Nr ćwiczenia 201 |
Data wykonania ćwiczenia 20.10.2004 |
Kierunek studiów Mechanika i Budowa Maszyn |
Grupa M4 |
Wykonała Grzegorz Rzepka |
Data oddania sprawozdania 03.11.2004 |
Semestr III |
Ocena |
Prowadzący Dr Izabela Hanyż |
Temat ćwiczenia Wyznaczanie zależności przewodnictwa od temperatury dla przewodników i półprzewodników |
Wstęp teoretyczny
Prawo Ohma stwierdza , że :
,
gdzie j - gęstość prądu ,
E - natężenie pola elektrycznego ,
σ - przewodnictwo elektryczne .
Przewodnictwo elektryczne określone jest wzorem :
n , p - koncentracje nośników ,
μn , μp - ruchliwość nośników .
Ponieważ koncentracja i ruchliwość zależą od temperatury i rodzaju materiału , więc przewodnictwo elektryczne także zależy od tych czynników .
O zależności temperaturowej przewodnictwa w metalach decyduje tylko zmniejszanie się ruchliwości wraz ze wzrostem temperatury ( koncentracja nośników - elektronów - jest bardzo duża i nie zależy od temperatury ) . Zależność temperaturową wyraża się poprzez opór (R∼1/σ ) :
,
R0 - opór w temperaturze T0 ,
α - średni współczynnik temperaturowy .
W półprzewodnikach decydujący wpływ na przewodnictwo ma koncentracja nośników. W przypadku półprzewodników samoistnych koncentracja elektronów i dziur jest taka sama i wynosi :
,
Eg - szerokość pasma zabronionego .
Natomiast w półprzewodnikach domieszkowych koncentracje określone są poprzez poziomy energetyczne (zależnie od typu półprzewodnika ) Ed - donorowy , Ea - akceptorowy , oraz poprzez temperaturę :
.
Uwzględniając powyższe równania otrzymujemy wzór na temperaturową zależność przewodnictwa dla półprzewodników :
,
Edom jest jedną z wielkości Ed lub Ea zależnie od typu półprzewodnika .
W odpowiednio niskich temperaturach można zaniedbać w powyższym wzorze pierwszy składnik , natomiast w wysokich temperaturach ( po nasyceniu poziomów domieszkowych ) można zaniedbać składnik drugi . Odpowiednio dla tych dwóch przypadków wzór przyjmie postać :
.
Logarytmując jeden z powyższych wzorów otrzymamy zależność :
`
Z wykresu tej zależności wygodnie jest odczytać zależność przewodnictwa od temperatury :
Cel ćwiczenia
Celem ćwiczenia jest dokonanie pomiarów rezystancji przewodnika i półprzewodnika zanurzonych w wodzie którą stopniowo podgrzewano. Dzięki uzyskanym wynikom można wyznaczyć zależność przewodnictwa od temperatury. Opory mierzymy za pomocą mostka Wheatstone'a. Przybliżone wartości oporów wynoszą:
Rprz=100ohm
Rpół=230k ohm
Wyniki pomiarów
L.p. |
Temperatura T[K] |
Opór przewodnika R[Ω] |
Opór półprzewodnika R[kΩ] |
1 |
295,3 |
109 |
278,75 |
2 |
313 |
116,7 |
110,27 |
3 |
318 |
119,3 |
89,3 |
4 |
323 |
121,2 |
75,7 |
5 |
328 |
123,3 |
62,52 |
6 |
333 |
125,4 |
51,1 |
7 |
338 |
127,2 |
42,44 |
8 |
343 |
129,4 |
35,8 |
9 |
348 |
131,3 |
30,91 |
10 |
353 |
133,3 |
26,45 |
11 |
358 |
135,3 |
22,93 |
12 |
363 |
137,2 |
19,93 |
Błąd pomiaru rezystancji mostkiem Wheatstone'a: ΔR=0.1Ω
Błąd pomiaru temperatury: ΔT=0.1°C
Obliczenia
Obliczenia 1/T oraz ln(1/R) dla półprzewodnika wyglądają następująco:
L.p. |
Temperatura T[K] |
1/T [1/K] |
Opór R[Ω] |
1/R [1/Ω] |
Ln(1/R) [1/Ω] |
1 |
295,3 |
0,003386 |
278,75 |
0,003587 |
-5,63032 |
2 |
313 |
0,003195 |
110,27 |
0,009069 |
-4,70293 |
3 |
318 |
0,003145 |
89,3 |
0,011198 |
-4,492 |
4 |
323 |
0,003096 |
75,7 |
0,01321 |
-4,32678 |
5 |
328 |
0,003049 |
62,52 |
0,015995 |
-4,13549 |
6 |
333 |
0,003003 |
51,1 |
0,019569 |
-3,93378 |
7 |
338 |
0,002959 |
42,44 |
0,023563 |
-3,74809 |
8 |
343 |
0,002915 |
35,8 |
0,027933 |
-3,57795 |
9 |
348 |
0,002874 |
30,91 |
0,032352 |
-3,43108 |
10 |
353 |
0,002833 |
26,45 |
0,037807 |
-3,27526 |
11 |
358 |
0,002793 |
22,93 |
0,043611 |
-3,13245 |
12 |
363 |
0,002755 |
19,93 |
0,050176 |
-2,99223 |
L.p. |
Δ1/T |
Δln(1/R) |
1 |
0,003131806 |
0,000359 |
2 |
0,002787616 |
0,000907 |
3 |
0,002700645 |
0,00112 |
4 |
0,002617681 |
0,001321 |
5 |
0,002538482 |
0,001599 |
6 |
0,002462823 |
0,001957 |
7 |
0,002390498 |
0,002356 |
8 |
0,002321312 |
0,002793 |
9 |
0,002255087 |
0,003235 |
10 |
0,002191655 |
0,003781 |
11 |
0,002130864 |
0,004361 |
12 |
0,002072566 |
0,005018 |
13 |
|
|
Wykresy
Wartość rezystancji dla półprzewodnika podana jest w k ohm.
Współczynnik nachylenia prostej ln(1/R)=f(1/T) obliczony metodą regresji i wynosi:
a = -4107.19
Δa = 74.1835
Poziom domieszkowy będzie zatem równy:
a = -E/2k
E = -a 2 k
E = 4107.19 2 1.380662 10-23[J/K] ; 1J = 1/1.602189 10-19[eV]
E = 0.707861701 [eV]
Błąd pomiaru poziomu domiszkowego:
ΔE = Δa 2 k
ΔE = 2.335 10-21[J]=0,012617165[eV]
Wynik ostateczny:
E = (0.707861701±0,012617165) [eV]
Wnioski
Błędy pomiaru wynikają najprawdopodobniej z pomiaru temperatury, a ściślej w utrzymaniu jej na określonym poziomie. To jest przyczyną zasadniczą błędu.