POLITECHNIKA LUBELSKA w LUBLINIE		LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI
Nazwisko: Jakubaszek Gumiela	Imię: Dariusz Wanda	Ćwiczenie nr 4	Grupa: Edi 4.2	Rok akademicki: 1998/99
Temat: Badanie charakterystyk statycznych tranzystora		Data wykonania: 1999.03.26		Ocena:

Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora p-n-p w układzie WB i WE . Następnie z otrzymanych charakterystyk mieszanych parametrów przyrostowych .

Układ do wyznaczania charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB

UCB =2V			UCB=4V			UCB=6V			UCB=8V
UEB	IE	IC	UEB	IE	IC	UEB	IE	IC	UEB	IE	IC
V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA	V	mA	mA
0,63	90	90	0,63	100	100	0,60	100	100	0,60	100	100
0,62	80	85	0,62	90	90	0,58	80	80	0,59	90	90
0,61	70	70	0,60	70	70	0,57	70	70	0,57	80	80
0,60	55	55	0,59	55	55	0,56	55	55	0,55	70	70
0,59	45	45	0,58	40	40	0,55	40	40	0,54	50	50
0,57	30	30	0,56	25	25	0,54	30	30	0,53	40	40
0,56	20	20	0,53	10	10	0,53	20	20	0,52	25	25
0,54	10	10				0,52	10	10	0,50	10	10

IE =70mA			IE=50mA			IE=90mA
UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB
V	mA	V	V	mA	V	V	mA	V
5	70	0,58	5	50	0,59	5	90	0,61
4,5	70	0,58	4,5	50	0,59	4,5	90	0,61
4	70	0,58	3,5	50	0,59	4	90	0,61
3,5	70	0,59	2,5	50	0,59	3	90	0,61
3	70	0,59	1,5	50	0,59	2,5	90	0,61
2,5	70	0,6	1	50	0,6	1,5	90	0,61
2	70	0,61	0,5	50	0,61	1	90	0,62
1	70	0,62				0,5	90	0,63
0,5	70	0,63

h11b=ΔUcb/ΔIe=

h21b=ΔIc/ΔIe=

h12b=ΔUeb/ΔUbc=

h22b=ΔIc/ΔUcb=

3.Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WE

Schemat tranzystora pracującego w układzie wspólnego emitera

UCe =2V			UCe =4V			UCe =6V			UCe =8V
UCB	Ib	IC	UCB	Ib	IC	UCB	Ib	IC	UCB	Ib	IC
V	mA	mA	V	mA	MA	V	mA	mA	V	mA	mA
0,69	0,7	90	0,68	0,7	90	0,64	0,66	90	0,62	0,6	90
0,66	0,6	80	0,66	0,6	80	0,63	0,6	80	0,6	0,5	70
0,65	0,5	60	0,63	0,5	60	0,6	0,5	65	0,57	0,4	50
0,63	0,4	45	0,61	0,4	45	0,59	0,4	45	0,55	0,3	35
0,6	0,3	30	0,59	0,3	30	0,56	0,3	30	0,53	0,2	20
0,57	0,2	15	0,56	0,2	15	0,54	0,2	20	0,49	0,1	5
0,54	0,1	5	0,52	0,1	5	0,5	0,1	5

IE =0.7mA			IE=0.5mA			IE=0.3mA
UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB	UCB	IC	UEB
V	mA	V	V	mA	V	V	MA	V
5	95	0,65	5	65	0,63	5	30	0,61
4	95	0,65	4	65	0,63	4	30	0,61
3	90	0,65	3,5	65	0,63	3	30	0,61
2,5	90	0,65	2,5	60	0,63	2	30	0,6
2	80	0,66	2	57	0,63	1,5	30	0,6
1,5	80	0,66	1,5	55	0,64	1	30	0,6
1	80	0,67	1	55	0,65	0,5	28	0,6
0,5	80	0,68	0,5	50	0,65

h11e=ΔUbc/ΔIb=

h21e=ΔIc/ΔIb=

h12e=ΔUbe/ΔUce=

h22e=ΔIc/ΔUce=

4. Wnioski

Na podstawie przeprowadzonych pomiarów można porównać podstawowe parametry tranzystora pracującego w różnych układach pracy. Impedancja wejściowa jest to parametr h11 wyraźnie widać iż w układzie wspólnej bazy jest o wiele mniejsza niżeli w układzie wspólnego emitera. W układzie wspólnej bazy wzmocnienie prądowe powinno być mniejsze od jedności co na podstawie przeprowadzonych pomiarów zostało udowodnione. W obu wypadkach wzmocnienie napięciowe jest większe od jedności. Admitancja wyjściowa jest również inna w obu przypadkach. W układzie OB. Jest znacznie większa niż w układzie OC. Na podstawie tych wniosków widać iż tranzystor w różnych klasach ma różne zastosowanie. Powyższe wnioski mogą nie zgadzać się z rzeczywistości ponieważ podczas pomiarów mogliśmy popełnić duży błąd pomiaru.

---