Tablica 5, Politechnika Łódzka Elektrotechnika, magisterskie, 1 sem, INZYNIERIA WYSOKONAPIECIOWA


0x08 graphic

0x08 graphic

0x08 graphic

0x01 graphic

0x08 graphic

0x08 graphic

Rys.18 Charakterystyka napięciowo-prądowa stosu zmiennooporowego z SiC (1);rezystancja tego stosu w funkcji prądu (2); charakterystyka idealna stosu (3).

Rys.19 Ziarnista struktura warystora: A - ziarno ZnO; B - warstwa miedzyziarnowa; C - faza z dużą ilością
Bi
2O2; D - obszar barier potencjału kontrolujących
przepływ prądu I

Rys.20 Bariery potencjału w ziarnach ZnO: a) w przypadku braku napięcia zewnętrznego;
b) po doprowadzeniu napięcia zewnętrznego U; c) napięcie zewnętrzne równe napięciu krytycznemu złącza. Oznaczenia: EC - dno pasma przewodnictwa;
EV - górna granica pasma walencyjnego; EF - poziom Fermiego;

Rys.21 Charakterystyka napięciowo-
prądowa warystora z tlenków metali
(MOV) (skła
dowa czynna prądu bez
uwzględnienia jego składowej po-
jemnościowej



Wyszukiwarka