Laboratorium Elektroniki
Politechnika Lubelska w Lublinie	Data:	Gr.:
Temat ćwiczenia: Badanie właściwości impulsowych tranzystora
	Nr ćwiczenia: 2	Ocena:

1. Wyznaczenie wartości prądu bazy na granicy nasycenia.

Układ pomiarowy:

Dla napięcia U_CE=0.5V wartość prądu bazy I_Bmin=0,17mA

Napięcie odcięcia U_{ce odcięcia}=11V

2. Wyznaczenie wartości napięć sterujących przy których współczynnik przesterowania osiąga założone wartości

Układ pomiarowy taki jak w punkcie pierwszym

KF	IB	UZ
-	mA	V
1	0,17	0,70
2	0,34	1,30
4	0,68	2,40
8	-	-
16	-	-

3. Praca tranzystora w układzie przełącznika

3.1 Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym

Układ pomiarowy:

KF	UZ	td	tn	tp	to
-	V	μs	μs	μs	μs
1	0,70	3	40	6,5	8
2	1,30	3	24	38	80
4	2,40	2	6	54	80
8	-	-	-	-	-
16	-	-	-	-	-

1. Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym. Badanie wpływu pojemności przyspieszającej na czasy przełącznika tranzystora.

Układ pomiarowy:

CB	KF	td	tn	tp	to
pF		μs	μs	μs	μs
	1	2	15	2	22
100	2	1	5	1	10
	4	0,1	4	1,2	5
	8	-	-	-	-
	16	-	-	-	-
	1	2	20	2,5	12
500	2	1	5	1	6
	4	0,2	3	1	3
	8	-	-	-	-
	16	-	-	-	-

2. Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym. Badanie wpływu polaryzacji zaporowej bazy.

1. Wyznaczenie prądu wejściowego obwodu sterującego na granicy nasycenia tranzystora.

Układ pomiarowy:

Wartość prądu wejściowego obwodu sterującego I_WEmin=0,17mA dla napięcia U_ce=0,5V

Napięcie odcięcia U_{ce odcięcia}=11V

2. Wyznaczenie wartości napięć sterujących przy których współczynnik przesterowania osiąga założone wartości.

Układ pomiarowy taki jak w punkcie 3.3.1

KF	IWE	UZ
-	mA	V
1	0,17	1,75
2	0,34	2,35
4	0,68	3,6
8	-	-
16	-	-

3. Wyznaczenie wartości czasów przełączania.

Układ pomiarowy:

K	UZ	td	tn	tp	to
-	V	μs	μs	μs	μs
1	1,75	4	80	4	20
2	2,35	1	30	4	20
4	3,6	0,8	4,6	3	20
8	-	-	-	-	-
16	-	-	-	-	-

Wnioski:

Amperomierz, który został wykorzystany podczas doświadczenia,nie pozwolił na wykonanie większej liczby pomiarów gdyż powyżej wartości 1,1A wskazówka zawieszała się na podziałce, wskutek czego pokazane charakterystyki są ograniczone tylko do kilku pomiarów.

W wyniku przeprowadzonych doświadczeń można wysunąć wnioski, iż wraz ze wzrostem współczynnika przesterowania czas opóźnienia oraz czas narastania wyraźnie maleje, natomiast czas przeciągania i czas opadania wzrasta. Zwiększając współczynnik przesterowania tranzystora zwiększamy ilość ładunków dostarczanych w obszar bazy, zmniejsza to więc czas narastania ponieważ im większy prąd tym mniej czasu potrzeba aby wprowadzić w obszar wystarczającą ilości ładunków aby doszło do nasycenia tranzystora. Wiąże się to jednak z przedłużeniem czasu przeciągania oraz opadania ponieważ aby wprowadzić tranzystor ponownie w stan odcięcia należy ładunki te odprowadzić z obszaru bazy.

Ten sam tranzystor wraz z kondensatorem przyspieszającym charakteryzował się dużo lepszą pracą - wszystkie czasy charakteryzujące odpowiedź wyraźnie się skróciły. Warto przy tym zauważyć, iż czasy opóźnienia i narastania w obu przypadkach były prawie jednakowe co znaczy, iż w bardzo małym stopniu zależą one od pojemności kondensatora.

Strona 1 z 6

---