F P Cz8

F P Cz8



ft-P

.•VV9l

(/^c' ^fuL^J b~0'U    .yiU-, vAt r^p0. Q.r-    5'uoóOu

-    ,    ,    - *V

Y^llM/ prtv^tAA^VuXv^    ó’^'i^U_    CAMMjó

2yOS\^or^Aj_ C<Uavu_ , . P\0^vuL^    ^ , OóMąl-O)

^f'


■vO /TvUtAvi^ ■0^0/^

i~


O OcLapp-Oj^ £»V QM"^C


/f 0v4 dr j^ -    "~0

,    ^    2'Hd^

fc.


<2,


0 -


i-

a


2,


i


- n


u ^-■/) \d fi


2F1 - O? AW*


1*


fR&lAAWP ..................- . . . •    - ....... ..............'..............- ......... .....

IH^J^JLoa^ wjotvvo a S r~sd/Vw cL ^ jpjd U--.pi ^wx/vn.....p^d/u

Jy£ 0*2    \J a^Cx/'y^    \jl& Vu_    |-^/r0 . Ul-ok-w^.....

O* yv-'H. "^°    4-    Tv"^-^L    ^-c-cW ^    / Uxpio    <0 -

-£    —    7 —^

cl 1


- fcl


2


Y-T- " ’■ ^ 4/^


$ - (4 A

£-4 Fc4T

i? 4t - — W) t d i



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Laboratorium Elektroniki cz I 8 172 leży doprowadzić do bramki prąd Igt i zwiększyć prąd tyrystora
Laboratorium Elektroniki cz I 8 72 - przebicie powierzchniowe (polega na powstawaniu powierzchniow
Laboratorium Elektroniki cz I 8 112 bezpośredni przeskok elektronu z pasma przewodnictwa do pasma
Laboratorium Elektroniki cz I 8 132 Rys. 6.17. Układ pomiarowy do wyznaczania charakterystyk staty

więcej podobnych podstron