Badanie układów prostownikowych, Elektonika-Elektrotechnika


1. Dioda półprzewodnikowa i złącze p-n

Podstawowym elementem elektronicznym wykorzystującym jedno złącze p-n jest dioda

półprzewodnikowa. Złącze p-n powstaje na styku warstw półprzewodnika typu p i n. Półprzewodnik typu n powstaje przez domieszkowanie półprzewodnika (najczęściej krzemu) pierwiastkiem o pięciu elektronach walencyjnych (np. fosfor, arsen, antymon). Są to tzw. domieszki donorowe. W półprzewodniku typu n zastąpienie jednego atomu krzemu przez atom domieszki powoduje, że jeden elektron domieszki po dostarczeniu niewielkiej energii staje się elektronem swobodnie poruszającym się w przestrzeni domieszkowanego kryształu. Półprzewodnik typu p powstaje przez domieszkowanie półprzewodnika pierwiastkiem o trzech elektronach walencyjnych (np. bor, aluminium, gal). Są to tzw. domieszki akceptorowe. Tego rodzaju domieszka powoduje, że wskutek braku elektronu (jedno z wiązań jest „niekompletne”) powstaje tzw. dziura. Po dostarczeniu niewielkiej energii dziura może zostać zapełniona przez dowolny elektron walencyjny sąsiedniego atomu. W ten sposób dziura może przemieszczać się w krysztale półprzewodnika. W półprzewodniku typu n istnieje nadmiar elektronów swobodnych (są one tzw. nośnikiem większościowym prądu). Analogicznie w półprzewodniku typu p nośnikiem większościowym prądu są dziury. Należy wspomnieć, że w półprzewodniku typu n istnieje pewna niewielka liczba dziur (są one w tym przypadku nośnikiem mniejszościowym). Podobnie w półprzewodniku typu p nośnikiem mniejszościowym jest niewielka liczba elektronów swobodnych. Istnienie nośników mniejszościowych wynika z przewodnictwa samoistnego półprzewodnika (tj. przewodnictwa chemicznie czystego półprzewodnika). Schemat złącza p-n przedstawiono na rys. 1. Kropkami oznaczono elektrony swobodne, a kółkami dziury (tzn. nośniki większościowe w odpowiednich obszarach półprzewodnika.

0x08 graphic

Rys. 1. Zasada działania diody półprzewodnikowej.

Ponieważ koncentracja elektronów swobodnych jest znacznie większa w obszarze n niż ich koncentracja w obszarze p, a koncentracja dziur jest znacznie większa w obszarze p niż ich koncentracja w obszarze n to w chwili powstania złącza p-n elektrony zaczynają dyfundować z obszaru n do obszaru p, a dziury z obszaru p do obszaru n. Po przejściu przez złącze ładunki większościowe ulegają rekombinacji i w ten sposób po obu stronach granicy między obszarami powstają ładunki objętościowe. W obszarze n powstaje ładunek dodatni (niedomiar elektronów), a w obszarze p ładunek ujemny (niedomiar dziur). Powstała w ten sposób na złączu różnica potencjałów hamuje ruch nośników większościowych. W stanie równowagi wypadkowe strumienie elektronów i dziur (obejmujące zarówno ruch nośników większościowych jak i mniejszościowych) są równe zeru. Jeżeli do złącza p-n przyłożone zostanie napięcie w taki sposób, że potencjał dodatni będzie występował na warstwie p, a potencjał ujemny na warstwie n to zewnętrzne pole elektryczne obniży barierę potencjałów i nastąpi ruch nośników większościowych w kierunku warstwy zaporowej. Prąd ten może przyjmować znaczne wartości przy niewielkim spadku napięcia na złączu p-n. Jest to kierunek przewodzenia złącza p-n. W przypadku przeciwnej polaryzacji napięcia zewnętrznego zwiększa się wysokość bariery potencjału i następuje odprowadzanie nośników ze strefy złącza p-n. Przez złącze popłynie wówczas niewielki prąd nośników mniejszościowych. Jest to kierunek zaporowy złącza p-n.

Charakterystykę prądowo-napięciową złącza p-n (a tym samym charakterystykę diody)

przedstawiono na rysunku 2.

0x08 graphic

Rys. 2. Charakterystyka diody półprzewodnikowej.

Diody półprzewodnikowe odznaczają się małym spodkiem napięcia w kierunku przewodzenia. Dla diod krzemowych wynosi on zwykle 0,6 - 1,4 V. Natomiast dla kierunku zaporowego w diodzie płynie niewielki prąd wsteczny (ok. kilku mikroamperów), który gwałtownie wzrasta po przekroczeniu tzw. napięcia przebicia Uz. Podstawowym rodzajem diody jest dioda prostownicza (wykorzystywana. do budowy układów prostowniczych). Inne często stosowane diody to: dioda Zenera (do budowy stabilizatorów), dioda elektroluminescencyjna (LED) lub fotodioda.

2. Prostowniki

Prostownik jest to układ umożliwiający przepływ prądu jednokierunkowego przez odbiornik w sytuacji gdy źródło wytwarza napięcie przemienne. Najprostszym prostownikiem jest prostownik jednopołówkowy (1- fazowy prosty), wykorzystujący jedną diodę prostowniczą. Schemat takiego prostownika wraz z przebiegami prądu odbiornika i napięcia źródła przedstawiono na rys. 3.

0x08 graphic
0x08 graphic
0x01 graphic

0x08 graphic

Rys. 3. Prostownik jednopołówkowy

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x01 graphic

0x08 graphic
0x01 graphic

Rys. 4. Filtracja napięcia wyjściowego w prostowniku jednopołówkowym.

Wartość chwilowa napięcia źródła wynosi:

0x01 graphic

a napięcie na rezystancji obciążenia:

0x01 graphic

up - spadek napięcia na diodzie prostownikowej

a prąd płynący w obwodzie w czasie dodatniego półokresu jest określony wzorem:

0x01 graphic

Najczęściej spadek napięcia na diodzie up jest pomijalnie mały w stosunku do napięcia źródła i wtedy:

0x01 graphic

W czasie ujemnego półokresu prąd w obwodzie jest równy 0, bo dioda nie przewodzi w kierunku zaporowym. Podczas przewodzenia prądu przez diodę, napięcie na prostowniku jest w przybliżeniu równe napięciu źródła. W związku z tym wartość średnia prądu płynacego przez rezystancję obciążenia R wynosi

0x01 graphic

0x01 graphic

U - wartość skuteczna napięcia przemiennego

Płynący w obwodzie prąd ma charakter tętniący, jest sumą składowej stałej i składowej zmiennej. Stosunek wartości skutecznej składowej zmiennej na wyjściu prostownika do wartości składowej stałej nosi nazwę współczynnika tętnień.

Dla prostownika jednopołówkowego współczynnik tętnień wynosi 1.21. Sprawnością przetwarzania prostownika jest stosunek mocy czynnej, wydzielanej w odbiorniku do mocy pozornej prądu przemiennego pobieranej ze źródła. Teoretyczna sprawność prostowania jednopołówkowego wynosi około 40%. Przy prostowaniu jednopołówkowym prąd w odbiorniku płynie tylko przez połowę okresu napięcia zasilającego. Dla wielu zastosowań może to być niekorzystne. Nadto jego wartość średnia jest niewielka w stosunku do wartości skutecznej napięcia źródła (przy danym odbiorniku). Lepsze efekty daje prostowanie dwupołówkowe, w którym prąd popłynie w całym okresie napięcia zasilającego. Schematy ideowe prostowników dwupołowkowych w układzie mostkowym wraz z przebiegiem prądu odbiornika przedstawiono na rys. 5.

0x01 graphic

0x08 graphic

Rys. 5. Schematy i przebieg prądu wyprostowanego prostownika dwupołówkowego.

W prostownikach dwupołówkowych (mostkowych) prostowane są obydwie połówki sinusoidalnego prądu przemiennego. Impulsy prądu wyprostowanego przepływają przez rezystancję obciążenia w ciągu całego okresu, a wartość średnia jest dwukrotnie wyższa niż w prostowniku jednopołówkowym

0x01 graphic

0x01 graphic

Współczynnik tętnień prostownika dwupołówkowego wynosi 0.482, a sprawność prostowania teoretycznie ok. 81%.

W wielu zastosowaniach przez odbiornik powinna płynąć tylko składowa stała.

W takich przypadkach należy zastosować filtr wygładzający. Najprostszym rodzajem filtru jest kondensator połączony równolegle z prostownikiem. Schemat ideowy prostownika dwupołówkowego z prostym filtrem wygładzającym przedstawiono na rysunku 6.

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x01 graphic
0x01 graphic

Rys. 6. Filtracja napięcia wyjściowego.

W przypadku rozwiązania przedstawionego na rysunku 6 część harmonicznych prądu płynie przez kondensator. Dzięki temu przez odbiornik płynie prąd praktycznie stały o niewielkiej jedynie zawartości harmonicznych (ich wartość zależy od doboru kondensatora C).

0x08 graphic

0x08 graphic

Rys.7. Schemat i przebiegi napięć w pełnookresowym prostowniku trójfazowym.

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

C

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

C



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Badanie układów prostownikowych1, Szkoła, penek, Przedmioty, Elektronika, Laborki
Badanie układów prostownikowych, Elektrotechnika, Elektrotechnika, elektronika
Badanie układów prostownikowych lab, AiR Politechnika Krakowska, II ELET - Elektrotechnika
BADANIE UKŁADÓW PROSTOWNIKOWYCH PRZY RÓŻNYCH OBCIĄŻENIACH
Badanie ukladow prostowniczych i powielaczy napiecia, Klasa
Badanie transformatora jednofazowego, Elektonika-Elektrotechnika
Badanie układów selektywnych 02, elektronika, stodia czyjeś
Cw 3 Badanie ukladow prostowniczych
Badanie układów prostownikowych
04 Badanie układów elektrycznych i elektronicznych
Badanie układów o promieniowym rozkładzie natężenia pola magnetycznego v2, Elektrotechnika semestr 4
Diody prostownicze, 1. TECHNIKA, Elektryka - Elektronika, Elektrotechnika, Podstawy elektotechniki i
Badanie układów kombinacyjnych, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poznaniu
Badanie układów o promieniowym rozkładzie natężenia pola magnetycznego, GRONEK9, Laboratorium Podsta
Badanie układów o promieniowym rozkładzie natężenia pola magnetycznego, GRONEK9, Laboratorium Podsta
08 Badanie układów elektronicznych
Badanie układów trójfazowych symetrycznych, UTP Bydgoszcz Elektrotechnika, II semestr

więcej podobnych podstron