 | Pobierz cały dokument pamieci.szkola.utk.doc Rozmiar 470 KB |
Pamięciami półprzewodnikowymi nazywamy cyfrowe układy scalone przeznaczone do przechowywania większych ilości informacji w postaci binarnej
Podstawowe parametry pamięci:
- pojemność
- czas dostępu
- transfer danych
Podział Pamięci
- pamięć RAM - nazywamy pamięć półprzewodnikową o dostępie swobodnym przeznaczoną do zapisu i odczytu. RAM jest pamięcią ulotną, co oznacza, że po wyłączeniu jej zasilania informacja w niej przechowywana zostanie utracona.
- pamięć ROM - nazywamy pamięć półprzewodnikową o dostępie swobodnym przeznaczoną tylko do odczytu. ROM jest pamięcią nieulotną.
Ze względu na technologię wykonania pamięci RAM dzielimy na dwie grupy:
- pamięci dynamiczne - DRAM
- pamięci statyczne - SRAM
Różnice między tymi grupami:
- DRAM wolniejsze od pamięci SRAM
- DRAM są znacznie tańsze
- Pamięci dynamiczne znacznie łatwiej ulegają scalaniu (większe pojemności)
- dla pamięci dynamicznej konieczny jest proces odświeżania
Pamięci dynamiczne są stosowane do budowy głównej pamięci operacyjnej komputera natomiast pamięć SRAM do budowania pamięci podręcznej (tzw cache) .
MODUŁY PAMIĘCI DRAM:
DIP (1981 r.) (ang. Dual In-line Package), czasami nazywany DIL - w elektronice rodzaj obudowy elementów elektronicznych, głównie układów scalonych o małej i średniej skali integracji.
Wyprowadzenia elementu umieszczone są w równej linii na dwóch dłuższych bokach prostokątnej obudowy. Obudowy typu DIP produkowane są z wersjach DIP4 (cztery wyprowadzenia), DIP8 (osiem wyprowadzeń), DIP14 (czternaście wyprowadzeń), DIP16, DIP20 i większych. Produkowane są także obudowy typu SDIP, SK-DIP i innych, które różnią się od obudów DIP wymiarami, odległością między wyprowadzeniami itp. Obudowy typu DIP przeznaczone są do montażu przewlekanego (ang. THT, Through-Hole Technology). Odległość między wyprowadzeniami to 2,54 mm. Pozostałe wymiary obudów DIP także są ustandaryzowane, ale różne w zależności od liczby wyprowadzeń. Ilość wyprowadzeń (pinów) wynosi 8, 14, 16, 18, 20, 22, 24, 28, 32, 36, najwyżej 40, 42, 48, rzadko 64.
SIPP (1982 r.) (z ang. Single Inline Pin Package) jest drugą generacją pamięci DRAM, która powstała w wyniku zapotrzebowania na rynku na łatwy w montażu na płycie głównej rodzaj pamięci RAM. Układ SIPP używał 30 pinów wzdłuż obrzeża i wyeliminował potrzebę, aby każdy chip DRAM był montowany indywidualnie. SIPP zrewolucjonizował sposób, w jaki komputery osobiste (PC) używały pamięci RAM, ponieważ znacznie szybciej można go było zmienić na inny model.
 | Pobierz cały dokument pamieci.szkola.utk.doc rozmiar 470 KB |
