SPRAWOZDANIE

Laboratorium Podstaw Elektroniki Politechniki Lubelskiej

Nazwisko i imię: Resztak Piotr Piszczek Krzysztof Pawlak Michał Michalczyk Łukasz	Symbol grupy ID 5.3
Temat zadania Badanie charakterystyk statycznych tranzystora	Data oddania 22.10.2007	Podpis

Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB.

1. Charakterystyka wejściowa I_e=f(U_eb); U_cb=const, charakterystyka przejściowa I_c=f(I_e); U_cb=const.

Lp.	Ucb=1 V			Ucb= 5 V			Ucb= 10 V
		Ueb	Ie	Ic	Ueb	Ie	Ic	Ueb	Ie	Ic
		V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA
1	0,01	0	0	0,12	11	15	0,15	10	10
2	0,11	5	4	0,16	21	24	0,18	20	21
3	0,15	10	10	0,17	28	30	0,24	49	50
4	0,18	20	21	0,21	41	46	0,26	60	62
5	0,21	30	30	0,24	59	62	0,27	70	76
6	0,23	35	40	0,26	71	74	0,28	79	84
7	0,25	48	50	0,28	78	82	0,29	88	92
8	0,27	60	66	0,29	89	90	0,3	90	95
9	0,3	78	80	0,3	98	100	0,32	98	99

Charakterystyka wejściowa







Charakterystyka przejściowa

3. Charakterystyka wyjściowa I_c=f(U_cb); I_e=const, charakterystyka odziaływania wstecznego U_eb=f(U_cb); I_c=const.

Lp.	Ie= 20 mA			Ie= 40 mA			Ie= 60 mA
		Ueb	Ic	Ucb	Ueb	Ic	Ucb	Ueb	Ic	Ucb
		V	mA	V	V	mA	V	V	mA	V
1	0,17	22	1	0,22	42	0	0,25	56	0
2	0,18	22	2	0,22	43	1	0,25	58	1
3	0,18	23	3	0,22	44	2	0,25	58	2
4	0,18	23	4	0,22	44	3	0,25	58	3
5	0,18	23	5	0,22	44	4	0,24	58	4
6	0,18	23	6	0,22	45	5	0,25	59	5
7	0,18	23	7	0,22	46	6	0,25	60	6
8	0,18	23	8	0,22	46	7	0,25	61	7
9	0,18	23	9	0,22	47	8	0,25	61	8
10	0,18	23	10	0,22	47	9	0,25	62	9

Charakterystyka wyjściowa




Charakterystyka oddziaływania wstecznego




2. Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WE.




1. Charakterystyka wejściowa I_b=f(U_be); U_ce=const, charakterystyka przejściowa I_c=f(I_b); U_ce=const.

Lp.	Uce= 2 V			Uce= 8 V			Uce= 3 V
		Ube	Ib	Ic	Ube	Ib	Ic	Ube	Ib	Ic
		V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA
1	0,04	0	0	0,04	0	2	0,05	0	2
2	0,12	0,1	6	0,08	0	4	0,08	0,05	4
3	0,15	0,2	14	0,09	0	4	0,1	0,05	6
4	0,17	0,3	26	0,11	0,1	8	0,12	0,1	10
5	0,19	0,4	36	0,13	0,1	12	0,14	0,15	18
6	0,2	0,5	42	0,15	0,2	20	0,16	0,3	26
7	0,22	0,7	62	0,17	0,5	32	0,19	0,5	48
8	0,23	0,9	82	0,19	0,5	56	0,2	0,7	50
9	0,24	1	92	0,21	0,8	84	0,22	1	91

Charakterystyka wejściowa




Charakterystyka przejściowa




2. Charakterystyka wyjściowa I_c=f(U_ce); I_b=const, charakterystyka oddziaływania wstecznego U_be=f(U_ce); I_b=const.

Lp.	Ib= 0,2 mA			Ib= 0,4 mA			Ib= 0,6 mA			Ib= 0,8 mA
		Uce	Ic	Ube	Uce	Ic	Ube	Uce	Ic	Ube	Uce	Ic	Ube
		V	mA	V	V	mA	V	V	mA	V	V	mA	V
1	0,006	0	0,09	0,19	31	0,17	0,05	10	0,15	0	2	0,12
2	0,5	20	0,16	1	38	0,19	1	54	0,2	1	70	0,22
3	2	20	0,16	2	38	0,19	2	55	0,2	2	72	0,21
4	4	21	0,16	3	38	0,19	3	58	0,2	3	74	0,21
5	5	21	0,16	4	39	0,19	4	58	0,2	4	76	0,21
6	6	21	0,16	5	40	0,19	5	59	0,2	5	78	0,21
7	7	22	0,16	6	40	0,19	6	61	0,2	6	80	0,21
8	8	22	0,16	7	42	0,19	7	66	0,2	7	82	0,21
9	9	22	0,16	9	44	0,19	8	68	0,2	8	84	0,21
10	10	22	0,16	10	46	0,19	9	70	0,2	9	86	0,21

Charakterystyka wyjściowa







Charakterystyka oddziaływania wstecznego

3. Wnioski.

Tranzystor w układzie WB:

1. Otrzymane charakterystyki statyczne tranzystora p-n-p w układzie WB odpowiadają swoim charakterem (kształtem) charakterystykom teoretycznym („książkowym”).

2. Charakterystyki wejściowe U_eb=f(I_e)U_cb=const. różnią się w zależności od wartości napięcia U_cb. Jeżeli rodzinę tych charakterystyk przetnie się linią stałego napięcia U_eb to większym napięciom U_cb będą odpowiadały większe wartości prądu I_e. Spowodowane jest to występowaniem tutaj zjawiska modulacji efektywnej szerokości bazy tzn. wzrost napięcia U_cb powoduje zmniejszenie efektywnej szerokości bazy i wzrost prądu emitera.

3. Charakterystyki wyjściowe I_c=f(U_cb)I_e=const. otrzymane z pomiarów są funkcjami stałymi niezależnymi od napięcia U_cb. Jednak w rzeczywistości nie są one idealnie płaskie lecz mają nieznaczne odchylenie dodatnie (tzn. ze wzrostem U_cb prąd I_c nieznacznie wzrasta ). Świadczy o tym skończona rezystancja wyjściowa (rzędu 10⁶Ω) a spowodowane jest to występowaniem zjawiska modulacji efektywnej szerokości bazy.

4. Charakterystyki przejściowe I_c=f(I_e)U_cb=const. dla różnych napięć U_cb w przybliżeniu
   pokrywają się.

5. Charakterystyki oddziaływania wstecznego U_eb=f(U_cb)I_e=const. przy dużych uproszczeniach powinny być liniami równoległymi do osi U_cb. Jednak w wyniku pewnego oddziaływania zwrotnego, u którego podstaw leży wspomniane zjawisko modulacji efektywnej szerokości bazy wzrostowi napięcia U_cb towarzyszy zmniejszenie wartości napięcia U_eb ( I_e =const ).

Tranzystor w układzie WE:

1. Otrzymane charakterystyki statyczne tranzystora p-n-p w układzie WE odpowiadają swoim charakterem (kształtem) charakterystykom teoretycznym („książkowym”).

2. Charakterystyki wejściowe U_eb=f(I_b)U_ce=const. różnią się w zależności od wartości napięcia U_ce. Jeżeli rodzinę tych charakterystyk przetnie się linią stałego napięcia U_eb to większym napięciom U_cb będą odpowiadały większe wartości prądu I_e. Spowodowane jest to występowaniem tutaj zjawiska modulacji efektywnej szerokości bazy tzn. wzrost napięcia U_cb powoduje zmniejszenie efektywnej szerokości bazy i wzrost prądu emitera.

3. Charakterystyki wyjściowe I_c=f(U_ce)I_b=const. otrzymane z pomiarów są funkcjami stałymi niezależnymi od napięcia U_cb. Jednak w rzeczywistości nie są one idealnie płaskie lecz mają nieznaczne odchylenie dodatnie (tzn. ze wzrostem U_cb prąd I_c nieznacznie wzrasta ). Świadczy o tym skończona rezystancja wyjściowa a spowodowane jest to występowaniem zjawiska modulacji efektywnej szerokości bazy.

4. Charakterystyki przejściowe I_c=f(I_b)U_ce=const. dla różnych napięć U_cb w przybliżeniu
   pokrywają się.

5. Charakterystyki oddziaływania wstecznego U_be=f(U_ce)I_b=const. przy dużych uproszczeniach powinny być liniami równoległymi do osi U_cb. Jednak w wyniku pewnego oddziaływania zwrotnego, u którego podstaw leży wspomniane zjawisko modulacji efektywnej szerokości bazy wzrostowi napięcia U_cb towarzyszy zmniejszenie wartości napięcia U_eb ( I_e =const ).

---