zrodlo kolos3a, Inżynieria Akustyczna, 4 semestr, EE - Elementy Elektroniczne, reeezaliczeniwkatermin


2. Efekt modulacji szerokości bazy.

Zjawisko Early'ego nazywane jest również zjawiskiem modulacji efektywnej szerokości bazy. Powoduje ono zmianę wielkości wejściowych wskutek zmiany wielkości wyjściowych. Szerokość złącza BC zmienia się, a co za tym idzie zmienia się również szerokość bazy. Zmienia się też gradient koncentracji nośników, od którego zależy prąd IE . Wraz ze skróceniem bazy, gradient wzrasta, czyli prąd IE również musi wzrosnąć. kiedy zwiększamy napięcie, to spolaryzowane zaporowo złącze BC poszerza się, zmniejsza się szerokość bazy, a co za tym idzie: zmniejsza się szansa, że nośniki "wystrzelone" z emitera zrekombinują w bazie oraz zwiększa się gradient koncentracji nośników w bazie czyli prąd Ie oraz Ic wzrasta.

Efekt Early'ego zachodzi dla wystarczająco dużych napięć na tranzystorze UCE > 0,3 V na skutek którego charakterystyki wyjściowe wykazują dodatkowo zależność liniową od UCE ze współczynnikiem nachylenia 1/UAF

0x01 graphic

4. Charakterystyki: wejściowa, wyjściowa i przejściowa tranzystora bipolarnego.

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

6. Schemat układ pomiarowego do wyznaczenia parametrów h11 i h21 tranzystora bipolarnego i zasada ich wyznaczania.

0x01 graphic

7. Jak wyznaczyć β i h22 z charakterystyki wyjściowej tranzystora bipolarnego ?

Dla ustalonego Ib odczytujemy Ic dla takiego napięcia Uce dla którego tranzystor jest w stanie nasycenia (np. 4V)

0x01 graphic

0x01 graphic

h22 ze zdjęcia do zagadnienia 6.

10. Zależność wzmocnienia prądowego tranzystora bipolarnego od częstotliwości.

Pojęcie fα i fβ, oraz zależność pomiędzy nimi.

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

0x01 graphic

12. Rezystancja termiczna. Sens fizyczny i jak można ją wyznaczyć z pomiarów ?

Rezystancja termiczna - Wielkość fizyczna reprezentująca opór, jaki stawia dana materia przenoszeniu temperatury do innej materii.

Za pośrednictwem komputera ustala się następujące parametry pomiarowe:

1. temperatura radiatora,

2. prąd emitera,

3. napięcie kolektor baza

ponadto należy wprowadzić wartość temperaturowego współczynnika zmian napięcia baza-emiter.

Napięcie na złączu baza-emiter badanego tranzystora mierzone jest za pomocą multimetru. W oparciu o zmiany napięcia na złączu baza-emiter dokonuje się pomiaru temperatury struktury krzemowej badanego tranzystora. W tym celu należy podzielić zmierzoną wartość napięcia pomiędzy bazą i emiterem przez temp. wsp. nap. = 0.002 i odjąć wartość kompensującą.

0x01 graphic



Wyszukiwarka