elektronika0005

144 Elektronika. Zbiór uutań

144 Elektronika. Zbiór uutań

Hy*. 6.16. Wzmacniacz ze sprzężeniem zwrotnym źródłowym. Wakuiówka: przyjąć g,/_s = 0

Kyi>. 6.17. Wzmacniacz w układzie wspólne źródło

Dane do Rys. 6.16: //„„= 15 V R_sl -500 li /f_A2=500 1)

R_d=470 li R_t = 7,7 kii R₂ = 2,2 kO Uf,--5 V

ⁱdss=⁵ mA R₀— I kii

Dane do Rys. 6.17. Up_D= 15 V R_s» 1 kii K_d=A kii R_C}= 1 Mli U_p=- 5 V

^fDSS ⁼ 5 ^111A R₍,= 4 kii

TuliaU 6.3. Wyniki obliczeil do zad. 6.3

			0	V	V	tm niS	>n mA	V	(/, V	|/» V	U, V	“t mV	mV	^UJ n»V
IIy« 6.14	0.444	0.431	1711	348	-0.578	1.77	3.91	9.2S	3.3	3.91	1.89	9.7	4.31	0
Ryr 6 15	-3.25	-3.23	7500	1000	-0.24	8.8	7.74	4.52	2.5	7.26	6.7	9.9 3	4.65	-32.3
Ryt 6.16	-0.3	<1.29	1711	470	-0.S7I	1.77	3.91	9.25	3.33	13.16	1.96	9.72	4.5	•2,9
Ryt 6.17	2.05	•2.05	MO^6	2857	-1.91	1.23	1.91	5.45	0	7.36	1.91	10	0	-20,5

6.4.

Dobrać wartość rezystancji R_c tak aby uzyskać w układzie wzmacniacza jak na Rys. 6.18 wzmocnienie napięciowe £_H=-50. Ponadto obliczyć wzmocnienie k_M. jeśli rezystancja źródła sterującego wynosi /?,,=50 li, oraz obliczyć rezystancje wejs'ciow<j wzmacniacza.

Dane do Rys. 6.18: /f, = 15 kii R₂-5 kii %=1 kii /?₀=l kil /i| _if,= 1 kii

/i₂. = 150

v5_s

6 5

Zaprojektować wzmacniacz z tranzystorem bipolarnym npn dla zakresu średnich częstotliwości o wzmocnieniu napięciowym k_u = -50 dla rezystancji obciążenia R₀= 1 k0. Przyjąć parametry tranzystora: )i_Mf- I ki), h^—O, /»₂|_r= 150. /»₂₂<'⁼^0’^s S w punkcie pracy l_c= 3,75 mA. IJ. . s 5 V. Ponadto obliczyć rezystancję wejściowa zaprojektowanego wzmacniacza.

6.6.    Zaprojektować wzmacniacz z tranzystorem bipolarnym npn dla zakresu średnich częstotliwości o wzmocnieniu napięciowym £„=-25 i rezystancji wejściowej H_we~l kfl dla rezystancji obciążenia R₀= 1 kfl. Przyjąć parametry tranzystora: h_tle=2,5 kfl, h_l2e=^z0, h₂i_<f=200, /i₂2_łr⁼5‘10'⁵ S w punkcie pracy I_c=*2 mA, U_CE=5 V.

6.7.    Zaprojektować wzmacniacz z tranzystorem bipolarnym npn dla zakresu średnich częstotliwości

o wzmocnieniu napięciowym £„=-50 i rezystancji wejściowej R_Wt.= 1 kfl dla rezystancji obciążenia R₀=l kfl. Przyjąć parametry tranzystora: A_nt, = l kQ h_n = 0 h =200 /ł_??,=5-10~^s S w punkcie pracy I_c=5 mA, U_CE=5 V.    ’ ^; -*    *