POLITECHNIKA POZNAŃSKA INSTYTUT ELEKTRONIKI I TELEKOMUNIKACJI
Laboratorium Elektroniki   Temat: Tranzystor bipolarny.
Rok akademicki: 2003/04 Wydział Elektryczny   Studia dzienne magisterskie Rok III , semestr V  Grupa : E 7	Wykonawcy:   1.Piasecki Łukasz 2.Polak Marcin 3.Pszczółkowski Jacek 4.Przybył Wojciech	Data
				Wykonania ćwiczenia	Oddania sprawozdania
				16.10.2003	23.10.2003
				Ocena:

1. Cel i zakres ćwiczenia.

Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk statycznych: wejściowych, przejściowych, wyjściowych i wzmocnienia prądowego tranzystora bipolarnego w układzie wspólnego emitera oraz określenie parametrów tego tranzystora.

2.Schemat połączeń.

3. Wyniki pomiarów i charakterystyki.

a.) charakterystyka wejściowa I_B = f( U_BE ), U_CE = const

UBE	UCE	IB
[ V ]	[ V ]	[ μA ]
0,605	4	30
0,622	4	50
0,638	4	70
0,653	4	100
0,66	4	120
0,67	4	150
0,678	4	180
0,681	4	200
0,595	5	20
0,626	5	50
0,641	5	70
0,655	5	100
0,662	5	120
0,671	5	150
0,678	5	180
0,682	5	200
0,599	6	20
0,631	6	50
0,644	6	70
0,659	6	100
0,666	6	120
0,674	6	150
0,681	6	180
0,684	6	200

b.) charakterystyka przejściowa I_C = f( I_B ), U_CE = const.

IB	IC	UCE
[μA ]	[ mA ]	[ V ]
20	0,26	4
50	0,34	4
70	0,47	4
100	0,68	4
120	0,84	4
150	1,09	4
180	1,33	4
200	1,52	4
20	0,33	5
50	0,41	5
70	0,54	5
100	0,79	5
120	0,97	5
150	1,25	5
180	1,57	5
200	1,75	5
20	0,4	6
50	0,48	6
70	0,67	6
100	1	6
120	1,23	6
150	1,66	6
180	2,04	6
200	2,34	6

3. charakterystyka wyjściowa I_C = f( U_CE ), I_B = const.

IC	IB	UCE
[ mA ]	[ A ]	[ V ]
0,26	50	3
0,3	50	3,5
0,33	50	4
0,37	50	4,5
0,41	50	5
0,45	50	5,5
0,49	50	6
0,53	50	6,5
0,58	50	7
0,59	100	3
0,65	100	3,5
0,69	100	4
0,75	100	4,5
0,81	100	5
0,89	100	5,5
1,02	100	6
1,24	100	6,5
1,93	100	7
1,01	150	3
1,06	150	3,5
1,13	150	4
1,2	150	4,5
1,31	150	5
1,45	150	5,5
1,71	150	6
2,31	150	6,5
5,6	150	7




4.Obliczenia.













5.Parametry wyznaczone za pomocą charakterografu.

I(B) = 96,6
A

U(B) = 0,72 V

U(C) = 2,38 V

I(C) = 17,72 mA


= 183

h₁₁ = 810


h₂₁ = 172

h₂₂ = 140
S

6.Wnioski.

Jednym z najważniejszych parametrów tranzystora jest małosygnałowy (dynamiczny) współczynnik wzmocnienia prądowego β. Współczynnik ten jest równy parametrowi h_21. Wartości β i można wyznaczyć z charakterystyki wejściowej lub z charakterystyki wzmocnienia prądowego.

Z wykresu zależności prądu kolektora od prądu bramki wynika, że są one wprost proporcjonalne, a współczynnikiem proporcjonalności jest współczynnik wzmocnienia prądowego. Z wykresu tego wynika również, że powyższe prądy nie są zależne od napięcia kolektor-emiter.

Natomiast wartość rezystancji wyjściowej można wyznaczyć z charakterystyki wyjściowej. Współczynnik k_f jest współczynnikiem napięciowego sprzężenia zwrotnego i przyjmuje bardzo małe wartości co oznacza, że wpływ zmian napięcia U_CE na zmiany napięcia U_BE zwykle można pominąć.

---