a1

Imię i Na zniżko: ................................................ grupa:

St. Inżynierskie sem.2    ELEKTRONIKA (Egzamin I termin)

Zeataw A

1. Wams: napięcia U w układzie przedsawioiym na rysunku wynosi w prąbHżańu.

2. Układ    acy ±y

a)    zwidsąc misymalnądopusizalnątnoc tratą stora.

b)    wdelsą-ćsątlośćdaałasia (asiotliwość grańcmą).

c) zwi^3ycwyii^9sioscnąiięiońą,

d)    zw^^ćwznóciBańepr^owe

3.    PrzećsBviony na rysunlai układ j ast filtrem

a)d?bHp!zą«sBW}x.

Ąsmwzmmjk ^mmmmmm

4. W układzie zsvierąąą-rn t/ąyspt^; $chema na rysunku), prą- pewnej wartości nańąda E_: żalącego diodę. LEB i pewnej wartości nąiącis E_; zasilającego fcwraią-stDr. prąd diody LEB wynosił IplOmA. zaś pad fototranzystora wynosił I—fircA. prą- napięciu U«=4V Nastanie wi^szono wartość nątiąriz E_; 2-krotńie. nie znśauąjąc nąpięda E_: V.'artośd prądowi-, oaz I_;w ą-mpaypadku znśauky sięnastanąącD

a) I; znniejsął sie2-kro2iie a I_;nie zrriaiił się. bM-.niezmiaiiłsieal: wzrósł 2-kroaie.

c)    obydwaprady wzrosły ok2-krotnie.

d)    I; nie zaś aa ł się a I_; lekko wzrósł (o kilka do kilkunastu procait) 5. W układne foudowaiym z braci logicznych TIL. przedstawionym na rysunku. stany logionie na wyjściach wynoszą

•=£>-

b=EH>

a)>:K).y=D. b)x=0.y=l. c)x=l.y=0. d)x=l.y-l fi. W tratąstorzebipolasijm stai. w ktorymprą dużą wart osa prądu ko!i:ora Ic występie bardzo mały spaći napięda miądą kolatorem i enśterec U« ^poniżej 0JV). naąwarą-stanem

a) aktywnym, b) nasycana, c) sikana, d) atwesyjnie akąwnym

7. W układzie przedstawionym na rysunku cc ze poprawnie dhałać reąstoro parametrach R, 5, wynoszących:

Ri

(Pr)

a)20ft 5W.    b)20Dn 03V.

c)2kTś 025W.    d)2n 25W

3. Prą- przątływie prądu o wartości 02A przez diodę o cp.ąj; dopuszczalną mocy 2V.' spo lary® winą wn teczn ie. nań ęa e na ją zaciskach wynosab 5V Ib wzrdde prądu dowartosd 2A nątięzie na zadskach diody: a) wiośnie do ok 53'. b) nmiąsą- siedo IV. c) wzrośnie do 50V. d) dioda ulegae uskodgnru zewzgląiu na foyt duża wams ś ć mocy tramą

9 Układ    (*? SwatoSHflM)

elementem wysspiąąą-mw srukrurze a) generatoranęięda sinusoidalne®. b)przemitsńka§^jijja. c)przetwornikaaialogowc-cyfcwią). d)stabiliztoranęięda

10. Przedstawiony na rysunku układ może byc wykorzystały do wymaczańa nśtąiąącego parametru baćaiego lematu liniowego

a) pojenrosci. b) reąstaicji- w przypadku gdy jęj wartość jstniewieika jwnszą kilku o mew), c) indukcyjnośd. d) reąstaicji - w prąpadku gdy ją warto a jest wysoka •jpowyśj kilkuset omow)

11. Spośród filtrów- przedstawionych za rysunku wybrać układ, który w najrmiąsąm stopniu obciąża ńódło ą-gnału wąściowąąo ^ i równocześnie jest najmnią wrazimy na dołaczaiie obdąsaado zaśsków wyjściowych