PARAMETRY SZEROKOPASMOWYCH WZMACNIACZY SYGNAŁÓW PRZEMIENNYCH Z TRANZYSTOREM BIPOLARNYM

Parametry w środku pasma, układy jednostopniowe, polaryzacja bazy z dzielnika napięcia zasilającego.

Układ    Parametr	WE z CE		WE bez CE		WC		WB
		zależność	przykład*	zależność	przykład*	zależność	przykład*	zależność	przykład*
Wzmocnienie napięciowe ku0 [V/V] przybliżenie ≈		- 373 - 392		- 6,60 - 6,80		0,983 1,00		392 392
Wzmocnienie prądowe ki0 [A/A] przybliżenie ≈		- 161 - 160		- 12,9 - 14,3		162 160		0,978 1,00
Rezystancja wejściowa Ri [Ω] przybliżenie ≈		2,09 k 2,08 k		(9,96÷ 9,97) k 10,7 k		(9,98÷ 10,0) k 10,7 k		12,7 12,9
Rezystancja wyjściowa Ro [Ω] przybliżenie ≈		4,85 k 5,10 k		5,09 k 5,10 k	grube	12,7÷20,7  12,9÷25,8		5,10 k 5,10 k
Zależności do obliczania parametrów, określających ppQ i małosygnałowych. Zastosowano uproszczenia, wynikające z warunków stabilizacji pp Q. , dla tr. Si małej mocy , , , Stałość ppQ: lub oraz , ,					* Dane do przykładu: tranzystor Si npn małej mocy β ≈ β0 = 200 A/A, βmin ≈ β0min = 150 A/A UBEQ = 0,650 V, EC = 20,0V R1 = 100 kΩ, R2 = 12,0 kΩ, RB = R1||R2 = 10,7 kΩ RE = 750 Ω, RC = 5,10 kΩ, Rg = (0÷2,00) kΩ, RL = (20,0÷∞) kΩ UBQ = 2,15 V, UEQ ≈ ICQRE = 1,50 V ICQ ≈ IEQ = 2,00mA, IBQ = 10,0 μA, IDB ≡ IR1 = 179μA UCQ = 9,80 V, UCEQ = 8,30V, ϕT ≈ 26,0 mV rbe ≡ h11e = 2,60 k, reb ≡ h11b = 12,9 , rce ≡ 1/h22e = 100 k Opracowanie całości dr inż. Piotr Madej

3