POLITECHNIKA LUBELSKA w LUBLINIE		LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI
Nazwisko: Boratyński	Imię: Marcin	Ćwiczenie nr 1	Grupa: Id 5.1	Rok akademicki: 2002/2003
Temat: Badanie charakterystyk statycznych tranzystora		Data wykonania: 06-11-2002		Ocena:

1.Cel ćwiczenia.

Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora p-n-p w układzie WB i WE .

2.Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzieWB.

Układ do wyznaczania charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB

1. Charakterystyka wejsciowa Ie=f(Ueb) przy Ucb=const.

Charakerystyka przejsciowa Ic=F(Ie) przy Ucb=const.

UCB =1V			UCB=1.5V			UCB=2V
UEB	IE	IC	UEB	IE	IC	UEB	IE	IC
V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA
0,30	0	0	0,34	0	0	0,28	0	0
0,40	0	0	0,55	4	2	0,50	0	0
0,60	13	13	0,59	10	9	0,59	10	9
0,63	12	20	0,63	21	18	0,63	20	19
0,68	40	40	0,66	32	28	0,65	31	29
0,70	51	48	0,68	42	40	0,67	40	27
0,71	60	55	0,69	50	48	0,70	52	48
0,73	72	65	0,72	70	65	0,72	70	67
0,74	80	75	0,75	86	81	0,76	90	86
0,77	93	89	0,78	100	96	0,77	100	100

2. Charakterystyka wyjsciowa Ic=f(Ucb) przy Ie=const

Charaktterystyka oddzialywania wstecznego Ueb=f(Ucb) przy Ie=const

IE =20mA			IE=40mA			IE=60mA
UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB
V	mA	V	V	mA	V	V	mA	V
0	22	0,62	0	42,5	0,66	0	64	0,68
0,5	22	0,62	0,5	44,5	0,66	0,5	64,5	0,68
1	22	0,62	1	45,5	0,66	1	65	0,68
2	22,5	0,62	1,5	46	0,66	1,5	66	0,68
2,5	23,5	0,62	2	47	0,66	2	67	0,68
3	24	0,62	3	49,5	0,66	3	70,5	0,68
4	25	0,62	4	52	0,66	4	75	0,68
4,5	26	0,62	4,5	54	0,66	4,5	78	0,68
5	27,5	0,62	5	56	0,66	5	82	0,68

Oporność wejściowa:

h11b=ΔUeb/ΔIe=0,33V/100mA=3,3Ω

Współczynnik wzmocnienia prądowego :

h21b=ΔIc/ΔIe=97mA/100mA=0,97

Admitancja wyjściowa:

h22b=ΔIc/ΔUcb= 97mA/5V= 0,0194s

Współczynnik oddziaływania wstecznego:

h21b=ΔUeb/ΔUcb=0,33V/5V=0,088

3.Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WE

1. Charakterystyka wejsciowa Ib=f(Ube) przy Uce= const.

Charakterystyka przejsciowa Ic=f(Ib) przy Uce=const

UCE =0,5V			UCE =1V			UCE =1,5V			UCE =2V
UBE	Ib	IC	UBE	Ib	IC	UBE	Ib	IC	UBE	Ib	IC
V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA
0,4	0	0	0,40	0	0	0,40	0	0	0,40	0	0
0,5	0,01	2	0,57	0,04	5	0,54	0,02	2	0,52	0,02	1
0,6	0,1	14	0,60	0,06	8	0,60	0,10	14	0,58	0,06	7
0,66	0,26	37	0,63	0,16	22	0,65	0,24	37	0,60	0,10	18
0,67	0,32	48	0,64	0,20	29	0,68	0,36	56	0,65	0,22	33
0,70	0,44	69	0,67	0,30	47	0,70	0,48	78	0,66	0,28	42
0,71	0,52	80	0,69	0,40	64	0,72	0,54	86	0,70	0,48	74
0,74	0,64	97	0,73	0,62	97	0,79	0,62	98	0,72	0,56	92

1.2 Charakterystyka wyjsciowa Ic=F(Uce) przy Ie=const.

Charakterystyka oddzialywania wstecznego Ueb=F(Uce) przy Ie=const.

IB =0.7mA			IB=0.5mA			IB=0.3mA
UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB
V	mA	V	V	mA	V	V	mA	V
0	25	0,64	0,48	56	0,68	0,46	90	0,72
0,70	25	0,64	0,77	56,5	0,68	1	91	0,72
1	26	0,64	1	58	0,68	1,5	92	0,72
1,41	26	0,64	1,58	59	0,68	2	94	0,72
1,72	26,5	0,64	2,74	64	0,68	2,5	96	0,72
1,96	27	0,64	3,11	65	0,68	3	100	0,72
2,34	28	0,64	4,50	68	0,68	-	-	-
4,50	30	0,64	5	72	0,68	-	-	-

Impedancja wejściowa:

h11e=ΔUbc/ΔIb=0,33V/0,62mA=515,625

Współczynnik wzmocnienia prądowego:

h21e=ΔIc/ΔIb=97mA/0,62mA=156,452

Admitancja wejściowa:

h22e=ΔIc/ΔUce= 97mA/0,02V= 4,85s

Wspołczynnik oddziaływania wstecznego:

h21e=ΔUeb/ΔUce=0,33V/0,02V=16,5

4. Wnioski

Na podstawie przeprowadzonych pomiarów można porównać podstawowe parametry tranzystora pracującego w różnych układach pracy. Impedancja wejściowa jest to parametr h11 wyraźnie widać iż w układzie wspólnej bazy jest o wiele mniejsza niżeli w układzie wspólnego emitera. W układzie wspólnej bazy wzmocnienie prądowe powinno być mniejsze od jedności co na podstawie przeprowadzonych pomiarów zostało udowodnione. Admitancja wyjściowa jest również inna w obu przypadkach. Na podstawie tych wniosków widać iż tranzystor w różnych klasach ma różne zastosowanie. Powyższe wnioski mogą nie zgadzać się z rzeczywistością ponieważ podczas pomiarów mogliśmy popełnić duży błąd pomiaru.

---