Sebastian Rabcewicz E7

Temat: Tranzystor bipolarny

1.1. Cel i zakres ćwiczenia

Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk statycznych: wejściowych, przejściowych, wyjściowych i wzmocnienia prądowego tranzystora bipolarnego w układzie wspólnego emitera oraz określenie parametrów tego tranzystora.

2.1. Dane badanego tranzystora

U_CEO=45V

U_CBO=45V

U_EBO=5V

I_C=0,5A

I_cpeak=1,5A

I_D=6,5W

T_j=125°C

I_CBO=max100nA / U_CB=30V / T_c=25°C

3.1.Schemat połączeń.

4.1. Wyniki pomiarów

Pomiar I
Lp.	UBE	IB	UCE	Ic
	V		V	mA
1.	0,548	3	0	0
2.	0,607	50	0	0
3.	0,625	100	0	0
4.	0,638	150	0	0
5.	0,648	200	0	0
6.	0,655	250	0	0
7.	0,66	300	0	0
8.	0,665	350	0	0
9.	0,669	400	0	0
10.	0,673	450	0	0
1.	0,63	3	5	0,3
2.	0,68	50	5	3,9
3.	0,698	100	5	8
4.	0,709	150	5	12
5.	0,717	200	5	16,6
6.	0,723	250	5	20,9
7.	0,728	300	5	24,7
8.	0,734	350	5	29,3
9.	0,735	400	5	30,3
10.	0,739	430	5	36,2

Pomiar II

Lp.	UBE	IB	UCE	Ic
	V		V	mA
1.	0,6	50	0	0
2.	0,676	50	1	3,7
3.	0,676	50	2	3,6
4.	0,674	50	3	3,9
5.	0,678	50	4	3,8
6.	0,675	50	5	3,8
7.	0,673	50	6	3,6
8.	0,674	50	7	3,8
9.	0,674	50	8	3,8
10.	0,673	50	9	3,9
1.	0,65	250	0	0
2.	0,721	250	1	20,4
3.	0,723	250	2	20,5
4.	0,72	250	3	20,6
5.	0,72	250	4	20,7
6.	0,72	250	5	20,6
7.	0,719	250	6	20,8
8.	0,717	250	7	20,9
9.	0,716	250	8	21
10.	0,715	250	9	21,2
1.	0,662	400	0	0
2.	0,734	400	1	32,8
3.	0,734	400	2	33,2
4.	0,734	400	3	33,2
5.	0,734	400	4	33,3
6.	0,733	400	5	33,6
7.	0,73	400	6	33,7
8.	0,731	400	7	33,7
9.	0,732	400	8	33,9
10.	-	-	-	-

Pomiar III

Lp.	UBE	IB	UCE	Ic
	V		V	mA
1.	0,595	0	2	0
2.	0,672	50	2	3,9
3.	0,69	100	2	7,9
4.	0,712	150	2	12,6
5.	0,713	200	2	16,4
6.	0,718	250	2	20,9
7.	0,723	300	2	24,8
8.	0,73	350	2	29,6
9.	0,734	400	2	33,5
10.	0,735	450	2	36,5
1.	0,63	3	5	0,3
2.	0,68	50	5	3,9
3.	0,698	100	5	8
4.	0,709	150	5	12
5.	0,717	200	5	16,6
6.	0,723	250	5	20,9
7.	0,728	300	5	24,7
8.	0,734	350	5	29,3
9.	0,735	400	5	30,3
10.	0,739	430	5	36,2
1.	0,6	0	9	0
2.	0,668	50	9	4
3.	0,69	100	9	8,4
4.	0,7	150	9	12,9
5.	0,71	200	9	17,4
6.	0,716	250	9	20,5
7.	0,718	300	9	25,8
8.	0,722	350	9	29,7
9.	-	-	-	-

Pomiar IV

Lp.	UBE	IB	UCE	Ic
	V		V	mA
1.	0,6	50	0	0
2.	0,676	50	1	3,7
3.	0,676	50	2	3,6
4.	0,674	50	3	3,9
5.	0,678	50	4	3,8
6.	0,675	50	5	3,8
7.	0,673	50	6	3,6
8.	0,674	50	7	3,8
9.	0,674	50	8	3,8
10.	0,673	50	9	3,9
1.	0,638	200	0	0
2.	0,688	200	0,05	7,2
3.	0,705	200	0,1	13,5
4.	0,711	200	0,2	16,8
6.	0,712	200	1	17
7.	0,712	200	2	17
8.	0,709	200	3	17,1
9.	0,711	200	4	17,1
10.	0,71	200	5	17,1
11.	0,708	200	6	17,1
12.	0,709	200	7	17,2

5.1. Charakterystyki

Charakterystyki wejściowe: I_B= f(U_BE) , U_CE=const

Charakterystyki wyjściowe: I_C= f(U_CE) , I_B=const

Charakterystyki wzmocnienia prądowego I_C=f(I_B) , U_CE=const

Charakterystyki przejściowe: I_C= f(U_BE) , U_CE=const

6.1. Obliczenia

6.3. Wnioski

Jednym z najważniejszych parametrów tranzystora jest małosygnałowy (dynamiczny) współczynnik wzmocnienia prądowego β. Współczynnik ten jest równy parametrowi h_21. Wartości β i można wyznaczyć z charakterystyki wejściowej lub z charakterystyki wzmocnienia prądowego. Natomiast wartość rezystancji wyjściowej można wyznaczyć z charakterystyki wyjściowej. Współczynnik k_f jest współczynnikiem napięciowego sprzężenia zwrotnego i przyjmuje bardzo małe wartości co oznacza, że wpływ zmian napięcia U_CE na zmiany napięcia U_BE zwykle można pominąć.

Sterowane źródło prądowe

μA

V

Sterowane

źródło napięciowe

μA

V

U_CE=2V, U_CE=5V, U_CE=9V

U_CE=2V

U_CE=5V

U_CE=9V

I_B[A]

I_C[mA]

U_CE=0V

U_CE=5V

U_BE[V]

I_B[μA]

I_C[mA]

U_BE[V]

---