Laboratorium fizyki CMF PŁ
Dzień 22.11.07 godzina 1015 grupa 6
Wydział Elektrotechniczny
semestr I rok akademicki 2007/08
ocena _____
Wstęp teoretyczny:
Światło padające na półprzewodnik typu „p” powoduje „wybicie” elektronu przez co powstaje para elektron-dziura. Jeżeli energia takiego nośnika prądu będzie większa od różnicy potencjałów Vd miedzy złączem p-n nośniki prądu przemieszczą się i popłynie prąd. Dodatkowo przeniesienie elektronów do półprzewodnika n zmniejsza barierę potencjałów między złączem p-n.
Parametry ogniwa:
Złącze typu p-n o powierzchni S = 50cm2
Schemat układu pomiarowego:
Wyznaczanie sprawności ogniwa:
Wyznaczenie natężenia światła L w zależności od odległości x podanej w cm:
Korzystam ze wzoru: ln(L) = -1,717 ln(x) + 12,976
Dla x = 45cm
ln(L) = -1.717 ln(45) + 12,976
ln(L) = 6,440
L = e6,440
L = 626,4
Dla x = 60cm
L = 382,2
Dla x = 70cm
L = 293,2
Dla x = 80cm
L = 233,2
Dla x = 90cm
L = 190,6
Wyznaczenie współczynnika FF:
Maksymalne wartości Isc oraz Usc dla których pole powierzchni prostokąta wyznaczonego przez te wartości będzie największe nazywać będziemy dalej PR czyli mocą rzeczywistą ogniwa, zaś pole powierzchni prostokąta wyznaczonego przez maksymalne wartości napięcia i natężenia nazywać będziemy PI czyli mocą ogniwa idealnego.
Dla x = 45cm
Isc = 109,8 [mA] Uoc = 1,72 [V] wówczas PR = 0,188 [W]
Imax = 166,7 [mA] Umax = 2,08 [V] wówczas PI = 0,234 [W]
Dla x = 60cm
Isc = 63,4 [mA] Uoc = 1,67 [V] wówczas PR = 0,106 [W]
Imax = 68,6 [mA] Umax = 2,00 [V] wówczas PI = 0,137 [W]
Dla x = 70cm
Isc = 50,4 [mA] Uoc = 1,63 [V] wówczas PR = 0,082 [W]
Imax = 56,3 [mA] Umax = 2,00 [V] wówczas PI = 0,113 [W]
Dla x = 80cm
Isc = 41,8 [mA] Uoc = 1,61 [V] wówczas PR = 0,065 [W]
Imax = 46,9 [mA] Umax = 1,99 [V] wówczas PI = 0,093 [W]
Dla x = 90cm
Isc = 33,9 [mA] Uoc = 1,60 [V] wówczas PR = 0,054 [W]
Imax = 38,7 [mA] Umax = 1,91 [V] wówczas PI = 0,084 [W]
Badanie sprawności
ze wzoru:
dla x = 45cm
dla x = 60cm
dla x = 70cm
dla x = 80cm
dla x = 90cm
Wnioski:
Sprawność ogniwa maleje wraz ze wzrostem odległości od źródła światła.
Wykres zależności Isc=f(L)
a = 6.186
a = 0.408
b = -0.447 x 102
b = 0.277 x 102
korelacja = 0.99
Wykres zależności Uoc=f(L)
a = 3.464 x 103
a = 0.318 x 103
b = -53.570 x 102
b = 5.230 x 102
korelacja = 0.98
Wykres zależności Uoc=f(lnIsc)
a = 9.064
a = 0.754
b = -10.915
b = 1.241
korelacja = 0.98
Wnioski:
Obserwując wykresy oraz wysoką korelację, widzimy, że powyższe zjawiska mają charakter liniowy, zatem poniższe wzory również.
, oraz
,
gdzie:
Is - prąd nasycenia
k - stała Boldzmana
T - temperatura
e - ładunek elektronu
- część par nośników, które nie uległy rekombinacji, ale dotarły do złącza p-n
- wydajność kwantowa (liczba par nośników wytworzona w sek. przez jeden kwant światła)
L - natężenie światła
S - pole powierzchni baterii
Ponieważ korelacja jest wysoka, możemy odczytywać z wykresów dane z dużym prawdopodobieństwem, że będą one w niewielkim stopniu różniły się od rzeczywistych. Zatem w oparciu o te dwa wzory możemy z dużą dokładnością wyznaczyć stałą Boldzmana. Metoda ta jest zatem dobra do wyznaczenia tej stałej.
Kod ćwiczenia |
Tytuł ćwiczenia |
O2 |
Badanie charakterystyki baterii słonecznych |
Przemysław Radecki
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
imię i nazwisko
nr indeksu 145268
Przemysław Kostrzewa
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
imię i nazwisko
nr indeksu 145237
Adrian Fronk
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
imię i nazwisko
nr indeksu 145211
Złącze typu p-n
Światło L
V
A
R