51	0,28	50	50	0,23	50	50
0,40	30	32	0,27	40	43	0,26	40	39,5	0,21	40	41
0,31	20	22	0,24	30	34	0,21	30	31	0,19	30	29
0,24	10	11	0,21	20	23	0,18	20	22	0,17	20	20
			0,17	10	12	0,15	10	11	0,14	10	10

2. Charakterystyka wejściowa I_c=f(U_cb) przy I_e=const

Charakterystyka oddziaływania wstecznego U_eb=f(U_cb) przy I_e=const.

Ie=20 mA			Ie=40 mA			Ie=60 mA			Ie=80 mA
Ucb	Ic	Ueb	Ucb	Ic	Ueb	Ucb	Ic	Ueb	Ucb	Ic	Ueb
V	mA	V	V	mA	V	V	mA	V	V	mA	V
0	20	0,18	0	40	0,23	0	60	0,27	0	80	0,3
-1	20	0,18	-1	40	0,23	-1	60	0,265	-1	80	0,3
-2	20	0,19	-2	40	0,23	-2	60	0,27	-2	80	0,295
-3	20	0,18	-3	40	0,23	-3	60	0,27	-3	80	0,295
-4	20	0,18	-4	40	0,23	-4	60	0,265	-4	80	0,295
-5	20	0,18	-5	40	0,235	-5	60	0,27	-5	80	0,295
-6	20	0,185	-6	40	0,235	-6	60	0,265	-6	80	0,29
-7	20	0,18	-7	40	0,235	-7	60	0,26	-7	80	0,29
-8	20	0,185	-8	40	0,23	-8	60	0,25	-8	80	0,29
-9	20	0,185	-9	40	0,23	-9	60	0,25	-9	80	0,29

oporność wejściowa WB h_11b = 9,2*10^-3

współczynnik wzmocnienia prądowego WB h_21b = 0,87

admitancja wyjściowa WB h_22b =

oddziaływanie wsteczne WB h_21b =

2. Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WE

1. Wyznaczanie charakterystyk wejściowych I_b=f(U_be) U_ce=const., oraz charakterystyki przejściowej I_c=f(I_b) U_ce=const.

Uce = -1 V			Uce = -3 V			Uce = -6 V			Uce = -9 V
Ube	Ib	Ic	Ube	Ib	Ic	Ube	Ib	Ic	Ube	Ib	Ic
V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA
0,04	0	0	0,04	0	0	0,04	0	0	0,04	0	0
0,13	0,025	4	0,12	0,025	3	0,13	0,025	4	0,11	0,025	2
0,14	0,05	6	0,14	0,05	7	0,145	0,05	7	0,145	0,05	8
0,16	0,075	11	0,155	0,075	10	0,155	0,075	10	0,15	0,075	10
0,165	0,1	13	0,16	0,1	12	0,165	0,1	13	0,16	0,1	14
0,17	0,125	15	0,17	0,125	16	0,17	0,125	17	0,17	0,125	18
0,18	0,15	18	0,175	0,15	18	0,18	0,15	20	0,175	0,15	20

2. Wyznaczanie charakterystyk wyjściowych I_c=f(U_ce) I_b=const. , oraz charakterystyk oddziaływania wstecznego U_be=f(U_ce) I_b=const.

Ib= 0,05 mA			Ib= 0,075 mA			Ib= 0,1 mA			Ib= 0,15 mA
Uce	Ic	Ube	Uce	Ic	Ube	Uce	Ic	Ube	Uce	Ic	Ube
V	mA	V	V	mA	V	V	mA	V	V	mA	V
-1	5	0,135	-1	9	0,16	-1	14	0,17	-1	17	0,175
-2	5	0,14	-2	9	0,16	-2	14	0,17	-2	17	0,175
-3	3	0,145	-3	10	0,16	-3	15	0,17	-3	18	0,175
-4	7	0,145	-4	10	0,16	-4	15	0,17	-4	18	0,175
-5	7	0,145	-5	10	0,16	-5	15	0,17	-5	18	0,175
-6	7	0,145	-6	10	0,16	-6	15	0,165	-6	18	0,175
-7	7	0,145	-7	10	0,16	-7	16	0,165	-7	19	0,175
-8	7	0,145	-8	11	0,16	-8	16	0,165	-8	19	0,175
-9	7	0,15	-9	11	0,16	-9	16	0,165	-9	20	0,175

oporność wejściowa WE h_11e = 3,9

współczynnik wzmocnienia prądowego WE h_21e = 113,8

admitancja wyjściowa WE h_22e = 2

oddziaływanie wsteczne WE h_21e = 0,07

3. Wnioski

Po przeprowadzonych pomiarach stwierdzamy, iż zastosowane mierniki były za mało dokładne. Wielokrotnie wartości wskazywały, że prąd emitera jest mniejszy od prądu kolektora co nie powinno mieć miejsca. Sporządzone charakterystyki obrazują zachowanie się tranzystora w układzie WB oraz WE.

---