LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

Protokół 6

Badanie podstawowych właściwości materiałów i przyrządów półprzewodnikowych.

Skład grupy:

1. Tabela pomiarowa.

T	T	1000/T		RSi	RGe	RGaAs		σSi	σGe	σGaAs
°C	K	1/K		Ω	Ω	Ω		1/Ωcm	1/Ωcm	1/Ωcm
20	293
25	298
30	303
35	308
40	313
45	318
50	323
55	328
60	333
65	338
70	343
75	348
80	353
85	358
90	363
95	368
100	373
105	378
110	383
115	388
120	393
125	398
130	403
135	408
140	413
145	418
150	423
155	428
160	433

2. Oscylogramy diod:

Si Ge GaAs

Strona 1 z 2

Temp.

otoczenia

T= 70°C

T=120°C

T=160°C