14. Badanie temperaturowych zależności prądu zaporowego diod, Elektrotechnika - notatki, sprawozdania, Inżynieria materiałowa, sprawozdania


LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

Kierunek:

Elektrotechnika

II rok IV semestr

Temat ćwiczenia:

Badanie temperaturowych zależności prądu zaporowego diod

Nr ćwiczenia:

14

Imię i nazwisko:

Rok akademicki

2012/2013

Data wykonania:

02.06.2013

Ocena / podpis

1. Cel ćwiczenia

Głównym celem ćwiczenia jest zbadanie temperaturowych właściwości złączy p-n wykonanych z różnych materiałów półprzewodnikowych.

2. Wyznaczenie wpływu temperatury na parametry diod półprzewodnikowych

0x01 graphic

Rys. 1. Schemat układu pomiarowego

Tabelka pomiarowa

Lp.

U2

Materiał złącza p-n

krzem

german

V

Temperatura

I

Ini

Temperatura

I

Ini

ºC

1000/K

µA

A

ºC

1000/K

mA

1.

3

100

2,68

2,100

0,0021

97,5

2,7

2,14

0,0214

2.

95

2,72

1,750

0,00175

92,5

2,74

1,98

0,00198

3.

90

2,75

1,300

0,0013

87,5

2,77

1,72

0,00172

4.

85

2,79

0,850

0,00085

82,5

2,81

1,45

0,00145

5.

80

2,83

0,550

0,00055

77,5

2,85

1,20

0,0012

6.

75

2,87

0,370

0,00037

72,5

2,89

0,97

0,00097

7.

70

2,92

0,240

0,00024

67,5

2,94

0,77

0,00077

8.

65

2,96

0,180

0,00018

62,5

2,98

0,61

0,00061

9.

60

3

0,114

0,000114

57,5

3,03

0,47

0,00047

10.

55

3,05

0,083

0,000083

52,5

3,07

0,35

0,00035

11.

50

3,1

0,060

0,00006

47,5

3,12

252 µA

0,000252

12.

45

3,14

0,044

0,000044

42,5

3,17

179 µA

0,000179

13.

40

3,19

0,028

0,000028

37,5

3,22

125 µA

0,000125

14.

35

3,25

0,019

0,000019

32,5

3,27

85,5 µA

0,000085

15.

30

3,3

0,016

0,000016

27,5

3,33

57,8 µA

0,000057

0x01 graphic

Charakterystyka Ini = f(1000/T) dla krzemu

Wartości odczytane z wykresu: i1=0,0004; i2= 0,003; 1000/T1=2,83; 1000/T2= 2,6

0x01 graphic

Charakterystyka Ini = f(1000/T) dla germanu

Wartości odczytane z wykresu: i1=0,00047; i2= 0,0028; 1000/T1=3,15; 1000/T2= 2,6

Wartość przerwy Eg na podstawie wzoru:

0x01 graphic
gdzie: k = 8,625·10-5 eV/K

Krzem

0x01 graphic

German

0x01 graphic

3. Wnioski

Pomiary wykazały, że wraz ze wzrostem temperatury maleje rezystancja półprzewodnika w kierunku zaporowym, skutkiem czego półprzewodnik zaczyna przewodzić coraz większy prąd. Większą tendencję tego zjawiska wykazuje german, co potwierdzają obliczenia przerwy Eg. Wynika z nich, że szerokość pasma zabronionego germanu jest znacznie mniejsza niż w przypadku krzemu.



Wyszukiwarka