POLITECHNIKA LUBELSKA w LUBLINIE |
LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI |
|||
Nazwisko: Jakubaszek Gumiela |
Imię: Dariusz Wanda |
Ćwiczenie nr 4
|
Grupa: Edi 4.2 |
Rok akademicki: 1998/99 |
Temat: Badanie charakterystyk statycznych tranzystora |
Data wykonania: 1999.03.26 |
Ocena: |
||
Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora p-n-p w układzie WB i WE . Następnie z otrzymanych charakterystyk mieszanych parametrów przyrostowych .
Układ do wyznaczania charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB
UCB =2V |
UCB=4V |
UCB=6V |
UCB=8V |
||||||||
|
IE |
IC |
|
IE |
IC |
|
IE |
IC |
|
IE |
IC |
V |
mA |
mA |
V |
mA |
mA |
V |
mA |
mA |
V |
mA |
mA |
0,63 |
90 |
90 |
0,63 |
100 |
100 |
0,60 |
100 |
100 |
0,60 |
100 |
100 |
0,62 |
80 |
85 |
0,62 |
90 |
90 |
0,58 |
80 |
80 |
0,59 |
90 |
90 |
0,61 |
70 |
70 |
0,60 |
70 |
70 |
0,57 |
70 |
70 |
0,57 |
80 |
80 |
0,60 |
55 |
55 |
0,59 |
55 |
55 |
0,56 |
55 |
55 |
0,55 |
70 |
70 |
0,59 |
45 |
45 |
0,58 |
40 |
40 |
0,55 |
40 |
40 |
0,54 |
50 |
50 |
0,57 |
30 |
30 |
0,56 |
25 |
25 |
0,54 |
30 |
30 |
0,53 |
40 |
40 |
0,56 |
20 |
20 |
0,53 |
10 |
10 |
0,53 |
20 |
20 |
0,52 |
25 |
25 |
0,54 |
10 |
10 |
|
|
|
0,52 |
10 |
10 |
0,50 |
10 |
10 |
IE =70mA |
IE=50mA |
IE=90mA |
||||||
|
IC |
UEB |
|
IC |
UEB |
|
IC |
UEB |
V |
mA |
V |
V |
mA |
V |
V |
mA |
V |
5 |
70 |
0,58 |
5 |
50 |
0,59 |
5 |
90 |
0,61 |
4,5 |
70 |
0,58 |
4,5 |
50 |
0,59 |
4,5 |
90 |
0,61 |
4 |
70 |
0,58 |
3,5 |
50 |
0,59 |
4 |
90 |
0,61 |
3,5 |
70 |
0,59 |
2,5 |
50 |
0,59 |
3 |
90 |
0,61 |
3 |
70 |
0,59 |
1,5 |
50 |
0,59 |
2,5 |
90 |
0,61 |
2,5 |
70 |
0,6 |
1 |
50 |
0,6 |
1,5 |
90 |
0,61 |
2 |
70 |
0,61 |
0,5 |
50 |
0,61 |
1 |
90 |
0,62 |
1 |
70 |
0,62 |
|
|
|
0,5 |
90 |
0,63 |
0,5 |
70 |
0,63 |
|
|
|
|
|
|
h11b=ΔUcb/ΔIe=
h21b=ΔIc/ΔIe=
h12b=ΔUeb/ΔUbc=
h22b=ΔIc/ΔUcb=
3.Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WE
Schemat tranzystora pracującego w układzie wspólnego emitera
UCe =2V |
UCe =4V |
UCe =6V |
UCe =8V |
||||||||
UCB |
Ib |
IC |
UCB |
Ib |
IC |
UCB |
Ib |
IC |
UCB |
Ib |
IC |
V |
mA |
mA |
V |
mA |
MA |
V |
mA |
mA |
V |
mA |
mA |
0,69 |
0,7 |
90 |
0,68 |
0,7 |
90 |
0,64 |
0,66 |
90 |
0,62 |
0,6 |
90 |
0,66 |
0,6 |
80 |
0,66 |
0,6 |
80 |
0,63 |
0,6 |
80 |
0,6 |
0,5 |
70 |
0,65 |
0,5 |
60 |
0,63 |
0,5 |
60 |
0,6 |
0,5 |
65 |
0,57 |
0,4 |
50 |
0,63 |
0,4 |
45 |
0,61 |
0,4 |
45 |
0,59 |
0,4 |
45 |
0,55 |
0,3 |
35 |
0,6 |
0,3 |
30 |
0,59 |
0,3 |
30 |
0,56 |
0,3 |
30 |
0,53 |
0,2 |
20 |
0,57 |
0,2 |
15 |
0,56 |
0,2 |
15 |
0,54 |
0,2 |
20 |
0,49 |
0,1 |
5 |
0,54 |
0,1 |
5 |
0,52 |
0,1 |
5 |
0,5 |
0,1 |
5 |
|
|
|
IE =0.7mA |
IE=0.5mA |
IE=0.3mA |
||||||
|
IC |
UEB |
|
IC |
UEB |
|
IC |
UEB |
V |
mA |
V |
V |
mA |
V |
V |
MA |
V |
5 |
95 |
0,65 |
5 |
65 |
0,63 |
5 |
30 |
0,61 |
4 |
95 |
0,65 |
4 |
65 |
0,63 |
4 |
30 |
0,61 |
3 |
90 |
0,65 |
3,5 |
65 |
0,63 |
3 |
30 |
0,61 |
2,5 |
90 |
0,65 |
2,5 |
60 |
0,63 |
2 |
30 |
0,6 |
2 |
80 |
0,66 |
2 |
57 |
0,63 |
1,5 |
30 |
0,6 |
1,5 |
80 |
0,66 |
1,5 |
55 |
0,64 |
1 |
30 |
0,6 |
1 |
80 |
0,67 |
1 |
55 |
0,65 |
0,5 |
28 |
0,6 |
0,5 |
80 |
0,68 |
0,5 |
50 |
0,65 |
|
|
|
h11e=ΔUbc/ΔIb=
h21e=ΔIc/ΔIb=
h12e=ΔUbe/ΔUce=
h22e=ΔIc/ΔUce=
4. Wnioski
Na podstawie przeprowadzonych pomiarów można porównać podstawowe parametry tranzystora pracującego w różnych układach pracy. Impedancja wejściowa jest to parametr h11 wyraźnie widać iż w układzie wspólnej bazy jest o wiele mniejsza niżeli w układzie wspólnego emitera. W układzie wspólnej bazy wzmocnienie prądowe powinno być mniejsze od jedności co na podstawie przeprowadzonych pomiarów zostało udowodnione. W obu wypadkach wzmocnienie napięciowe jest większe od jedności. Admitancja wyjściowa jest również inna w obu przypadkach. W układzie OB. Jest znacznie większa niż w układzie OC. Na podstawie tych wniosków widać iż tranzystor w różnych klasach ma różne zastosowanie. Powyższe wnioski mogą nie zgadzać się z rzeczywistości ponieważ podczas pomiarów mogliśmy popełnić duży błąd pomiaru.
