1. narysować prostownik jedno połówkowy, i narysować  jak zmienia się napięcie na diodzie względem napięcia sinusoidalnego

2. narysować charakterystykę wyjściową tranzystora bipolarnego w układzie WE, podpisać osie, parametry, i zaznaczyć jeden zakres pracy na charakterystyce

3. narysować inwerter MOS z obciążeniem liniowym, ze schematem pomiarowym, podpisać gdzie jest Uwe i Uwy i do tego jeszcze jakaś charakterystyka była

4. zaproponować, mając do dyspozycji charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego w układzie WE, jak obliczyć h11(albo h12 nie pamiętam już) i h22

5. narysować charakterystykę Uwy(Uwe) stabilizatora parametrycznego, i zaproponować układ pomiarowy tej charakterystyki dla ustalonego prądu obciążenia

Charakterystykę U_wy(U_we) wyznacza się przy stałym prądzie obciążenia. Dlatego stabilizator należy obciążyć obciążeniem aktywnym, które będzie utrzymywało stały prąd obciążenia.

Zmieniając napięcie wejściowe odczytujemy napięcie na diodzie.

Gdzie:

V1 - zasilacz regulowany

D1 - dioda zenera której charakterystyki są wyznaczane

I1 - aktywne obciążenie zapewniające niezmienny prąd obciążenia

6. narysować symbole trzech tranzystorów unipolarnych, tyle że nie pamiętam już dokładnie jakich

Tranzystor MOS z kanałem indukowanym typu N (nazywany prze diodę EMOS)

Tranzystor MOS z kanałem indukowanym typu P (nazywany prze diodę EMOS)

Tranzystor MOS z kanałem wbudowanym typu N (nazywany prze diodę DMOS)

Tranzystor MOS z kanałem wbudowanym typu P (nazywany prze diodę DMOS)

Tranzystor J-FET (Tranzystor z efektem polowym) typ N

Tranzystor J-FET (Tranzystor z efektem polowym) typ P

7. podać różnice w budowie i zastosowaniu diody prostowniczej i diody Schottky'ego (mogłem tu coś przekręcić  )

Dioda prostownicza jest złączem PN natomiast dioda Schottky'ego jest złączem MS (metal-semiconductor)

Diody Schottky'ego stosuję się tam gdzie niezbędne jest niskie napięcie progowe (ok. 0,3 V), odznaczają się bardzo krótkimi czasami przełączania (mają małą pojemność złączową). Stosowane są w układach pracujących z bardzo dużymi częstotliwościami, powszechnie stosowane w zakresie częstotliwości 100GHz.

Diody prostownicze wykonane z krzemu mają napięcie progowe około 0,7V, mają większą pojemność złączową w porównaniu do diod Schottky'ego, przez co są wolniejsze, ogólnie stosowane w układach prostowniczych jedno i dwu połówkowych itp.

8. Równanie Schockleya i opisać te wszystkie literki ze wzoru i jednostki

I - prąd płynący przez diodę

I0 - prąd zerowy złącza (≈10 [pA])

η - współczynnik sprawności (doskonałości) złącza

U_T - napięcie termiczne

U - napięcie na diodzie

e - liczba Eulera

9. W jaki sposób wyznaczyć prąd zerowy diody mając zmierzone charakterystyki

10. Budowa i zasada działania MOSA z kanałem N.

Tranzystor MOS z kanałem indukowanym typu N.

Tranzystor MOS z kanałem indukowanym typu N jest tranzystorem sterowanym napięciem.

Tranzystor ten może pracować w dwóch zakresach pracy:

1. zakres nienasycenia

2. zakres nasycenia

O tym w jakim zakresie pracuje tranzystor decyduje napięcie dren-źródło, jeśli jest ono większe od napięcia nasycenia (
), wówczas tranzystor znajduje się w zakresie nasycenia.

Zakres nienasycenia

Jeśli napięcie bramka-źródło jest mniejsze od napięcia progowego (tworzenia kanału), to prąd dren-źródło jest zerowy. Gdy napięcie progowe zostanie przekroczone wówczas na skutek działania pola elektrycznego przy powierzchni półprzewodnika powstaje warstwa inwersyjna - warstwa półprzewodnika o przeciwnym typie przewodnictwa niż podłoże. Warstwa inwersyjna ma więc taki sam typ przewodnictwa jak obszary drenu i źródła, możliwy jest więc przepływ prądu od drenu do źródła. Warstwa inwersyjna tworzy kanał.

11. Narysować schemat pomiarowy dla mosa (nie pamietam niestety co trzeba było mierzyć)

PYTANIE NIE PRECYZYJNE, NIE WIEM O CZYM PISAC.

12. Charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego w układzie WB oraz szczegółowo je opisać

13. W jaki sposób wyznaczyć charakterystykę wyjściową tranzystora bi w stanie nasyconym

-Zasada działania diody stabilizującej dla napięć powyżej 7V, jakie zjawisko występuję
-zależność napięcia termicznego od przebicia złącza diody zenera
-różnice między rezystancją statyczną, dynamiczną oraz szeregową (bodajże) i wzory na wyznaczenie dwóch pierwszych;
-schemat pomiarowy tranzystora bipolarnego PNP w zakresie aktywnym normalnym, dobra polaryzacja napięć zasilających;
-opis parametrów h11, h12, h21, h22, oraz ich odpowiedniki w małosygnałowym schemacie zastępczym typu hybryd PI;
-tego do końca nie pamiętam ale było 2 pytania z unipolarnego o schematy zastępcze tranzystora N-MOS z aktywnym obciążeniem czy coś takiego
-zaprojektować stabilizator parametryczny przy takich danych: Pad=300mW; Uz=5V; Uwe od 8V do 12V; Io od 0 do 30 mA; Izmin = 10%Izmax;
20:40:30
-schematy do pomiaru charakterystyk diody
-schematy do pomiaru charakterystyk tranzystora unipolarnego
-temperaturowa zależność przebicia lawinowego
-opisać zjawisko przebicia zenera
-stany pracy tranzystora bipolarnego z opisem
20:40:40
1- zaproponować układ pomiarowy poprawnie mierzonego napięcia dla diody i rezystancję opornika dla
   Imax=500mA i Up=0,7V dla napięsia zasilania U: (0 do 6)V
2- schemat do wyznaczania charakterystyk przejściowych i wyjściowych t. bipolarnego NPN w układzie OE
   namalować jego charakterystyki i opisać jak się je tworzy
3- opisać różnice w budowie i działaniu między JFETem i MOSem, namalować charakterystykę przejściową MOSa z kanałem indukowanym i przedstawić graficzny sposób wyznaczania transkonduktancji
4- zdefiniować rezystancję wyjściową stabilizatora, namalować charakterystykę prądowo napięciową diody zenera i oznaczyć jej charakterystyczne parametry na tej charakerysty

---