2. Efekt modulacji szerokości bazy.

Zjawisko Early'ego nazywane jest również zjawiskiem modulacji efektywnej szerokości bazy. Powoduje ono zmianę wielkości wejściowych wskutek zmiany wielkości wyjściowych. Szerokość złącza BC zmienia się, a co za tym idzie zmienia się również szerokość bazy. Zmienia się też gradient koncentracji nośników, od którego zależy prąd I_E . Wraz ze skróceniem bazy, gradient wzrasta, czyli prąd I_E również musi wzrosnąć. kiedy zwiększamy napięcie, to spolaryzowane zaporowo złącze BC poszerza się, zmniejsza się szerokość bazy, a co za tym idzie: zmniejsza się szansa, że nośniki "wystrzelone" z emitera zrekombinują w bazie oraz zwiększa się gradient koncentracji nośników w bazie czyli prąd Ie oraz Ic wzrasta.

Efekt Early'ego zachodzi dla wystarczająco dużych napięć na tranzystorze U_CE > 0,3 V na skutek którego charakterystyki wyjściowe wykazują dodatkowo zależność liniową od U_CE ze współczynnikiem nachylenia 1/U_AF

4. Charakterystyki: wejściowa, wyjściowa i przejściowa tranzystora bipolarnego.

6. Schemat układ pomiarowego do wyznaczenia parametrów h11 i h21 tranzystora bipolarnego i zasada ich wyznaczania.

7. Jak wyznaczyć β i h22 z charakterystyki wyjściowej tranzystora bipolarnego ?

Dla ustalonego Ib odczytujemy Ic dla takiego napięcia Uce dla którego tranzystor jest w stanie nasycenia (np. 4V)

h22 ze zdjęcia do zagadnienia 6.

10. Zależność wzmocnienia prądowego tranzystora bipolarnego od częstotliwości.

Pojęcie f_α i f_β, oraz zależność pomiędzy nimi.

12. Rezystancja termiczna. Sens fizyczny i jak można ją wyznaczyć z pomiarów ?

Rezystancja termiczna - Wielkość fizyczna reprezentująca opór, jaki stawia dana materia przenoszeniu temperatury do innej materii.

Za pośrednictwem komputera ustala się następujące parametry pomiarowe:

1. temperatura radiatora,

2. prąd emitera,

3. napięcie kolektor baza

ponadto należy wprowadzić wartość temperaturowego współczynnika zmian napięcia baza-emiter.

Napięcie na złączu baza-emiter badanego tranzystora mierzone jest za pomocą multimetru. W oparciu o zmiany napięcia na złączu baza-emiter dokonuje się pomiaru temperatury struktury krzemowej badanego tranzystora. W tym celu należy podzielić zmierzoną wartość napięcia pomiędzy bazą i emiterem przez temp. wsp. nap. = 0.002 i odjąć wartość kompensującą.