201 01, Politechnika Poznańska, Mechatronika, Semestr 01, Fizyka - laboratoria


Nr ćwicz.

201

Data

Paweł Matuszak

wydział elektryczny

Semestr

II

E9

1

mgr

Janusz Rzeszutek

przygotowanie:

wykonanie:

ocena:

Wyznaczanie zależności przewodnictwa od temperatury

dla półprzewodników i przewodników

Prawo Ohma stwierdza, że:

0x01 graphic
, j - gęstość prądu; E - natężenie pola elektrycznego; σ - przewodnictwo

Przewodnictwo elektryczne określone jest wzorem: 0x01 graphic

n, p - koncentracje nośników; μn, μp - ruchliwość nośników.

Ponieważ koncentracja i ruchliwość zależą od temperatury i rodzaju materiału, więc przewodnictwo elektryczne także zależy od tych czynników. O zależności temperaturowej przewodnictwa w metalach decyduje tylko zmniejszanie się ruchliwości wraz ze wzrostem temperatury (koncentracja nośników - elektronów - jest bardzo duża i nie zależy od temperatury). Zależność temperaturową wyraża się poprzez opór: (R∼1/σ): 0x01 graphic
,

R0 - opór w temperaturze T0 ; α - średni współczynnik temperaturowy.

W półprzewodnikach decydujący wpływ na przewodnictwo ma koncentracja nośników. W przypadku półprzewodników samoistnych koncentracja elektronów i dziur jest taka sama i wynosi: 0x01 graphic
Eg - szerokość pasma zabronionego.

Natomiast w półprzewodnikach domieszkowych koncentracje określone są poprzez poziomy energetyczne (zależnie od typu półprzewodnika) Ed - donorowy, Ea - akceptorowy, oraz poprzez temperaturę:

0x01 graphic
.

Uwzględniając powyższe równania otrzymujemy wzór na temperaturową zależność przewodnictwa dla półprzewodników: 0x01 graphic
,

Edom jest jedną z wielkości Ed lub Ea zależnie od typu półprzewodnika.

W odpowiednio niskich temperaturach można zaniedbać w powyższym wzorze pierwszy składnik, natomiast w wysokich temperaturach (po nasyceniu poziomów domieszkowych) można zaniedbać składnik drugi. Odpowiednio dla tych dwóch przypadków wzór przyjmie postać:

0x01 graphic
.

Logarytmując jeden z powyższych wzorów otrzymamy zależność: 0x01 graphic

Zasada pomiaru

Pomiarów oporu półprzewodnika i przewodnika dokonuje się w różnych temperaturach. Badane materiały umieszczone są w ultratermostacie, a ich opory mierzy się przy pomocy mostka Wheatstone'a i liczy ze wzoru: 0x01 graphic

Błąd ΔRX liczymy ze wzoru: 0x01 graphic

0x08 graphic
Przy czym ΔR = 0,1 [Ω]

Natomiast ΔR1 i ΔR2 dobieramy z tabelki:

Pomiary:

Dla przewodnika: 0x01 graphic
ΔR1 = 0,001 [Ω] ΔR2 = 0,003 [Ω]

T [oC]

20

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70

Rukł [Ω]

1079,1

1098,9

1142,1

1154,5

1157,6

1176,3

1194,7

1212,9

1234,3

1253,0

1271,3

RX [Ω]

107,91

109,89

114,21

115,45

115,76

117,63

119,47

121,29

123,43

125,30

127,13

ΔRX [Ω]

0,14

0,14

0,15

0,15

0,15

0,15

0,16

0,16

0,16

0,16

0,17

Dla półprzewodnika: 0x01 graphic
ΔR1 = 0,03 [Ω] ΔR2 = 0,001 [Ω]

T [oC]

20

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70

Rukł [Ω]

3019,3

2428,4

1977,2

1609,0

1329,2

1102,0

911,2

753,6

636,2

531,0

454,1

RX [Ω]

301930

242840

197720

160900

132920

110200

91120

75360

63620

53100

45410

ΔRX [Ω]

403

326

244

219

183

153

129

108

93

79

69

0x08 graphic
Wykres zależności oporu od temperatury dla przewodnika

0x08 graphic
Wykres zależności oporu od temperatury dla półprzewodnika

Sporządzam dla półprzewodnika tabelę i wykres zależności 0x01 graphic
od 0x01 graphic

T [oC]

20

25

30

35

40

45

50

55

60

65

70

T [K]

293

298

303

308

313

318

323

328

333

338

343

RX [Ω]

301930

242840

197720

160900

132920

110200

91120

75360

63620

53100

45410

1/T [1/K]

0,003413

0,003356

0,003300

0,003247

0,003195

0,003145

0,003096

0,003049

0,003003

0,002959

0,002915

ln(1/RX )

-12,62

-12,4

-12,19

-11,99

-11,8

-11,61

-11,42

-11,23

-11,06

-10,88

-10,72

Współczynnik nachylenia prostej ln(1/R)=f(1/T) obliczony metodą regresji wynosi:

a = -3820 a= 1,27

Poziom domieszkowy będzie zatem równy:

0x01 graphic
[J] = 0,65842 [eV]

Błąd wyznaczenia poziomu domieszkowego: 0x01 graphic
3,5*10-23 [J] = 0,00022 [eV]

Wynik: E = 10548 ± 3,5 [J] = 0,65842 ± 0,00022 [eV]

0x08 graphic
Wykres zależności ln ( 1 / Rx) od 1 / T

Wnioski

Niedokładność pomiarów jest w głównej mierze spowodowana sposobem mierzenia temperatury, a dokładnie tym, że ultratermostat nie mierzył temperatury wody z przewodnikiem i półprzewodnikiem, lecz samej przystawki, w związku z czym temperatura rzeczywista badanej próbki różniła się od wskazań ultratermostatu. Dodatkowo trudność sprawiało utrzymanie stałego poziomu temperatury, co utrudniało odczyt.

0x01 graphic

R [Ω]

103

102

101

100

ΔR [Ω]

0,03%

0,03%

0,03%

0,1%

0x01 graphic

0x01 graphic



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
formatka, Politechnika Poznańska, Mechatronika, Semestr 03, Elektrotechnika - laboratoria
202 01, Politechnika Poznańska, Mechatronika, Semestr 01, Fizyka - laboratoria
309, Politechnika Poznańska, Mechatronika, Semestr 01, Fizyka - laboratoria
100 01, Politechnika Poznańska, Mechatronika, Semestr 01, Fizyka - laboratoria
301, Politechnika Poznańska, Mechatronika, Semestr 01, Fizyka - laboratoria
205, Politechnika Poznańska, Mechatronika, Semestr 01, Fizyka - laboratoria
103, Politechnika Poznańska, Mechatronika, Semestr 01, Fizyka - laboratoria
206, Politechnika Poznańska, Mechatronika, Semestr 01, Fizyka - laboratoria
100 02, Politechnika Poznańska, Mechatronika, Semestr 01, Fizyka - laboratoria
303, Politechnika Poznańska, Mechatronika, Semestr 01, Fizyka - laboratoria
202 01, Politechnika Poznańska, Mechatronika, Semestr 01, Fizyka - laboratoria
sprawko3 2, Politechnika Poznańska, Mechatronika, Semestr 01, Wprowadzenie do mechatroniki - laborat
materiałoznawstwo wykłady, Politechnika Poznańska, Mechatronika, Semestr 01, Materiałoznawstwo - wyk
sprawko wdmcht 1 www.przeklej.pl, Politechnika Poznańska, Mechatronika, Semestr 01, Wprowadzenie do

więcej podobnych podstron