elektronika0007

elektronika0007



I4H Elektronika. Zbiór zmian

we zastępujemy zwarciem, prądowe—rozwarciem). Wówczas schemat zastępczy wygląda jak na Rys. 6.22.

*9 _Bjb    c    i

_

*m.

_

CJj ^21J b _2r__

^2.

_

Rys. 6.22. Małosygnalowy schemat zastępczy układu z Rys. 6.3 do obliczania rezystancji wyjściowej

E

Ze schematu:

i m * uft22+h2\‘b

Kc

Z analizy obwodu wejściowego wynika że ifepO mA. Wtedy

“ - --- - ^1*0- 909 0.

' ^*1*22 22

Kc

Można zauważyć że prąd bazy ib bedzie zawsze równy O jeśli nie będzie odziaływania wyjścia na wejście i wówczas prąd źródła sterowanego będzie równy O, co można zinterpretować jako rozwarcie w gałęzi źródła. W takiej sytuacji rezystancja wyjściowa daje się łatwo odczytać z obwodu wyjściowego.

W układach w których nie ma oddziaływania wyjścia na wejście (np. rezystancja wejściowa nie zależy od rezystancji obciążenia), lak jak w tym przypadku, rezystancja wyjściowa wyraża się zazwyczaj prostym wzorem którego postać można podać (odczytać ze schematu) nie przeprowadzając żmudnych obliczeń, h. Na podstawie schematu zastępczego z Rys. 6.21:

V

uwe


= ~h2ih

* V* •



Zatem

k m U"V uwe



l*cll*o

''11


= -a2I


**Arq

hw

=: -76,2


Reguła obliczania ku jest następująca: h2i (czyli wzmocnienie prądowe tranzystora) razy iloraz, rezystancji: w liczniku rezystancja wyjściowa i równolegle do niej rezystancja obciążenia, w mianowniku rezystancja widziana przez „prąd bazy”. Przed wszystkim znak minus bo wzmacniacz „odwraca fazę”.

Na postawie dzielnika wejściowego R^, R[y R2

ifcpi

m * *, ł *1 (*21*11

Zatem

Ir , Uwy _ uwy uwe = > Rl 1*21*11    _    ^

" U "»* U “    II*»1 ‘

Na podstawie schematu zastępczego (Rys. 6.21): ue~0 V. Ponadto

u^k^^-OJlńnm V,

oraz

ubuwe


*111*2 1*11 V*lll*2ll*ll *

9,5 sin(cjf) mV.


l_ - Dla układu z Rys. 6.4.

a. Na podstawie zadania 4.4 dotyczącego Rys. 4.6 mamy:

,    0 Ucc~Ube „ .

I r ~ p- = 4 inA.

Rf/+RF2H0+Wc

Z bilansu napięć obliczamy UCE:

UcE=ucc~,cfic==l4,5 V. b-    Ul = UBE=0J V,

u2 = Uce=l4,5 V,

'ih-Uae+Wn-UBE+tnlctfi**™ v-

c.    Transkonduktancję obliczamy ze wzoru (4.3): £„,=40/^160 mS.

d.    hn =    » JL = 12500 .

om Hm

e.    Malosygnałowy schemat zastępczy układu dla zakresu średnich częstotliwości przedstawiono na Rys. 6.23.


_lr_

i

^22e T_

■8

r a

T

*o


C

ijfWb ^

E

Rys. 6 23. Malosygnałowy schemat zastępczy dla zakresu średnich częstotliwości układu z Rys. 6.4

f.


R..


“w u.


* 1246 0.


we ^ "we

RF1 *11

g. Obliczenie rezystancji wyjściowej.


= 1,66 k0.

*22


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
elektronika0007 I4H Elektronika. Zbiór zmian we zastępujemy zwarciem, prądowe—rozwarciem). Wówczas s
elektronika0003 140 Elektronika. Zbiór zmian 140 Elektronika. Zbiór zmian Ky« h. ). Wzmacniacz w ukł
elektronika0009 152 EUkironika.Zbiór zadań ci wy Rys. 6.25. Malosygnałowy schemat zastępczy układów
STRUKTURA ORGANIZACYJNA INSTYTUTU STEROWANIA I ELEKTRONIKI PRZEMYSŁOWEJ DYREKTOR SEKRETARIAT ZASTĘPC
ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 100 101 100 EUktromka. Zbiór zadań moż
ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 34 35 34 EUktronik*. 124** ***** rz -
ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 38 39 r 38 EU*trvmkm.ZMr o*Łw »« U -4-

więcej podobnych podstron