sprawozdanie 5 tranzystor polowy, Studia, Podstawy elektroniki, sprawozdania elektronika
Fragment dokumentu:
POLITECHNIKA RZESZOWSKA Katedra Podstaw Elektroniki
Podstawy Elektroniki-laboratorium IIED
1. Tranzystor JFET 2N3820
W przeciwieństwie do tranzystorów bipolarnych, których działanie zależy od dwóch rodzajów nośników ładunku (dziur i elektronów), w tranzystorze unipolarnym (polowym) o przepływie prądu decyduje jeden rodzaj nośników (dziury lub elektrony). Kanał tranzystora unipolarnego stanowi ścieżkę przewodzącą prąd od źródła do drenu, której rezystancja jest regulowana za pomocą wnikającego pola elektrycznego (stąd nazwa - tranzystory polowe). Pole elektryczne spolaryzowane zaporowo złącze p-n, bramka-kanał (tranzystory polowe złączowe JFET).
stosowany układ polaryzacji tranzystora z kanałem typu p:
wyznaczenie charakterystyk przejściowych:
W złączowym tranzystorze unipolarnym natężenie prądu drenu ID w zakresie nasycenia można opisać zależnością:
IDSS - prąd w zakresie nasycenia dla UGS=0,
Up - napięcie odcięcia kanału, napięcie polaryzacji UGS, przy którym obszary ładunku przestrzennego złącza zamykają kanał, ID=0
Teoretyczny wykres charakterystyki przejściowej w układzie kartezjańskim powinien być funkcją liniową
gdzie:
W celu wyznaczenia współczynników równania liniowego a i b posługujemy się dostępną w znanym programie EXEL funkcją REGLINP. Znając te parametry możemy za pomocą powyższych wzorów obliczyć wartości Up i Idss badanego tranzystora.
tabele pomiarowe i wyliczenia prądów Idss oraz napięć Up metodą regresji liniowej: