Politechnika Śląska

Wydział: Mechaniczny Technologiczny

Laboratorium elektroniki i techniki mikroprocesorowej

Temat ćwiczenia: Tranzystory polowe i elementy optoelektroniczne

Data przeprowadzenia ćwiczenia: 19.03.1999

Piątek godz.12⁰⁰

Konopka Witold, Grzywna Adam

Rok akademicki: 1998/99, semestr IV

Kierunek: Automatyka i Robotyka

Grupa I

Sekcja VII

I. Pomiar charakterystyki przejściowej tranzystora polowego złączowego:

I_D = f(U _GS) U DS_. = const.

UGS [ V ]	ID/UDS=3V [ mA ]	ID/UDS=5V [ mA ]	ID/UDS=10V [ mA ]
0,5	18,7	18,7	18,7
0,1	13,2	13,2	13,2
0	12	12	12
-0,1	10,8	10,8	10,8
-0,5	6,75	6,75	6,75
-1	3,1	3,1	3,1
-2	0,00001	0,00001	0,00001
-5	0	0	0
-10	0	0	0

II .Pomiar charakterystyki wyjściowej tranzystora polowego złączowego:

I_D = f(U _DS)_. U GS_. = const_.

UDS [ V ]	ID/UGS=-3V [ mA ]	ID/UGS=-2V [ mA ]	ID/UGS=-1V [ mA ]	ID/UGS=0V [ mA ]
0	0	0	0	0
1	0	-0,00001	-3,01	-9
2	0	-0,00001	-3,01	-12
5	0	-0,00001	-3,01	-12
10	0	-0,00001	-3,01	-12

III. Pomiar charakterystyki przejściowej tranzystora MOSFET ze wzbogaconym kanałem typu p:

I_D = f(U _GS) U DS_. = const .

UGS [ V ]	ID/UDS=-5V [ mA ]	ID/UDS=-10V [ mA ]
UGSOFF=0,968	0,0101	0,0101
-1	40,4	40
-2	89,9	89,9
-5	349	359
-7	549	639
-10	849	1200

IV. Pomiar charakterystyki wyjściowej tranzystora MOSFET ze wzbogaconym kanałem typu p:

I_D = f(U _DS)U GS_. = const_.

UDS [ V ]	ID/UGS=-1V [ mA ]	ID/UGS=-2V [ mA ]	ID/UGS=-5V [ mA ]
0	0	0	0
-1	12	50	110
-2	12,1	79,9	200
-3	12,1	89,9	270
-4	12,1	89,9	320
-5	12,1	89,9	349
-6	12,1	89,9	359
-7	12,1	89,9	359
-8	12,1	89,9	359
-9	12,1	89,9	359
-10	12,1	89,9	359

V. Pomiar charakterystyki wyjściowej diody luminescencyjnej spolaryzowanej w kierunku przewodzenia

U_D = f( I _we )

Iwe [ mA ]	UD green [ mV ]	UD red [ mV ]
0,001	555	446
0,002	584	471
0,005	613	498
0,01	632	517
0,02	651	535
0,05	676	560
0,1	696	579
0,2	720	600
0,5	760	635
1	807	671
2	884	726
5	1080	861
10	1400	1070
20	2000	1460
50	3800	2610

VI. Wnioski:

1. Wyróżniamy trzy podstawowe układy pracy dla tranzystorów biopolarnych, podobnie jak dla tranzystorów unipolarnych:

- układ ze wspólnym źródłem (WS),

- układ ze wspólnym drenem (WD),

- układ ze wspólnym bramką (WB).

2. W tranzystorach unipolarnych złączowych największy prąd drenu płynie przy napięciu U_GS=0.

3. Przy napięciu bramki nazywanym U_{GS OFF,} napięciem progowym, tranzystor polowy nie przewodzi prądu (I_D ≈ 0).

4. Tranzystory unipolarne (polowe) są elementami półprzewodnikowymi, które są sterowane polem elektrycznym.

5. Dla małych wartości U_DS prąd I_D rośnie w proporcjonalnie do U_GS Zakres ten nazywamy zakresem linowym.

3

5

---