sprawozdanie 5 tranzystor polowy, Studia, Podstawy elektroniki, sprawozdania elektronika

Pobierz cały dokument
sprawozdanie.5.tranzystor.polowy.studia.doc
Rozmiar 813 KB

Fragment dokumentu:

POLITECHNIKA RZESZOWSKA Katedra Podstaw Elektroniki

Podstawy Elektroniki-laboratorium IIED

TRANZYSTOR POLOWY

Damian Bętkowski 2EDL01B

Data: 22.03.2007

1. Tranzystor JFET 2N3820

W przeciwieństwie do tranzystorów bipolarnych, których działanie zależy od dwóch rodzajów nośników ładunku (dziur i elektronów), w tranzystorze unipolarnym (polowym) o przepływie prądu decyduje jeden rodzaj nośników (dziury lub elektrony). Kanał tranzystora unipolarnego stanowi ścieżkę przewodzącą prąd od źródła do drenu, której rezystancja jest regulowana za pomocą wnikającego pola elektrycznego (stąd nazwa - tranzystory polowe). Pole elektryczne spolaryzowane zaporowo złącze p-n, bramka-kanał (tranzystory polowe złączowe JFET).

  1. stosowany układ polaryzacji tranzystora z kanałem typu p:

0x01 graphic

  1. wyznaczenie charakterystyk przejściowych:

W złączowym tranzystorze unipolarnym natężenie prądu drenu ID w zakresie nasycenia można opisać zależnością:

0x01 graphic

gdzie:

IDSS - prąd w zakresie nasycenia dla UGS=0,

Up - napięcie odcięcia kanału, napięcie polaryzacji UGS, przy którym obszary ładunku przestrzennego złącza zamykają kanał, ID=0

Teoretyczny wykres charakterystyki przejściowej w układzie kartezjańskim powinien być funkcją liniową 0x01 graphic
gdzie:

0x08 graphic

W celu wyznaczenia współczynników równania liniowego a i b posługujemy się dostępną w znanym programie EXEL funkcją REGLINP. Znając te parametry możemy za pomocą powyższych wzorów obliczyć wartości Up i Idss badanego tranzystora.

  1. tabele pomiarowe i wyliczenia prądów Idss oraz napięć Up metodą regresji liniowej:

a

b

Idss

Up

-1,433

6,3656

6,36mA

4,54V

teorytycznie

UDS=3V

ID[mA]

UGS[V]

y=ax+b=-1,43*Ugs+6,3656

6,78

0

6,37

5,88

0,5

5,65

5,24

0,85

5,15

4,98

1

4,93

4,1

1,5

4,22

3,22

2

3,50

2,42

2,51

2,77

1,64

3

2,07

0,98

3,5

1,35

0,4

4

0,64

0,1

4,5

-0,08

0,02

5

-0,80


a

b

Idss

Up

-1,675

7,56

7,56mA

4,51V

teorytycznie

UDS=6V

ID[mA]

UGS[V]

y=ax+b=-1,674*Ugs+7,56


Pobierz cały dokument
sprawozdanie.5.tranzystor.polowy.studia.doc
rozmiar 813 KB
Wyszukiwarka

Podobne podstrony:

więcej podobnych podstron

kontakt | polityka prywatności