POLITECHNIKA LUBELSKA
LABORATORIUM ELEKTRONIKI
ĆWICZENIE NR 2
TEMAT: BADANIE WŁAŚCIWOŚCI IMPULSOWYCH
TRANZYSTORÓW.
GRUPA DZIEKAŃSKA 4.1
WYKONALI:
Palak Mariusz
LUBLIN 7.04.1997
1. Określenie punktu pracy tranzystora w stanach granicznych
charakterystyk statycznych.
A). Schemat układu pomiarowego.
B). Wyniki pomiarów.
k |
IB |
U |
[-] |
[mA] |
[V] |
1 |
0,12 |
0,49 |
2 |
0,24 |
0,89 |
4 |
0,48 |
1,08 |
8 |
0,96 |
3,17 |
16 |
1,92 |
4,64 |
Icmax=Ec/Rc=11V/1,5kohm=7,3mA
Ibmin=0,12mA
Bn=Icmax/Ibmin=7,3mA/0,12mA=60,8
2. Praca tranzystora w układzie przełączającym.
A). Schemat układu pomiarowego.
B). Wyniki pomiarów.
k |
U |
tp |
tn |
td |
to |
[-] |
[V] |
[ms] |
[ms] |
[ms] |
[ms] |
1 |
0,5 |
0 |
0,18 |
0 |
0,11 |
2 |
1 |
0 |
0,185 |
0,01 |
0,13 |
4 |
1,7 |
0,012 |
0,0375 |
0,02 |
0,15 |
8 |
3,2 |
0,028 |
0,016 |
0,08 |
0,12 |
16 |
4,5 |
0,036 |
0,01 |
0,1 |
0,12 |
3. Badanie wpływu korekcji układu na parametry przebiegu
wyjściowego.
A). Schemat układu pomiarowego.
B). Wyniki pomiarów.
C |
k |
td |
tn |
tp |
to |
[pF] |
[-] |
[ms] |
[ms] |
[ms] |
[ms] |
100 |
1 |
0 |
0,07 |
0 |
0,036 |
100 |
2 |
0 |
0,072 |
0 |
0,06 |
100 |
4 |
0 |
0,014 |
0,004 |
0,032 |
100 |
8 |
0 |
0,004 |
0,008 |
0,016 |
100 |
16 |
0 |
0,004 |
0,01 |
0,012 |
500 |
1 |
0 |
0,05 |
0 |
0,03 |
500 |
2 |
0 |
0,025 |
0 |
0,025 |
500 |
4 |
0 |
0,012 |
0,004 |
0,014 |
500 |
8 |
0 |
0,006 |
0,008 |
0,008 |
500 |
16 |
0 |
0,004 |
0,009 |
0,008 |
4.Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym. Badanie wpływu polaryzacji zaporowej bazy.
A.Wyznaczanie wartości prądu wejściowego obwodu sterującego na granicy nasycenia tranzystorowego
I=0,1mA
Uwe=1,5V
B.Wyznaczanie wartości napięć sterujących przy których współczynnik przesterowania osiąga założone wartości.
Kf |
Iwe |
Uz |
- |
mA |
V |
1 |
0,1 |
1,5 |
2 |
0,2 |
1,83 |
4 |
0,4 |
2,55 |
8 |
0,8 |
3,87 |
16 |
1,6 |
6,57 |
C.Wyznaczanie wartości czasów przełączania
Tabela pomiarowa
k |
U |
td |
tn |
tp |
to |
- |
V |
ms |
ms |
ms |
ms |
1 |
1,5 |
0 |
0 |
0 |
0 |
2 |
1,83 |
0 |
0,04 |
0 |
0,002 |
4 |
2,55 |
0 |
0,175 |
0 |
0,008 |
8 |
3,87 |
0 |
0,03 |
0,008 |
0,018 |
16 |
6,57 |
0 |
0,012 |
0,008 |
0,018 |
5. Wnioski:
Podczas wykonywania ćwiczenia badaliśmy właściwości tranzystora w układzie kluczującym. Na ekranie oscyloskopu można było zauważyć trzy charakterystyczne parametry impulsu wyjściowego :czas narastania, czas opadania i czas opóźnienia
(czas przeciągania był niemierzalny).
Czasy te zależą od pojemności przyspieszającej i stopnia przesterowania tranzystora. Z wykresów można zauważyć,
że czasy te maleją wraz ze wzrostem tej pojemności. Pojemność
ta powoduje także ustalenie się czasu przeciągania na stałej
(prawie niemierzalnej) wartości.
Podczas badania zachowania się tranzystora pod wpływem działania polaryzacji zaporowej i porównując z zachowaniem się tranzystora bez takiej polaryzacji zauważamy zmniejszenie się wartości , większości czasów.