POLITECHNIKA LUBELSKA W LUBLINIE			Laboratorium elektroniki
						Ćwiczenie Nr 2
Nazwisko: Kacprzak	Imię: Joanna	Grupa Edi 4.2		Semestr 4		Rok akademicki 1998/99
Temat ćwiczenia: Badanie właściwości impulsowych tranzystora.					Data wykonania 08.03.1999		Ocena

1.Wyznaczanie wartości prądu bazy na granicy nasycenia.

Po ustawieniu wartości napięcia zasilacza na napięcie U_CE równe 0.5V i odczytano wartość prądu bazy I_Bmin=1,5 mA na granicy nasycenia. Schemat przeprowadzonych pomiarów przedstawiono poniżej.

2.Wyznaczanie wartości napięć sterujących przy których współczynnik przesterowania osiąga założone wartości.

Korzystam z układu pomiarowego (powyżej) i I_Bmin=1,5 mA, uzupełniam tabelę wielokrotnościami I_Bmin i wartościami napięć Uz.

Tabela 1

KF [-]	IB [mA]	UZ[V]
1	1,5	0,5
2	3	0,4
4	6	0,34
8	12	0,27
16	24	0,03

3. Praca tranzystora w układzie przełącznika.

3.1 Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym.

Następnie reguluję amplitudę wyjściową generatora, aby uzyskać wartości współczynnika przesterowania tej tabeli.

Później dla każdej wartości współczynnika przesterowania odczytuję:

• Czas opóźnienia t_d

• Czas narastania t_n

• Czas przeciągania t_p

• Czas opadania t_o.

Tabela 2

Kf [-]	UZ [V]	t d [μs]	t n [μs]	t p [μs]	t o[μs]
1	2	40	40	240	120
2	1,4	20	20	220	140
4	1,5	40	40	230	120
8	1	30	30	200	110
16	1,1	20	20	210	120

3.2. Praca przy przesterowaniu napięciem jednobiegunowym. Badanie wpływu pojemności przyspieszającej na czasy przełączania tranzystora.

Do poprzedniego układu dołączam kondensator C_B o pojemności 100pF lub 500pF. Pomiary czasów umieszczam w tabeli 3:

CB	KF	td	tn	tp	to
[pF]	[-]	[μs]	[μs]	[μs]	[μs]
100	1	20	20	140	20
		2	100	10	120	30
		4	20	20	130	40
		8	20	20	110	40
		16	10	10	120	20
	500	1	10	10	120	20
		2	0	0	140	0
		4	10	10	120	40
		8	10	10	140	20
		16	10	10	140	20

3.3. Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym. Badanie wpływu polaryzacji zaporowej bazy.

Wyznaczanie wartości prądu wejściowego obwodu sterującego na granicy nasycenia tranzystora.

U_Ceodc=11V

E_B=5V

U_CE=1.5V

I_WE=1mA

Wyznaczam wartości napięć sterujących, a współczynnik przesterowania osiągnął założoną wartość. Korzystam z poprzedniego punktu.

KF	IWE	UZ
[-]	[mA]	[V]
1	1	12
2	2	8,6
4	2,1	7
8	3,2	7,1
16	4	5,6

3.4 Wyznaczenie wartości czasów przełączania.

K	UZ	td	tn	tp	to
[-]	[V]	[μs]	[μs]	[μs]	[μs]
1	1,6	0	0	160	100
2	1,4	20	20	150	80
4	1,8	20	20	160	60
8	2	20	20	280	65
16	0,6	0	0	260	60

4.Wnioski:

Ze wzrostem współczynnika przesterowania tranzystor jest załączany szybciej i podczas, gdy czas t_n maleje to rośnie czas t_p. Czas opóźnienia t_d nie zależy od współczynnika przesterowania, jego wartość jest dla wszystkich pomiarów powinna równać się zero.

Dzięki dodatkowej zaporowej polaryzacji bazy uzyskano polepszenie parametrów wyjściowych tranzystora. Uległy skróceniu czasy t_n, t_p, t_o.

---