LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH |
||||
GRUPA I
|
Temat: Charakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego . |
Uwagi : |
||
|
Ocena : |
|
||
Autor sprawozdania :
|
Odpowiedź : |
Sprawozdanie : |
Wykonanie ćwiczenia : |
Data : |
I. Program zajęć :
- Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora w układzie pracy OE ( OB )
- Wyznaczenie parametrów małosygnałowych [h]
- Wykreślenie charakterystyk przejściowych w oparciu o charakterystyki
zmierzone
- Pomiar wartości prądów zerowych w układzie pracy OE i OB
- Pomiar napięć przebicia
II. Wykaz przyrządów użytych w ćwiczeniu :
Tranzystor BC 313 p - n - p ( w układzie OE ) ; P= 800 [mW] ) ;
Rejestrator XY .
III. Pomiar charakterystyki wyjściowej I= f(U) tranzystora BC 313 w układzie OE rejestratorem XY ( I= const.) :
IV. Pomiar charakterystyki wejściowej U= f(I) tranzystora BC - 313 w układzie OE rejestratorem XY ( U= const.) :
V.Wyznacznie parametrów dla układu OE :
Wyznaczanie parametrów h
i h
z charakterystyk wyjściowych :
Dla punktu pracy U
= 5 [V]
Wartości odczytane z charakterystyk :
I
= 11,9 [mA] , I
= 9,8 [mA] , I
= 96 [A] , I
= 80 [A]
ΔU
= 0,1 [V] ΔI
= 2,1 [mA]
- konduktancja wyjściowa :
h
=
Wyznaczenie parametru h
z charakterystyki wejściowej :
Wartości odczytane z charakterystyk :
ΔU
= 0,1 [V] ΔI= 2,5 [A]
- rezystancja wejściowa :
h
=
[]
- współczynnik napięciowego oddziaływania wstecznego :
h=
Wyznaczanie charakterystyki przejściowej w oparciu o charakterystykę
wyjściową :
IB [μA] |
IC [mA] |
16 |
1,5 |
32 |
3,6 |
48 |
5,6 |
64 |
7,6 |
80 |
9,7 |
96 |
11,9 |
112 |
14 |
Wyznaczanie parametru h z charakterystyki przejściowej :
Współczynnik wzmocnienia prądowego :
h
=
9) Wnioski :
Analizując otrzymane charakterystyki możemy zauważyć, że charakterystyka wyjściowa ma zbyt duże nachylenie w początkowej części. Spowodowane to jest prawdopodobnie ustawieniem niewłaściwej czułości w torach rejestratora, przez co otrzymane charakterystyki są powiększone i mieszczą się doskonale na przygotowanym papierze lecz , nie odzwierciedlają one dokładnie przebiegów teoretycznych.
Przy wyznaczaniu parametrów h i h z charakterystyk wyjściowych dla dwóch punktów pracy przy stałym Ui zmiennym I można zauważyć, że wzmocnienie zwiększyło się dla większych prądów bazy, czyli gdy tranzystor jest bardziej wysterowany, ale do momentu w którym nie zacznie się nasycać . Dla większych I maleje konduktancja wyjściowa tranzystora w układzie OE . Przy wyznaczaniu charakterystyk wejściowych należało by utrzymywać stałą temperaturę złącz gdyż dla zwiększonego napięcia U wzrastała temperatura złącza B-E co powodowało obniżenie napięcia U (przy stałej temperaturze i rosnącym U napięcie Upowinno rosnąć) .
Z charakterystyki wyjściowej wyznaczyliśmy przebiegi Ic=f(IB) przy stałym napięciu UCE=5[V] tj. charakterystykę przejściową . Z wykresu odczytaliśmy wartość parametru h
. Wszystkie uzyskane przez nas parametry małoprądowe pokrywają się z wytycznymi teoretycznymi .
W ostatniej części ćwiczenia wyznaczaliśmy napięcie przebicia dla badanego tranzystora - na ekranie oscyloskopu odczytaliśmy jego wartość , która wyniosła 40 [V].