2. Efekt modulacji szerokości bazy.
Zjawisko Early'ego nazywane jest również zjawiskiem modulacji efektywnej szerokości bazy. Powoduje ono zmianę wielkości wejściowych wskutek zmiany wielkości wyjściowych. Szerokość złącza BC zmienia się, a co za tym idzie zmienia się również szerokość bazy. Zmienia się też gradient koncentracji nośników, od którego zależy prąd IE . Wraz ze skróceniem bazy, gradient wzrasta, czyli prąd IE również musi wzrosnąć. kiedy zwiększamy napięcie, to spolaryzowane zaporowo złącze BC poszerza się, zmniejsza się szerokość bazy, a co za tym idzie: zmniejsza się szansa, że nośniki "wystrzelone" z emitera zrekombinują w bazie oraz zwiększa się gradient koncentracji nośników w bazie czyli prąd Ie oraz Ic wzrasta.
Efekt Early'ego zachodzi dla wystarczająco dużych napięć na tranzystorze UCE > 0,3 V na skutek którego charakterystyki wyjściowe wykazują dodatkowo zależność liniową od UCE ze współczynnikiem nachylenia 1/UAF
4. Charakterystyki: wejściowa, wyjściowa i przejściowa tranzystora bipolarnego.
6. Schemat układ pomiarowego do wyznaczenia parametrów h11 i h21 tranzystora bipolarnego i zasada ich wyznaczania.
7. Jak wyznaczyć β i h22 z charakterystyki wyjściowej tranzystora bipolarnego ?
Dla ustalonego Ib odczytujemy Ic dla takiego napięcia Uce dla którego tranzystor jest w stanie nasycenia (np. 4V)
h22 ze zdjęcia do zagadnienia 6.
10. Zależność wzmocnienia prądowego tranzystora bipolarnego od częstotliwości.
Pojęcie fα i fβ, oraz zależność pomiędzy nimi.
12. Rezystancja termiczna. Sens fizyczny i jak można ją wyznaczyć z pomiarów ?
Rezystancja termiczna - Wielkość fizyczna reprezentująca opór, jaki stawia dana materia przenoszeniu temperatury do innej materii.
Za pośrednictwem komputera ustala się następujące parametry pomiarowe:
1. temperatura radiatora,
2. prąd emitera,
3. napięcie kolektor baza
ponadto należy wprowadzić wartość temperaturowego współczynnika zmian napięcia baza-emiter.
Napięcie na złączu baza-emiter badanego tranzystora mierzone jest za pomocą multimetru. W oparciu o zmiany napięcia na złączu baza-emiter dokonuje się pomiaru temperatury struktury krzemowej badanego tranzystora. W tym celu należy podzielić zmierzoną wartość napięcia pomiędzy bazą i emiterem przez temp. wsp. nap. = 0.002 i odjąć wartość kompensującą.